Substrat de saphir d'électrode et substrats de LED à plan C de plaquette

Brève description :

Sur la base de la mise à niveau continue de la technologie du saphir et de l'expansion rapide du marché des applications, les plaquettes de substrat de 4 et 6 pouces seront davantage adoptées par les grandes sociétés de puces en raison de leurs avantages inhérents en matière d'utilisation de la production.


Détail du produit

Mots clés du produit

Spécification

GÉNÉRAL

Formule chimique

Al2O3

Structure de cristal

Système hexagonal (hk o 1)

Dimension de cellule unitaire

a=4,758 Å,Å c=12,991 Å, c:a=2,730

PHYSIQUE

 

Métrique

Anglais (impérial)

Densité

3,98 g/cc

0,144 lb/po3

Dureté

1525 - 2000 Knoop, 9 mois

3 700 °F

Point de fusion

2 310 K (2 040 °C)

 

DE CONSTRUCTION

Résistance à la traction

275 MPa à 400 MPa

40 000 à 58 000 psi

Résistance à la traction à 20°C

 

58 000 psi (conception min.)

Résistance à la traction à 500°C

 

40 000 psi (conception min.)

Résistance à la traction à 1000°C

355 MPa

52 000 psi (conception min.)

Résistance à la flexion

480 MPa à 895 MPa

70 000 à 130 000 psi

Force de compression

2,0 GPa (ultime)

300 000 psi (ultime)

Le saphir comme substrat de circuit semi-conducteur

Les fines plaquettes de saphir ont été la première utilisation réussie d'un substrat isolant sur lequel du silicium a été déposé pour fabriquer des circuits intégrés appelés silicium sur saphir (SOS). En plus de ses excellentes propriétés d'isolation électrique, le saphir possède une conductivité thermique élevée. Les puces CMOS sur saphir sont particulièrement adaptées aux applications de radiofréquence (RF) de haute puissance telles que les téléphones mobiles, les radios de sécurité publique et les systèmes de communication par satellite.

Les plaquettes de saphir monocristallin sont également utilisées comme substrats dans l'industrie des semi-conducteurs pour la culture de dispositifs à base de nitrure de gallium (GaN). L'utilisation du saphir réduit considérablement les coûts puisqu'il représente environ 1/7ème du coût du germanium. Le GaN sur saphir est couramment utilisé dans les diodes électroluminescentes bleues (DEL).

Utiliser comme matériau de fenêtre

Le saphir synthétique (parfois appelé verre saphir) est souvent utilisé comme matériau de fenêtre car il est très transparent entre les longueurs d'onde de la lumière de 150 nm (ultraviolet) et 5 500 nm (infrarouge) (le spectre visible varie d'environ 380 nm à 750 nm). et présente une très haute résistance aux rayures. Principaux avantages des fenêtres en saphir

Inclure

Bande passante de transmission optique extrêmement large, de la lumière UV à la lumière proche infrarouge

Plus résistant que les autres matériaux optiques ou fenêtres en verre

Très résistant aux rayures et à l'abrasion (dureté minérale de 9 sur l'échelle de Mohs, juste derrière le diamant et la moissanite parmi les substances naturelles)

Point de fusion très élevé (2030°C)

Diagramme détaillé

Substrat et plaquette de saphir d'électrode (1)
Substrat et plaquette de saphir d'électrode (2)

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