Plaquette épitaxiale laser GaAs 4 pouces 6 pouces Laser à émission de surface à cavité verticale VCSEL Longueur d'onde 940 nm Jonction unique

Description courte :

Conception sur mesure de réseaux laser Gigabit Ethernet pour plaquettes de 6 pouces à haute uniformité, longueur d'onde optique centrale de 850/940 nm, VCSEL à oxyde limité ou implanté par protons, communication de liaison de données numériques, souris laser, caractéristiques électriques et optiques, faible sensibilité à la température. Le VCSEL-940 à jonction unique est un laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) avec une longueur d'onde d'émission typiquement d'environ 940 nanomètres. Ces lasers sont généralement constitués d'un seul puits quantique et sont capables de fournir une émission de lumière efficace. La longueur d'onde de 940 nanomètres le situe dans le spectre infrarouge, ce qui le rend adapté à une variété d'applications. Comparés à d'autres types de lasers, les VCSEL ont une efficacité de conversion électro-optique plus élevée. Le boîtier VCSEL est relativement petit et facile à intégrer. La large application du VCSEL-940 lui a permis de jouer un rôle important dans la technologie moderne.

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Caractéristiques

Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser GaAs comprennent

1. Structure à jonction unique : Ce laser est généralement composé d'un seul puits quantique, qui peut fournir une émission de lumière efficace.
2. Longueur d'onde : La longueur d'onde de 940 nm la situe dans la gamme du spectre infrarouge, ce qui la rend adaptée à une variété d'applications.
3. Haute efficacité : comparé à d'autres types de lasers, le VCSEL possède une efficacité de conversion électro-optique élevée.
4. Compacité : Le boîtier VCSEL est relativement petit et facile à intégrer.

5. Faible courant de seuil et rendement élevé : Les lasers à hétérostructure enterrée présentent une densité de courant de seuil laser extrêmement faible (par exemple 4 mA/cm²) et un rendement quantique différentiel externe élevé (par exemple 36 %), avec une puissance de sortie linéaire dépassant 15 mW.
6. Stabilité du mode du guide d'ondes : Le laser à hétérostructure enterrée présente l'avantage d'une stabilité du mode du guide d'ondes grâce à son mécanisme de guide d'ondes à indice de réfraction et à sa faible largeur de bande active (environ 2 μm).
7. Excellente efficacité de conversion photoélectrique : En optimisant le processus de croissance épitaxiale, une efficacité quantique interne et une efficacité de conversion photoélectrique élevées peuvent être obtenues pour réduire les pertes internes.
8. Fiabilité et durée de vie élevées : la technologie de croissance épitaxiale de haute qualité permet de préparer des feuilles épitaxiales avec un bon aspect de surface et une faible densité de défauts, améliorant ainsi la fiabilité et la durée de vie du produit.
9. Convient à une variété d'applications : la feuille épitaxiale de diode laser à base de GAAS est largement utilisée dans les communications par fibre optique, les applications industrielles, les photodétecteurs infrarouges et autres domaines.

Les principales applications des feuilles épitaxiales laser GaAs comprennent

1. Communication optique et communication de données : les plaquettes épitaxiales de GaAs sont largement utilisées dans le domaine de la communication optique, notamment dans les systèmes de communication optique à haut débit, pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques tels que les lasers et les détecteurs.

2. Applications industrielles : Les feuilles épitaxiales laser GaAs ont également des utilisations importantes dans les applications industrielles, telles que le traitement laser, la mesure et la détection.

3. Électronique grand public : Dans l'électronique grand public, les plaquettes épitaxiales de GaAs sont utilisées pour fabriquer des VCsels (lasers à émission de surface à cavité verticale), qui sont largement utilisés dans les smartphones et autres appareils électroniques grand public.

4. Applications RF : Les matériaux GaAs présentent des avantages significatifs dans le domaine RF et sont utilisés pour fabriquer des dispositifs RF haute performance.

5. Lasers à points quantiques : Les lasers à points quantiques à base de GAAS sont largement utilisés dans les domaines de la communication, de la médecine et de la défense, en particulier dans la bande de communication optique de 1,31 µm.

6. Commutateur Q passif : L'absorbeur GaAs est utilisé pour les lasers à semi-conducteurs pompés par diode avec commutateur Q passif, ce qui convient à la micro-usinage, à la télémétrie et à la microchirurgie.

Ces applications démontrent le potentiel des plaquettes épitaxiales laser GaAs dans un large éventail d'applications de haute technologie.

XKH propose des plaquettes épitaxiales de GaAs aux structures et épaisseurs variées, adaptées aux besoins de ses clients. Ces plaquettes couvrent un large éventail d'applications, notamment les VCSEL/HCSEL, le WLAN et les stations de base 4G/5G. Fabriqués à l'aide d'équipements MOCVD de pointe, les produits XKH garantissent des performances et une fiabilité élevées. Grâce à un vaste réseau de fournisseurs internationaux, nous pouvons gérer efficacement le volume des commandes et proposons des services à valeur ajoutée tels que l'amincissement et la segmentation. Nos processus de livraison optimisés assurent le respect des délais et des exigences de nos clients en matière de qualité et de délais de livraison. Après réception, nos clients bénéficient d'un support technique complet et d'un service après-vente dédié pour une mise en service optimale.