Les réseaux de photodétecteurs PD à substrat épitaxial InGaAs peuvent être utilisés pour le LiDAR
Les principales caractéristiques de la feuille épitaxiale laser InGaAs comprennent
1. Adaptation du réseau : une bonne adaptation du réseau peut être obtenue entre la couche épitaxiale InGaAs et le substrat InP ou GaAs, réduisant ainsi la densité de défauts de la couche épitaxiale et améliorant les performances du dispositif.
2. Bande interdite réglable : la bande interdite du matériau InGaAs peut être obtenue en ajustant la proportion des composants In et Ga, ce qui permet à la feuille épitaxiale InGaAs d'avoir une large gamme de perspectives d'application dans les dispositifs optoélectroniques.
3. Haute photosensibilité : le film épitaxial InGaAs a une sensibilité élevée à la lumière, ce qui le place dans le domaine de la détection photoélectrique, de la communication optique et d'autres avantages uniques.
4. Stabilité à haute température : la structure épitaxiale InGaAs/InP présente une excellente stabilité à haute température et peut maintenir des performances stables du dispositif à des températures élevées.
Les principales applications des comprimés épitaxiaux laser InGaAs comprennent
1. Dispositifs optoélectroniques : les comprimés épitaxiaux InGaAs peuvent être utilisés pour fabriquer des photodiodes, des photodétecteurs et d'autres dispositifs optoélectroniques, qui ont une large gamme d'applications dans la communication optique, la vision nocturne et d'autres domaines.
2. Lasers : les feuilles épitaxiales InGaAs peuvent également être utilisées pour fabriquer des lasers, en particulier des lasers à longue longueur d'onde, qui jouent un rôle important dans les communications par fibre optique, le traitement industriel et d'autres domaines.
3. Cellules solaires : le matériau InGaAs a une large plage de réglage de la bande interdite, qui peut répondre aux exigences de bande interdite requises par les cellules photovoltaïques thermiques, de sorte que la feuille épitaxiale InGaAs a également un certain potentiel d'application dans le domaine des cellules solaires.
4. Imagerie médicale : Dans les équipements d'imagerie médicale (tels que CT, IRM, etc.), pour la détection et l'imagerie.
5. Réseau de capteurs : dans la surveillance environnementale et la détection de gaz, plusieurs paramètres peuvent être surveillés simultanément.
6. Automatisation industrielle : utilisée dans les systèmes de vision industrielle pour surveiller l'état et la qualité des objets sur la ligne de production.
À l'avenir, les propriétés matérielles du substrat épitaxial InGaAs continueront de s'améliorer, notamment en termes d'efficacité de conversion photoélectrique et de réduction du bruit. L'utilisation du substrat épitaxial InGaAs dans les dispositifs optoélectroniques se généralisera, et ses performances seront encore meilleures. Parallèlement, le processus de préparation sera continuellement optimisé afin de réduire les coûts et d'améliorer l'efficacité, afin de répondre aux besoins d'un marché plus vaste.
En général, le substrat épitaxial InGaAs occupe une position importante dans le domaine des matériaux semi-conducteurs avec ses caractéristiques uniques et ses larges perspectives d'application.
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Diagramme détaillé
