Plaquette épitaxiale laser GaAs 4 pouces 6 pouces VCSEL, cavité verticale, émission de surface, longueur d'onde laser 940nm, jonction unique

Brève description :

Réseaux laser Gigabit Ethernet de conception spécifiée par le client pour des tranches de 6 pouces à haute uniformité, longueur d'onde optique centrale de 850/940 nm, communication par liaison de données numérique VCSEL limitée par oxyde ou implant de protons, caractéristiques électriques et optiques de la souris laser, faible sensibilité à la température. Le VCSEL-940 Single Junction est un laser à cavité verticale et à émission de surface (VCSEL) avec une longueur d'onde d'émission généralement d'environ 940 nanomètres. De tels lasers sont généralement constitués d’un seul puits quantique et sont capables de fournir une émission lumineuse efficace. La longueur d'onde de 940 nanomètres le rend, dans le spectre infrarouge, adapté à une variété d'applications. Comparés à d'autres types de lasers, les VCsels ont une efficacité de conversion électro-optique plus élevée. Le package VCSEL est relativement petit et facile à intégrer. La large application du VCSEL-940 lui a permis de jouer un rôle important dans la technologie moderne.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser GaAs comprennent

1. Structure à jonction unique : ce laser est généralement composé d’un seul puits quantique, qui peut fournir une émission de lumière efficace.
2. Longueur d'onde : La longueur d'onde de 940 nm le rend dans la gamme du spectre infrarouge, adapté à une variété d'applications.
3. Haute efficacité : comparé à d’autres types de lasers, le VCSEL a une efficacité de conversion électro-optique élevée.
4. Compacité : Le package VCSEL est relativement petit et facile à intégrer.

5. Courant de seuil faible et rendement élevé : les lasers à hétérostructure enterrés présentent une densité de courant de seuil laser extrêmement faible (par exemple 4 mA/cm²) et un rendement quantique différentiel externe élevé (par exemple 36 %), avec une puissance de sortie linéaire supérieure à 15 mW.
6. Stabilité du mode guide d'ondes : Le laser à hétérostructure enterré présente l'avantage de la stabilité du mode guide d'ondes en raison de son mécanisme de guide d'ondes guidé par indice de réfraction et de sa largeur de bande active étroite (environ 2 μm).
7. Excellente efficacité de conversion photoélectrique : en optimisant le processus de croissance épitaxiale, une efficacité quantique interne élevée et une efficacité de conversion photoélectrique peuvent être obtenues pour réduire les pertes internes.
8. Fiabilité et durée de vie élevées : une technologie de croissance épitaxiale de haute qualité peut préparer des feuilles épitaxiales avec un bon aspect de surface et une faible densité de défauts, améliorant ainsi la fiabilité et la durée de vie du produit.
9. Convient à une variété d'applications : la feuille épitaxiale de diode laser à base de GAAS est largement utilisée dans la communication par fibre optique, les applications industrielles, les infrarouges et photodétecteurs et d'autres domaines.

Les principaux moyens d'application de la feuille épitaxiale laser GaAs comprennent

1. Communication optique et communication de données : les plaquettes épitaxiales GaAs sont largement utilisées dans le domaine de la communication optique, en particulier dans les systèmes de communication optique à grande vitesse, pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques tels que des lasers et des détecteurs.

2. Applications industrielles : les feuilles épitaxiales laser GaAs ont également des utilisations importantes dans les applications industrielles, telles que le traitement, la mesure et la détection laser.

3. Electronique grand public : Dans l'électronique grand public, les plaquettes épitaxiales GaAs sont utilisées pour fabriquer des VCsels (lasers à émission de surface à cavité verticale), qui sont largement utilisés dans les smartphones et autres appareils électroniques grand public.

4. Applications RF : les matériaux GaAs présentent des avantages significatifs dans le domaine RF et sont utilisés pour fabriquer des dispositifs RF hautes performances.

5. Lasers à points quantiques : Les lasers à points quantiques basés sur GAAS sont largement utilisés dans les domaines de la communication, médical et militaire, en particulier dans la bande de communication optique de 1,31 µm.

6. Commutateur Q passif : l'absorbeur GaAs est utilisé pour les lasers à semi-conducteurs pompés par diode avec commutateur Q passif, qui convient au micro-usinage, à la télémétrie et à la microchirurgie.

Ces applications démontrent le potentiel des plaquettes épitaxiales laser GaAs dans une large gamme d’applications de haute technologie.

XKH propose des tranches épitaxiales GaAs avec différentes structures et épaisseurs adaptées aux exigences des clients, couvrant une large gamme d'applications telles que VCSEL/HCSEL, WLAN, stations de base 4G/5G, etc. Les produits XKH sont fabriqués à l'aide d'équipements MOCVD avancés pour garantir des performances élevées et fiabilité. En termes de logistique, nous disposons d'un large éventail de canaux d'approvisionnement internationaux, pouvons gérer de manière flexible le nombre de commandes et fournir des services à valeur ajoutée tels que l'éclaircissage, la segmentation, etc. Des processus de livraison efficaces garantissent une livraison à temps et répondent aux exigences des clients en matière de qualité et délais de livraison. Après leur arrivée, les clients peuvent bénéficier d’une assistance technique complète et d’un service après-vente pour garantir une mise en service fluide du produit.