Les réseaux de photodétecteurs PD Array à substrat de plaquette épitaxiale InGaAs peuvent être utilisés pour le LiDAR

Brève description :

Le film épitaxial InGaAs fait référence à un matériau de film mince monocristallin d'indium et de gallium (InGaAs) formé par la technologie de croissance épitaxiale sur un substrat spécifique. Les substrats épitaxiaux InGaAs courants sont le phosphure d'indium (InP) et l'arséniure de gallium (GaAs). Ces matériaux de substrat ont une bonne qualité cristalline et une bonne stabilité thermique, ce qui peut constituer un excellent substrat pour la croissance de couches épitaxiales d'InGaAs.
Le PD Array (Photodetector Array) est un réseau de plusieurs photodétecteurs capables de détecter plusieurs signaux optiques simultanément. La feuille épitaxiale issue du MOCVD est principalement utilisée dans les diodes de photodétection, la couche d'absorption est composée de U-InGaAs, le dopage de fond est <5E14 et le Zn diffusé peut être complété par le client ou Epihouse. Les comprimés épitaxiaux ont été analysés par mesures PL, XRD et ECV.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser InGaAs comprennent

1. Correspondance de réseau : une bonne correspondance de réseau peut être obtenue entre la couche épitaxiale InGaAs et le substrat InP ou GaAs, réduisant ainsi la densité de défauts de la couche épitaxiale et améliorant les performances du dispositif.
2. Bande interdite réglable : La bande interdite du matériau InGaAs peut être obtenue en ajustant la proportion de composants In et Ga, ce qui permet à la feuille épitaxiale InGaAs d'avoir un large éventail de perspectives d'application dans les dispositifs optoélectroniques.
3. Haute photosensibilité : le film épitaxial InGaAs a une haute sensibilité à la lumière, ce qui le rend dans le domaine de la détection photoélectrique, de la communication optique et d'autres avantages uniques.
4. Stabilité à haute température : la structure épitaxiale InGaAs/InP a une excellente stabilité à haute température et peut maintenir des performances stables de l'appareil à haute température.

Les principales applications des comprimés épitaxiaux laser InGaAs comprennent

1. Dispositifs optoélectroniques : les tablettes épitaxiales InGaAs peuvent être utilisées pour fabriquer des photodiodes, des photodétecteurs et d'autres dispositifs optoélectroniques, qui ont un large éventail d'applications dans les communications optiques, la vision nocturne et d'autres domaines.

2. Lasers : Les feuilles épitaxiales InGaAs peuvent également être utilisées pour fabriquer des lasers, en particulier des lasers à longue longueur d'onde, qui jouent un rôle important dans les communications par fibre optique, le traitement industriel et d'autres domaines.

3. Cellules solaires : le matériau InGaAs a une large plage de réglage de la bande interdite, qui peut répondre aux exigences de bande interdite requises par les cellules photovoltaïques thermiques, de sorte que la feuille épitaxiale InGaAs a également un certain potentiel d'application dans le domaine des cellules solaires.

4. Imagerie médicale : Dans les équipements d’imagerie médicale (tels que CT, IRM, etc.), pour la détection et l’imagerie.

5. Réseau de capteurs : dans la surveillance environnementale et la détection de gaz, plusieurs paramètres peuvent être surveillés simultanément.

6. Automatisation industrielle : utilisée dans les systèmes de vision industrielle pour surveiller l'état et la qualité des objets sur la ligne de production.

À l’avenir, les propriétés matérielles du substrat épitaxial InGaAs continueront de s’améliorer, notamment en améliorant l’efficacité de la conversion photoélectrique et en réduisant les niveaux de bruit. Cela rendra le substrat épitaxial InGaAs plus largement utilisé dans les dispositifs optoélectroniques et les performances seront plus excellentes. Dans le même temps, le processus de préparation sera également continuellement optimisé pour réduire les coûts et améliorer l’efficacité, afin de répondre aux besoins d’un marché plus vaste.

En général, le substrat épitaxial InGaAs occupe une position importante dans le domaine des matériaux semi-conducteurs avec ses caractéristiques uniques et ses larges perspectives d'application.

XKH propose des personnalisations de feuilles épitaxiales InGaAs avec différentes structures et épaisseurs, couvrant une large gamme d'applications pour les dispositifs optoélectroniques, les lasers et les cellules solaires. Les produits XKH sont fabriqués avec des équipements MOCVD avancés pour garantir des performances et une fiabilité élevées. En termes de logistique, XKH dispose d'un large éventail de canaux d'approvisionnement internationaux, capables de gérer de manière flexible le nombre de commandes et de fournir des services à valeur ajoutée tels que le raffinement et la segmentation. Des processus de livraison efficaces garantissent une livraison à temps et répondent aux exigences des clients en matière de qualité et de délais de livraison.