Nitrure de gallium sur plaquette de silicium 4 pouces 6 pouces Orientation du substrat Si sur mesure, résistivité et options de type N/P

Description courte :

Nos plaquettes de silicium au nitrure de gallium (GaN) personnalisées sont conçues pour répondre aux exigences croissantes des applications électroniques haute fréquence et haute puissance. Disponibles en formats 4 et 6 pouces, elles offrent des options de personnalisation pour l'orientation, la résistivité et le type de dopage (N/P) du substrat de silicium, afin de s'adapter aux besoins spécifiques de chaque application. La technologie GaN sur Si combine les avantages du nitrure de gallium (GaN) avec le faible coût du substrat de silicium (Si), permettant une meilleure gestion thermique, un rendement accru et des vitesses de commutation plus rapides. Grâce à leur large bande interdite et leur faible résistance électrique, ces plaquettes sont idéales pour la conversion de puissance, les applications RF et les systèmes de transfert de données à haut débit.

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Caractéristiques

●Large bande interdite :Le GaN (3,4 eV) offre une amélioration significative des performances à haute fréquence, à haute puissance et à haute température par rapport au silicium traditionnel, ce qui le rend idéal pour les dispositifs de puissance et les amplificateurs RF.
●Orientation du substrat Si personnalisable :Choisissez parmi différentes orientations de substrat Si telles que <111>, <100> et autres pour répondre aux exigences spécifiques du dispositif.
●Résistivité personnalisée :Choisissez parmi différentes options de résistivité pour le silicium, allant du semi-isolant à la haute et à la basse résistivité, afin d'optimiser les performances de votre dispositif.
●Type de dopage :Disponible en dopage de type N ou de type P pour répondre aux exigences des dispositifs de puissance, des transistors RF ou des LED.
●Tension de claquage élevée :Les plaquettes GaN sur Si ont une tension de claquage élevée (jusqu'à 1200 V), ce qui leur permet de gérer des applications à haute tension.
●Vitesse de commutation plus rapide :Le GaN possède une mobilité électronique plus élevée et des pertes de commutation plus faibles que le silicium, ce qui rend les plaquettes GaN sur Si idéales pour les circuits à haute vitesse.
●Performances thermiques améliorées :Malgré la faible conductivité thermique du silicium, le GaN sur Si offre une stabilité thermique supérieure, avec une meilleure dissipation de la chaleur que les dispositifs en silicium traditionnels.

Spécifications techniques

Paramètre	Valeur
Taille de la plaquette	4 pouces, 6 pouces
Orientation du substrat de Si	<111>, <100>, personnalisé
Résistivité du silicium	Haute résistivité, semi-isolant, faible résistivité
Type de dopage	Type N, type P
Épaisseur de la couche de GaN	100 nm – 5000 nm (personnalisable)
Couche barrière AlGaN	24 % – 28 % Al (taille typique : 10-20 nm)
Tension de claquage	600 V – 1200 V
mobilité électronique	2000 cm²/V·s
Fréquence de commutation	Jusqu'à 18 GHz
Rugosité de la surface de la plaquette	RMS ~0,25 nm (AFM)
Résistance de feuille de GaN	437,9 Ω·cm²
Déformation totale de la plaquette	< 25 µm (maximum)
Conductivité thermique	1,3 – 2,1 W/cm·K

Applications

Électronique de puissanceLa technologie GaN sur Si est idéale pour l'électronique de puissance, notamment pour les amplificateurs, les convertisseurs et les onduleurs utilisés dans les systèmes d'énergies renouvelables, les véhicules électriques et les équipements industriels. Sa tension de claquage élevée et sa faible résistance à l'état passant garantissent une conversion de puissance efficace, même pour les applications à forte puissance.

Communications RF et micro-ondesLes plaquettes GaN sur Si offrent des capacités haute fréquence, ce qui les rend idéales pour les amplificateurs de puissance RF, les communications par satellite, les systèmes radar et les technologies 5G. Grâce à des vitesses de commutation plus élevées et à la capacité de fonctionner à des fréquences plus élevées (jusqu'à…), elles sont parfaitement adaptées aux applications nécessitant une utilisation intensive.18 GHz), les dispositifs GaN offrent des performances supérieures dans ces applications.

Électronique automobileLe GaN sur Si est utilisé dans les systèmes d'alimentation automobile, notammentchargeurs embarqués (OBC)etConvertisseurs CC-CCSa capacité à fonctionner à des températures plus élevées et à supporter des niveaux de tension plus élevés en fait un choix idéal pour les applications de véhicules électriques exigeant une conversion de puissance robuste.

LED et optoélectroniqueGaN est le matériau de choix pour LED bleues et blanchesLes plaquettes GaN sur Si sont utilisées pour produire des systèmes d'éclairage LED à haut rendement, offrant d'excellentes performances dans les domaines de l'éclairage, des technologies d'affichage et des communications optiques.

Questions et réponses

Q1 : Quel est l'avantage du GaN par rapport au silicium dans les dispositifs électroniques ?

A1 :Le GaN possède unbande interdite plus large (3,4 eV)Le GaN possède une tension d'activation supérieure à celle du silicium (1,1 eV), ce qui lui permet de supporter des tensions et des températures plus élevées. Cette propriété lui permet de gérer plus efficacement les applications haute puissance, en réduisant les pertes de puissance et en améliorant les performances du système. Le GaN offre également des vitesses de commutation plus rapides, essentielles pour les dispositifs haute fréquence tels que les amplificateurs RF et les convertisseurs de puissance.

Q2 : Puis-je personnaliser l'orientation du substrat Si pour mon application ?

A2 :Oui, nous proposonsorientations personnalisables du substrat Sitel que<111>, <100>et d'autres orientations selon les exigences de votre dispositif. L'orientation du substrat de silicium joue un rôle clé dans les performances du dispositif, notamment ses caractéristiques électriques, son comportement thermique et sa stabilité mécanique.

Q3 : Quels sont les avantages de l'utilisation de plaquettes GaN sur Si pour les applications à haute fréquence ?

A3 :Les plaquettes GaN sur Si offrent des performances supérieuresvitesses de commutation, permettant un fonctionnement plus rapide à des fréquences plus élevées que le silicium. Cela les rend idéaux pourRFetmicro-ondesapplications, ainsi que haute fréquencedispositifs d'alimentationtel queHEMTs(Transistors à haute mobilité électronique) etAmplificateurs RFLa mobilité électronique plus élevée du GaN entraîne également des pertes de commutation plus faibles et une efficacité améliorée.

Q4 : Quelles options de dopage sont disponibles pour les plaquettes GaN sur Si ?

A4 :Nous proposons les deuxType NetType Poptions de dopage, couramment utilisées pour différents types de dispositifs semi-conducteurs.Dopage de type Nest idéal pourtransistors de puissanceetAmplificateurs RF, alors queDopage de type Pest souvent utilisé pour les dispositifs optoélectroniques comme les LED.

Conclusion

Nos plaquettes de nitrure de gallium sur silicium (GaN-sur-Si) personnalisées constituent la solution idéale pour les applications haute fréquence, haute puissance et haute température. Grâce à des orientations de substrat Si, une résistivité et un dopage de type N/P personnalisables, ces plaquettes sont conçues pour répondre aux besoins spécifiques de secteurs aussi variés que l'électronique de puissance, les systèmes automobiles, les communications RF et les technologies LED. Tirant parti des propriétés supérieures du GaN et de l'évolutivité du silicium, ces plaquettes offrent des performances et une efficacité accrues, ainsi qu'une compatibilité avec les technologies futures.