Plaquettes d'antimoniure d'indium (InSb) de type N ou P, prêtes pour l'épitaxie, non dopées, dopées au Te ou au Ge, d'une épaisseur de 2, 3 ou 4 pouces.
Caractéristiques
Options de dopage :
1. Non dopé :Ces plaquettes sont exemptes de tout agent dopant, ce qui les rend idéales pour des applications spécialisées telles que la croissance épitaxiale.
2. Dopé au tellure (type N) :Le dopage au tellure (Te) est couramment utilisé pour créer des plaquettes de type N, qui sont idéales pour des applications telles que les détecteurs infrarouges et l'électronique à grande vitesse.
3. Dopé au Ge (type P) :Le dopage au germanium (Ge) est utilisé pour créer des plaquettes de type P, offrant une mobilité des trous élevée pour les applications semi-conductrices avancées.
Options de taille :
1. Disponibles en diamètres de 2, 3 et 4 pouces, ces plaquettes répondent à différents besoins technologiques, de la recherche et du développement à la production à grande échelle.
2. Des tolérances de diamètre précises assurent la cohérence entre les lots, avec des diamètres de 50,8 ± 0,3 mm (pour les plaquettes de 2 pouces) et de 76,2 ± 0,3 mm (pour les plaquettes de 3 pouces).
Contrôle de l'épaisseur :
1.Les plaquettes sont disponibles avec une épaisseur de 500±5μm pour des performances optimales dans diverses applications.
2. Des mesures supplémentaires telles que TTV (variation totale d'épaisseur), BOW et chaîne sont soigneusement contrôlées pour garantir une uniformité et une qualité élevées.
Qualité de surface :
1. Les plaquettes sont livrées avec une surface polie/gravée pour des performances optiques et électriques améliorées.
2. Ces surfaces sont idéales pour la croissance épitaxiale, offrant une base lisse pour un traitement ultérieur dans des dispositifs haute performance.
Epi-Ready :
1. Les plaquettes d'InSb sont prêtes pour l'épitaxie, c'est-à-dire qu'elles sont prétraitées pour les procédés de dépôt épitaxial. Cela les rend idéales pour les applications de fabrication de semi-conducteurs où des couches épitaxiales doivent être déposées sur la plaquette.
Applications
1. Détecteurs infrarouges :Les plaquettes d'InSb sont couramment utilisées en détection infrarouge (IR), notamment dans le domaine de l'infrarouge moyen (MWIR). Elles sont essentielles pour les applications de vision nocturne, d'imagerie thermique et de spectroscopie infrarouge.
2. Électronique à haute vitesse :Grâce à leur mobilité électronique élevée, les plaquettes d'InSb sont utilisées dans des dispositifs électroniques à grande vitesse tels que les transistors à haute fréquence, les dispositifs à puits quantiques et les transistors à haute mobilité électronique (HEMT).
3. Dispositifs à puits quantiques :La faible largeur de bande interdite et l'excellente mobilité électronique des plaquettes d'InSb les rendent particulièrement adaptées aux dispositifs à puits quantiques. Ces dispositifs sont des composants essentiels des lasers, des détecteurs et d'autres systèmes optoélectroniques.
4. Dispositifs spintroniques :L'InSb est également étudié pour des applications spintroniques, où le spin de l'électron est utilisé pour le traitement de l'information. Son faible couplage spin-orbite le rend idéal pour ces dispositifs hautes performances.
5. Applications du rayonnement térahertz (THz) :Les dispositifs à base d'InSb sont utilisés dans les applications du rayonnement THz, notamment la recherche scientifique, l'imagerie et la caractérisation des matériaux. Ils permettent des technologies avancées telles que la spectroscopie THz et les systèmes d'imagerie THz.
6. Dispositifs thermoélectriques :Les propriétés uniques de l'InSb en font un matériau attractif pour les applications thermoélectriques, où il peut être utilisé pour convertir efficacement la chaleur en électricité, notamment dans des applications de niche comme la technologie spatiale ou la production d'énergie dans des environnements extrêmes.
Paramètres du produit
| Paramètre | 2 pouces | 3 pouces | 4 pouces |
| Diamètre | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Épaisseur | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm | - |
| Surface | Poli/Gravé | Poli/Gravé | Poli/Gravé |
| Type de dopage | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) |
| Orientation | (100) | (100) | (100) |
| Emballer | Célibataire | Célibataire | Célibataire |
| Epi-Ready | Oui | Oui | Oui |
Paramètres électriques pour le dopage au tellure (type N) :
- Mobilité: 2000-5000 cm²/V·s
- Résistivité: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Densité de défauts): ≤2000 défauts/cm²
Paramètres électriques du Ge dopé (type P) :
- Mobilité: 4000-8000 cm²/V·s
- Résistivité: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Densité de défauts): ≤2000 défauts/cm²
Conclusion
Les plaquettes d'antimoniure d'indium (InSb) sont un matériau essentiel pour de nombreuses applications hautes performances dans les domaines de l'électronique, de l'optoélectronique et des technologies infrarouges. Grâce à leur excellente mobilité électronique, leur faible couplage spin-orbite et la variété des options de dopage (Te pour le type N, Ge pour le type P), les plaquettes d'InSb sont idéales pour la fabrication de dispositifs tels que les détecteurs infrarouges, les transistors à haute vitesse, les dispositifs à puits quantiques et les dispositifs spintroniques.
Ces plaquettes sont disponibles en différentes tailles (2, 3 et 4 pouces), avec un contrôle précis de l'épaisseur et des surfaces prêtes pour l'épitaxie, garantissant ainsi leur conformité aux exigences rigoureuses de la fabrication moderne de semi-conducteurs. Elles sont parfaitement adaptées aux applications dans des domaines tels que la détection infrarouge, l'électronique à haute vitesse et le rayonnement THz, permettant le développement de technologies de pointe dans la recherche, l'industrie et la défense.
Diagramme détaillé
