Substrat d'électrode en saphir et substrats LED à plan C de plaquette

Brève description :

Sur la base de la mise à niveau continue de la technologie du saphir et de l'expansion rapide du marché des applications, les plaquettes de substrat de 4 et 6 pouces seront davantage adoptées par les principales sociétés de puces en raison de leurs avantages inhérents à l'utilisation de la production.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Spécification

GÉNÉRAL

Formule chimique

Al2O3

Structure cristalline

Système hexagonal (hk o 1)

Dimension de la cellule unitaire

a=4,758 Å,Å c=12,991 Å, c:a=2,730

PHYSIQUE

 

Métrique

Anglais (impérial)

Densité

3,98 g/cc

0,144 lb/po3

Dureté

1525 - 2000 Knoop, 9 mhos

3700° F

Point de fusion

2310 K (2040 °C)

 

DE CONSTRUCTION

Résistance à la traction

275 MPa à 400 MPa

40 000 à 58 000 psi

Résistance à la traction à 20° C

 

58 000 psi (minimum de conception)

Résistance à la traction à 500° C

 

40 000 psi (minimum de conception)

Résistance à la traction à 1000° C

355 MPa

52 000 psi (minimum de conception)

Résistance à la flexion

480 MPa à 895 MPa

70 000 à 130 000 psi

Résistance à la compression

2,0 GPa (ultime)

300 000 psi (ultime)

Le saphir comme substrat de circuit semi-conducteur

Les plaquettes minces de saphir ont été la première utilisation réussie d'un substrat isolant sur lequel du silicium était déposé pour fabriquer des circuits intégrés appelés silicium sur saphir (SOS). Outre ses excellentes propriétés d'isolation électrique, le saphir présente une conductivité thermique élevée. Les puces CMOS sur saphir sont particulièrement adaptées aux applications radiofréquences (RF) haute puissance telles que les téléphones portables, les radios de sécurité publique et les systèmes de communication par satellite.

Les plaquettes de saphir monocristallin sont également utilisées comme substrats dans l'industrie des semi-conducteurs pour la fabrication de dispositifs à base de nitrure de gallium (GaN). L'utilisation du saphir réduit considérablement les coûts, puisqu'il coûte environ un septième de celui du germanium. Le GaN sur saphir est couramment utilisé dans les diodes électroluminescentes bleues (LED).

Utiliser comme matériau de fenêtre

Le saphir synthétique (parfois appelé verre saphir) est souvent utilisé comme matériau de fenêtre, car il est hautement transparent entre 150 nm (ultraviolet) et 5 500 nm (infrarouge) (le spectre visible s'étend d'environ 380 nm à 750 nm) et offre une très grande résistance aux rayures. Principaux avantages des fenêtres en saphir

Inclure

Bande passante de transmission optique extrêmement large, de la lumière UV au proche infrarouge

Plus résistant que d’autres matériaux optiques ou fenêtres en verre

Très résistant aux rayures et à l'abrasion (dureté minérale de 9 sur l'échelle de Mohs, deuxième après le diamant et la moissanite parmi les substances naturelles)

Point de fusion très élevé (2030°C)

Diagramme détaillé

Substrat et plaquette de saphir d'électrode (1)
Substrat et plaquette de saphir d'électrode (2)

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