couche épitaxiale
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Substrat de wafer GaN de 200 mm et 8 pouces sur couche épitaxiale de saphir
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GaN sur verre 4 pouces : options de verre personnalisables, notamment JGS1, JGS2, BF33 et quartz ordinaire
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Plaquette AlN sur NPSS : couche de nitrure d'aluminium haute performance sur substrat de saphir non poli pour applications haute température, haute puissance et RF
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Nitrure de gallium sur plaquette de silicium 4 pouces 6 pouces Substrat Si sur mesure Orientation, résistivité et options de type N/P
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Plaquettes épitaxiales GaN sur SiC personnalisées (100 mm, 150 mm) – Plusieurs options de substrat SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
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Plaquettes GaN sur diamant 4 pouces 6 pouces Épaisseur épitaxiale totale (micron) 0,6 ~ 2,5 ou personnalisée pour les applications haute fréquence
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Substrat de plaquette épitaxiale haute puissance GaAs, plaquette d'arséniure de gallium, longueur d'onde laser de puissance 905 nm pour traitement médical au laser
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Les réseaux de photodétecteurs PD à substrat épitaxial InGaAs peuvent être utilisés pour le LiDAR
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Détecteur de lumière APD pour substrat de plaquette épitaxiale InP de 2 pouces, 3 pouces et 4 pouces pour communications par fibre optique ou LiDAR
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Plaquette SiC Epi de 4 pouces pour MOS ou SBD
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Substrat silicium sur isolant SOI trois couches pour la microélectronique et la radiofréquence
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Plaquettes isolantes SOI sur silicium Plaquettes SOI (silicium sur isolant) de 8 et 6 pouces