Plaquettes d'antimoniure d'indium (InSb) de type N, de type P, prêtes à l'emploi, non dopées, dopées au Te ou au Ge, épaisseur de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces ...
Caractéristiques
Options de dopage :
1. Non dopé :Ces plaquettes sont exemptes de tout agent dopant, ce qui les rend idéales pour des applications spécialisées telles que la croissance épitaxiale.
2.Te dopé (type N) :Le dopage au tellure (Te) est couramment utilisé pour créer des plaquettes de type N, idéales pour des applications telles que les détecteurs infrarouges et l'électronique à grande vitesse.
3. Ge dopé (type P) :Le dopage au germanium (Ge) est utilisé pour créer des plaquettes de type P, offrant une mobilité élevée des trous pour les applications avancées de semi-conducteurs.
Options de taille :
1. Disponibles en diamètres de 2, 3 et 4 pouces, ces plaquettes répondent à différents besoins technologiques, de la recherche et développement à la production à grande échelle.
2. Des tolérances de diamètre précises garantissent la cohérence entre les lots, avec des diamètres de 50,8 ± 0,3 mm (pour les plaquettes de 2 pouces) et 76,2 ± 0,3 mm (pour les plaquettes de 3 pouces).
Contrôle de l'épaisseur :
1. Les plaquettes sont disponibles avec une épaisseur de 500±5μm pour des performances optimales dans diverses applications.
2. Des mesures supplémentaires telles que TTV (variation d'épaisseur totale), BOW et Warp sont soigneusement contrôlées pour garantir une uniformité et une qualité élevées.
Qualité de surface :
1. Les plaquettes sont dotées d'une surface polie/gravée pour des performances optiques et électriques améliorées.
2. Ces surfaces sont idéales pour la croissance épitaxiale, offrant une base lisse pour un traitement ultérieur dans des dispositifs hautes performances.
Epi-Ready :
1. Les plaquettes InSb sont prêtes pour l'épitaxie, ce qui signifie qu'elles sont prétraitées pour les procédés de dépôt épitaxial. Elles sont donc idéales pour les applications de fabrication de semi-conducteurs où des couches épitaxiales doivent être déposées sur la plaquette.
Applications
1. Détecteurs infrarouges :Les plaquettes d'InSb sont couramment utilisées en détection infrarouge (IR), notamment dans la gamme des infrarouges à longueur d'onde moyenne (MWIR). Ces plaquettes sont essentielles pour les applications de vision nocturne, d'imagerie thermique et de spectroscopie infrarouge.
2. Électronique à grande vitesse :En raison de leur grande mobilité électronique, les plaquettes InSb sont utilisées dans les dispositifs électroniques à grande vitesse tels que les transistors haute fréquence, les dispositifs à puits quantiques et les transistors à haute mobilité électronique (HEMT).
3. Dispositifs à puits quantiques :Grâce à leur étroite bande interdite et à leur excellente mobilité électronique, les plaquettes d'InSb sont idéales pour les dispositifs à puits quantiques. Ces dispositifs sont des composants clés des lasers, des détecteurs et d'autres systèmes optoélectroniques.
4. Dispositifs spintroniques :L'InSb est également exploré dans les applications spintroniques, où le spin des électrons est utilisé pour le traitement de l'information. Le faible couplage spin-orbite de ce matériau le rend idéal pour ces dispositifs hautes performances.
5. Applications du rayonnement térahertz (THz) :Les dispositifs à base d'InSb sont utilisés dans les applications de rayonnement THz, notamment la recherche scientifique, l'imagerie et la caractérisation des matériaux. Ils permettent des technologies avancées telles que la spectroscopie THz et les systèmes d'imagerie THz.
6.Dispositifs thermoélectriques :Les propriétés uniques de l'InSb en font un matériau attrayant pour les applications thermoélectriques, où il peut être utilisé pour convertir efficacement la chaleur en électricité, en particulier dans des applications de niche comme la technologie spatiale ou la production d'électricité dans des environnements extrêmes.
Paramètres du produit
| Paramètre | 2 pouces | 3 pouces | 4 pouces |
| Diamètre | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Épaisseur | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Surface | Poli/Gravé | Poli/Gravé | Poli/Gravé |
| Type de dopage | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) |
| Orientation | (100) | (100) | (100) |
| Emballer | Célibataire | Célibataire | Célibataire |
| Prêt pour l'épidémiologie | Oui | Oui | Oui |
Paramètres électriques pour le Te dopé (type N) :
- Mobilité: 2000-5000 cm²/V·s
- Résistivité: (1-1000) Ω·cm
- EPD (densité des défauts): ≤2000 défauts/cm²
Paramètres électriques pour le Ge dopé (type P) :
- Mobilité: 4000-8000 cm²/V·s
- Résistivité: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (densité des défauts): ≤2000 défauts/cm²
Conclusion
Les plaquettes d'antimoniure d'indium (InSb) sont un matériau essentiel pour un large éventail d'applications hautes performances dans les domaines de l'électronique, de l'optoélectronique et des technologies infrarouges. Grâce à leur excellente mobilité électronique, leur faible couplage spin-orbite et leurs nombreuses options de dopage (Te pour le type N, Ge pour le type P), les plaquettes d'InSb sont idéales pour des dispositifs tels que les détecteurs infrarouges, les transistors haute vitesse, les dispositifs à puits quantiques et les dispositifs spintroniques.
Les plaquettes sont disponibles en différentes tailles (2 pouces, 3 pouces et 4 pouces), avec un contrôle précis de l'épaisseur et des surfaces prêtes pour l'épitaxie, garantissant ainsi leur conformité aux exigences rigoureuses de la fabrication moderne des semi-conducteurs. Ces plaquettes sont idéales pour des applications dans des domaines tels que la détection infrarouge, l'électronique haute vitesse et le rayonnement THz, permettant ainsi le développement de technologies de pointe dans la recherche, l'industrie et la défense.
Diagramme détaillé
