Plaquette épitaxiale laser GaAs 4 pouces 6 pouces VCSEL laser à émission de surface à cavité verticale longueur d'onde 940 nm jonction simple

Laser épitaxial GaAs wafer 4 pouces 6 pouces VCSEL cavité verticale laser à émission de surface longueur d'onde 940 nm jonction unique Image en vedette

Brève description :

Matrices laser Gigabit Ethernet conçues sur mesure pour plaquettes de 6 pouces à haute uniformité, longueur d'onde centrale de 850/940 nm, VCSEL à oxyde limité ou à implantation de protons, communication par liaison de données numérique, souris laser, caractéristiques électriques et optiques, faible sensibilité à la température. Le VCSEL-940 à simple jonction est un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) dont la longueur d'onde d'émission est généralement d'environ 940 nanomètres. Ces lasers sont généralement constitués d'un seul puits quantique et offrent une émission lumineuse efficace. Leur longueur d'onde de 940 nanomètres le place dans le spectre infrarouge, ce qui le rend adapté à de nombreuses applications. Comparés aux autres types de lasers, les VCsEL présentent un rendement de conversion électro-optique supérieur. Le boîtier du VCSEL est relativement compact et facile à intégrer. Grâce à sa large application, le VCSEL-940 joue un rôle important dans les technologies modernes.

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Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser GaAs comprennent

1. Structure à jonction unique : ce laser est généralement composé d'un seul puits quantique, qui peut fournir une émission lumineuse efficace.
2. Longueur d'onde : La longueur d'onde de 940 nm la place dans la gamme du spectre infrarouge, adaptée à une variété d'applications.
3. Haute efficacité : Comparé à d'autres types de lasers, le VCSEL présente une efficacité de conversion électro-optique élevée.
4. Compacité : Le package VCSEL est relativement petit et facile à intégrer.

5. Faible courant de seuil et rendement élevé : les lasers à hétérostructure enterrée présentent une densité de courant de seuil laser extrêmement faible (par exemple 4 mA/cm²) et un rendement quantique différentiel externe élevé (par exemple 36 %), avec une puissance de sortie linéaire supérieure à 15 mW.
6. Stabilité du mode guide d'ondes : Le laser à hétérostructure enterrée présente l'avantage de la stabilité du mode guide d'ondes en raison de son mécanisme de guide d'ondes guidé par indice de réfraction et de sa largeur de bande active étroite (environ 2 μm).
7. Excellente efficacité de conversion photoélectrique : en optimisant le processus de croissance épitaxiale, une efficacité quantique interne élevée et une efficacité de conversion photoélectrique peuvent être obtenues pour réduire les pertes internes.
8. Haute fiabilité et durée de vie : la technologie de croissance épitaxiale de haute qualité peut préparer des feuilles épitaxiales avec un bon aspect de surface et une faible densité de défauts, améliorant ainsi la fiabilité et la durée de vie du produit.
9. Convient à une variété d'applications : la feuille épitaxiale de diode laser à base de GAAS est largement utilisée dans la communication par fibre optique, les applications industrielles, les détecteurs infrarouges et photodétecteurs et d'autres domaines.

Les principales applications de la feuille épitaxiale laser GaAs comprennent

1. Communication optique et communication de données : les plaquettes épitaxiales GaAs sont largement utilisées dans le domaine de la communication optique, en particulier dans les systèmes de communication optique à haut débit, pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques tels que les lasers et les détecteurs.

2. Applications industrielles : les feuilles épitaxiales laser GaAs ont également des utilisations importantes dans les applications industrielles, telles que le traitement, la mesure et la détection au laser.

3. Électronique grand public : Dans l'électronique grand public, les plaquettes épitaxiales GaAs sont utilisées pour fabriquer des VCsels (lasers à cavité verticale émettant par la surface), qui sont largement utilisés dans les smartphones et autres appareils électroniques grand public.

4. Applications RF : les matériaux GaAs présentent des avantages significatifs dans le domaine RF et sont utilisés pour fabriquer des dispositifs RF hautes performances.

5. Lasers à points quantiques : les lasers à points quantiques basés sur GAAS sont largement utilisés dans les domaines de la communication, de la médecine et de l'armée, en particulier dans la bande de communication optique de 1,31 µm.

6. Commutateur Q passif : l'absorbeur GaAs est utilisé pour les lasers à semi-conducteurs pompés par diode avec commutateur Q passif, qui convient au micro-usinage, à la télémétrie et à la microchirurgie.

Ces applications démontrent le potentiel des plaquettes épitaxiales laser GaAs dans une large gamme d’applications de haute technologie.

XKH propose des plaquettes épitaxiales GaAs de différentes structures et épaisseurs, adaptées aux besoins des clients, couvrant un large éventail d'applications telles que VCSEL/HCSEL, WLAN, stations de base 4G/5G, etc. Les produits XKH sont fabriqués à l'aide d'équipements MOCVD de pointe pour garantir des performances et une fiabilité élevées. Côté logistique, nous disposons d'un large réseau d'approvisionnement international, sommes capables de gérer avec souplesse le volume des commandes et proposons des services à valeur ajoutée tels que l'amincissement, la segmentation, etc. Des processus de livraison efficaces garantissent une livraison ponctuelle et répondent aux exigences de qualité et de délais de livraison des clients. Après réception, les clients bénéficient d'une assistance technique et d'un service après-vente complets pour garantir une mise en service optimale du produit.