Substrat en saphir pour électrodes et substrats LED de plan C pour plaquettes

Description courte :

Grâce à l'amélioration continue de la technologie du saphir et à l'expansion rapide du marché des applications, les plaquettes de substrat de 4 et 6 pouces seront de plus en plus adoptées par les principaux fabricants de puces en raison de leurs avantages intrinsèques en matière d'utilisation pour la production.


Caractéristiques

Spécification

GÉNÉRAL

Formule chimique

Al2O3

Structure cristalline

Système hexagonal (hk o 1)

Dimensions de la maille élémentaire

a=4,758 Å,Å c=12,991 Å, c:a=2,730

PHYSIQUE

 

Métrique

Anglais (impérial)

Densité

3,98 g/cm³

0,144 lb/po³

Dureté

1525 - 2000 Knoop, 9 mhos

3700° F

Point de fusion

2310 K (2040 °C)

 

DE CONSTRUCTION

Résistance à la traction

275 MPa à 400 MPa

40 000 à 58 000 psi

Résistance à la traction à 20 °C

 

58 000 psi (minimum de conception)

Résistance à la traction à 500 °C

 

40 000 psi (minimum de conception)

Résistance à la traction à 1000 °C

355 MPa

52 000 psi (minimum de conception)

Résistance à la flexion

480 MPa à 895 MPa

70 000 à 130 000 psi

Force de compression

2,0 GPa (ultime)

300 000 psi (ultime)

Le saphir comme substrat de circuit semi-conducteur

Les fines plaquettes de saphir ont constitué la première application réussie d'un substrat isolant sur lequel du silicium a été déposé pour fabriquer des circuits intégrés appelés silicium sur saphir (SOS). Outre ses excellentes propriétés d'isolation électrique, le saphir possède une conductivité thermique élevée. Les puces CMOS sur saphir sont particulièrement adaptées aux applications radiofréquences (RF) haute puissance telles que les téléphones mobiles, les radios de sécurité publique et les systèmes de communication par satellite.

Les plaquettes de saphir monocristallin sont également utilisées comme substrats dans l'industrie des semi-conducteurs pour la croissance de dispositifs à base de nitrure de gallium (GaN). L'utilisation du saphir permet de réduire considérablement les coûts, car son prix est environ sept fois inférieur à celui du germanium. Le GaN sur saphir est couramment utilisé dans les diodes électroluminescentes (DEL) bleues.

Utiliser comme matériau de fenêtre

Le saphir synthétique (parfois appelé verre saphir) est souvent utilisé comme matériau de fenêtre en raison de sa grande transparence dans les longueurs d'onde comprises entre 150 nm (ultraviolet) et 5500 nm (infrarouge) (le spectre visible s'étendant d'environ 380 nm à 750 nm) et de sa très grande résistance aux rayures. Principaux avantages des fenêtres en saphir

Inclure

Bande passante de transmission optique extrêmement large, de l'UV au proche infrarouge

Plus résistant que les autres matériaux optiques ou les vitres

Très résistant aux rayures et à l'abrasion (dureté minérale de 9 sur l'échelle de Mohs, juste derrière le diamant et la moissanite parmi les substances naturelles)

Point de fusion très élevé (2030°C)

Diagramme détaillé

Électrode, substrat de saphir et plaquette (1)
Substrat et plaquette en saphir d'électrode (2)

  • Précédent:
  • Suivant:

  • Écrivez votre message ici et envoyez-le-nous