Nitrure de gallium (GaN) épitaxié sur plaquettes de saphir 4 pouces et 6 pouces pour MEMS
Propriétés du GaN sur les plaquettes de saphir
●Haute efficacité :Les dispositifs à base de GaN fournissent cinq fois plus de puissance que les dispositifs à base de silicium, améliorant ainsi les performances dans diverses applications électroniques, notamment l'amplification RF et l'optoélectronique.
●Large bande interdite :La large bande interdite du GaN permet une efficacité élevée à des températures élevées, ce qui le rend idéal pour les applications à haute puissance et à haute fréquence.
●Durabilité :La capacité du GaN à gérer des conditions extrêmes (températures élevées et rayonnement) garantit des performances durables dans des environnements difficiles.
●Petite taille :Le GaN permet la production de dispositifs plus compacts et plus légers par rapport aux matériaux semi-conducteurs traditionnels, facilitant ainsi une électronique plus petite et plus puissante.
Abstrait
Le nitrure de gallium (GaN) s'impose comme le semi-conducteur de choix pour les applications avancées exigeant puissance et rendement élevés, telles que les modules frontaux RF, les systèmes de communication haut débit et l'éclairage LED. Les plaquettes épitaxiales de GaN, développées sur des substrats de saphir, offrent une combinaison de conductivité thermique élevée, de tension de claquage élevée et de large réponse en fréquence, essentielles pour des performances optimales dans les dispositifs de communication sans fil, les radars et les brouilleurs. Ces plaquettes sont disponibles en diamètres de 4 et 6 pouces, avec différentes épaisseurs de GaN pour répondre à différentes exigences techniques. Les propriétés uniques du GaN en font un candidat de choix pour l'avenir de l'électronique de puissance.
Paramètres du produit
| Caractéristiques du produit | Spécification |
| Diamètre de la plaquette | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Substrat | Saphir |
| Épaisseur de la couche GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Type/Dopage GaN | Type N (type P disponible sur demande) |
| Orientation du cristal GaN | <0001> |
| Type de polissage | Poli sur une seule face (SSP), poli sur deux faces (DSP) |
| Épaisseur d'Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (variation d'épaisseur totale) | ≤ 10 μm |
| Arc | ≤ 10 μm |
| Chaîne | ≤ 10 μm |
| Superficie | Surface utilisable > 90 % |
Questions et réponses
Q1 : Quels sont les principaux avantages de l’utilisation du GaN par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium ?
A1Le GaN offre plusieurs avantages significatifs par rapport au silicium, notamment une bande interdite plus large, lui permettant de supporter des tensions de claquage plus élevées et de fonctionner efficacement à des températures plus élevées. Cela rend le GaN idéal pour les applications haute puissance et haute fréquence telles que les modules RF, les amplificateurs de puissance et les LED. Sa capacité à gérer des densités de puissance plus élevées permet également de concevoir des dispositifs plus compacts et plus performants que les alternatives à base de silicium.
Q2 : Les plaquettes de GaN sur saphir peuvent-elles être utilisées dans les applications MEMS (systèmes micro-électromécaniques) ?
A2Oui, le GaN sur plaquettes de saphir convient aux applications MEMS, notamment lorsqu'une puissance élevée, une stabilité thermique et un faible bruit sont requis. Sa durabilité et son efficacité dans les environnements haute fréquence en font un matériau idéal pour les dispositifs MEMS utilisés dans les systèmes de communication sans fil, de détection et de radar.
Q3 : Quelles sont les applications potentielles du GaN dans la communication sans fil ?
A3Le GaN est largement utilisé dans les modules frontaux RF pour les communications sans fil, notamment les infrastructures 5G, les systèmes radar et les brouilleurs. Sa densité de puissance élevée et sa conductivité thermique en font un matériau idéal pour les dispositifs haute puissance et haute fréquence, offrant de meilleures performances et des dimensions plus compactes que les solutions à base de silicium.
Q4 : Quels sont les délais de livraison et les quantités minimales de commande pour les plaquettes de GaN sur saphir ?
A4Les délais de livraison et les quantités minimales de commande varient en fonction de la taille des plaquettes, de l'épaisseur du GaN et des exigences spécifiques du client. Veuillez nous contacter directement pour connaître les tarifs et la disponibilité en fonction de vos spécifications.
Q5 : Puis-je obtenir une épaisseur de couche GaN ou des niveaux de dopage personnalisés ?
A5Oui, nous proposons une personnalisation de l'épaisseur du GaN et des niveaux de dopage pour répondre aux besoins spécifiques de vos applications. Veuillez nous indiquer vos spécifications souhaitées et nous vous proposerons une solution sur mesure.
Diagramme détaillé
