Diamètre de la plaquette HPSI SiC : 3 pouces, épaisseur : 350 um ± 25 µm pour l'électronique de puissance

Brève description :

La plaquette SiC HPSI (carbure de silicium de haute pureté) d'un diamètre de 3 pouces et d'une épaisseur de 350 µm ± 25 µm est conçue spécifiquement pour les applications d'électronique de puissance qui nécessitent des substrats hautes performances. Cette plaquette SiC offre une conductivité thermique supérieure, une tension de claquage élevée et une efficacité à des températures de fonctionnement élevées, ce qui en fait un choix idéal pour répondre à la demande croissante de dispositifs électroniques de puissance robustes et économes en énergie. Les plaquettes SiC sont particulièrement adaptées aux applications haute tension, courant élevé et haute fréquence, où les substrats de silicium traditionnels ne parviennent pas à répondre aux exigences opérationnelles.
Notre plaquette HPSI SiC, fabriquée à l'aide des dernières techniques de pointe de l'industrie, est disponible en plusieurs qualités, chacune conçue pour répondre à des exigences de fabrication spécifiques. La plaquette présente une intégrité structurelle, des propriétés électriques et une qualité de surface exceptionnelles, garantissant qu'elle peut fournir des performances fiables dans des applications exigeantes, notamment les semi-conducteurs de puissance, les véhicules électriques (VE), les systèmes d'énergie renouvelable et la conversion d'énergie industrielle.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Application

Les plaquettes HPSI SiC sont utilisées dans une large gamme d'applications d'électronique de puissance, notamment :

Semi-conducteurs de puissance :Les plaquettes SiC sont couramment utilisées dans la production de diodes de puissance, de transistors (MOSFET, IGBT) et de thyristors. Ces semi-conducteurs sont largement utilisés dans les applications de conversion de puissance qui nécessitent un rendement et une fiabilité élevés, comme dans les entraînements de moteurs industriels, les alimentations électriques et les onduleurs pour les systèmes d'énergie renouvelable.
Véhicules électriques (VE) :Dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques, les dispositifs d'alimentation basés sur SiC offrent des vitesses de commutation plus rapides, une efficacité énergétique plus élevée et des pertes thermiques réduites. Les composants SiC sont idéaux pour les applications dans les systèmes de gestion de batterie (BMS), les infrastructures de charge et les chargeurs embarqués (OBC), où la minimisation du poids et l'optimisation de l'efficacité de la conversion d'énergie sont essentielles.

Systèmes d'énergie renouvelable :Les plaquettes SiC sont de plus en plus utilisées dans les onduleurs solaires, les générateurs éoliens et les systèmes de stockage d'énergie, où une efficacité et une robustesse élevées sont essentielles. Les composants à base de SiC permettent une densité de puissance plus élevée et des performances améliorées dans ces applications, améliorant ainsi l'efficacité globale de la conversion d'énergie.

Électronique de puissance industrielle :Dans les applications industrielles hautes performances, telles que les entraînements de moteurs, la robotique et les alimentations électriques à grande échelle, l'utilisation de plaquettes SiC permet d'améliorer les performances en termes d'efficacité, de fiabilité et de gestion thermique. Les dispositifs SiC peuvent gérer des fréquences de commutation élevées et des températures élevées, ce qui les rend adaptés aux environnements exigeants.

Télécommunications et centres de données :Le SiC est utilisé dans les alimentations électriques des équipements de télécommunications et des centres de données, où une fiabilité élevée et une conversion de puissance efficace sont cruciales. Les dispositifs d'alimentation basés sur SiC permettent une efficacité plus élevée dans des tailles plus petites, ce qui se traduit par une consommation d'énergie réduite et une meilleure efficacité de refroidissement dans les infrastructures à grande échelle.

La tension de claquage élevée, la faible résistance à l'état passant et l'excellente conductivité thermique des tranches de SiC en font le substrat idéal pour ces applications avancées, permettant le développement d'une électronique de puissance économe en énergie de nouvelle génération.

Propriétés

Propriété	Valeur
Diamètre de la plaquette	3 pouces (76,2 mm)
Épaisseur de la plaquette	350 µm ± 25 µm
Orientation de la plaquette	<0001> sur l'axe ± 0,5°
Densité des microtuyaux (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Résistivité électrique	≥ 1E7 Ω·cm
Dopant	Non dopé
Orientation plate principale	{11-20} ± 5,0°
Longueur à plat primaire	32,5 mm ± 3,0 mm
Longueur plate secondaire	18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation plate secondaire	Si face vers le haut : 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0°
Exclusion de bord	3 mm
LTV/TTV/Arc/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Rugosité de la surface	Face C : polie, face Si : CMP
Fissures (inspectées par une lumière de haute intensité)	Aucun
Plaques hexagonales (inspectées par une lumière de haute intensité)	Aucun
Zones polytypes (inspectées par une lumière de haute intensité)	Superficie cumulée 5%
Rayures (inspectées par une lumière de haute intensité)	≤ 5 rayures, longueur cumulée ≤ 150 mm
Écaillage des bords	Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur
Contamination de la surface (inspectée par une lumière de haute intensité)	Aucun

Avantages clés

Conductivité thermique élevée :Les plaquettes SiC sont connues pour leur capacité exceptionnelle à dissiper la chaleur, ce qui permet aux dispositifs électriques de fonctionner avec un rendement plus élevé et de gérer des courants plus élevés sans surchauffe. Cette fonctionnalité est cruciale en électronique de puissance où la gestion de la chaleur constitue un défi de taille.
Tension de claquage élevée :La large bande interdite du SiC permet aux dispositifs de tolérer des niveaux de tension plus élevés, ce qui les rend idéaux pour les applications haute tension telles que les réseaux électriques, les véhicules électriques et les machines industrielles.
Haute efficacité :La combinaison de fréquences de commutation élevées et d'une faible résistance à l'état passant permet d'obtenir des dispositifs présentant une perte d'énergie moindre, améliorant ainsi l'efficacité globale de la conversion de puissance et réduisant le besoin de systèmes de refroidissement complexes.
Fiabilité dans les environnements difficiles :Le SiC est capable de fonctionner à des températures élevées (jusqu'à 600°C), ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements qui autrement endommageraient les dispositifs traditionnels à base de silicium.
Économies d'énergie :Les dispositifs d'alimentation SiC améliorent l'efficacité de la conversion d'énergie, ce qui est essentiel pour réduire la consommation d'énergie, en particulier dans les grands systèmes tels que les convertisseurs de puissance industriels, les véhicules électriques et les infrastructures d'énergie renouvelable.