Couche épitaxiale
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Substrat de plaquette épitaxié GaN sur saphir de 200 mm (8 pouces)
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Substrat hétérogène haute performance pour dispositifs acoustiques RF (LNOSiC)
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Écran GaN sur verre 4 pouces : options de verre personnalisables, notamment JGS1, JGS2, BF33 et quartz ordinaire
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Plaquette AlN sur NPSS : couche de nitrure d'aluminium haute performance sur substrat de saphir non poli pour applications haute température, haute puissance et RF
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Plaquettes épitaxiales GaN sur SiC personnalisées (100 mm, 150 mm) – Plusieurs options de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
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Plaquettes GaN sur diamant 4 pouces 6 pouces Épaisseur épitaxiale totale (microns) 0,6 à 2,5 ou personnalisée pour les applications haute fréquence
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Substrat de plaquette épitaxiale de haute puissance GaAs, plaquette d'arséniure de gallium, longueur d'onde laser de 905 nm pour le traitement médical au laser
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Les réseaux de photodétecteurs PD sur substrat de plaquette épitaxiale InGaAs peuvent être utilisés pour le LiDAR.
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Substrat épitaxié InP de 2, 3 et 4 pouces, détecteur de lumière APD pour communications par fibre optique ou LiDAR
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Plaquette épitaxiale SiC de 6 pouces, type N/P, personnalisable
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Plaquette épitaxiale SiC de 4 pouces pour MOS ou SBD
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Plaquette SOI (Silicon-On-Insulator Substrate) à trois couches pour la microélectronique et les radiofréquences