Plaquette InSb 2 pouces 3 pouces non dopée type N type P orientation 111 100 pour détecteurs infrarouges
Caractéristiques
Options de dopage :
1. Non dopé :Ces plaquettes sont exemptes de tout agent dopant et sont principalement utilisées pour des applications spécialisées telles que la croissance épitaxiale, où la plaquette agit comme un substrat pur.
2. Type N (dopé au Te) :Le dopage au tellure (Te) est utilisé pour créer des plaquettes de type N, offrant une mobilité électronique élevée et les rendant adaptées aux détecteurs infrarouges, à l'électronique à grande vitesse et à d'autres applications nécessitant un flux d'électrons efficace.
3. Type P (dopé Ge) :Le dopage au germanium (Ge) est utilisé pour créer des plaquettes de type P, offrant une mobilité élevée des trous et d'excellentes performances pour les capteurs infrarouges et les photodétecteurs.
Options de taille :
1. Les plaquettes sont disponibles en diamètres de 2 et 3 pouces, ce qui garantit leur compatibilité avec divers procédés et dispositifs de fabrication de semi-conducteurs.
2. La plaquette de 2 pouces a un diamètre de 50,8 ± 0,3 mm, tandis que la plaquette de 3 pouces a un diamètre de 76,2 ± 0,3 mm.
Orientation:
1. Les plaquettes sont disponibles avec des orientations de 100 et 111. L'orientation 100 est idéale pour l'électronique à grande vitesse et les détecteurs infrarouges, tandis que l'orientation 111 est fréquemment utilisée pour les dispositifs nécessitant des propriétés électriques ou optiques spécifiques.
Qualité de surface :
1. Ces plaquettes sont dotées de surfaces polies/gravées pour une excellente qualité, permettant des performances optimales dans les applications nécessitant des caractéristiques optiques ou électriques précises.
2. La préparation de surface garantit une faible densité de défauts, ce qui rend ces plaquettes idéales pour les applications de détection infrarouge où la cohérence des performances est essentielle.
Epi-Ready :
1. Ces plaquettes sont prêtes pour l'épitaxie, ce qui les rend adaptées aux applications impliquant une croissance épitaxiale où des couches supplémentaires de matériau seront déposées sur la plaquette pour la fabrication avancée de semi-conducteurs ou de dispositifs optoélectroniques.
Applications
1. Détecteurs infrarouges :Les plaquettes d'InSb sont largement utilisées dans la fabrication de détecteurs infrarouges, notamment dans l'infrarouge moyen (MWIR). Elles sont essentielles aux systèmes de vision nocturne, à l'imagerie thermique et aux applications militaires.
2. Systèmes d'imagerie infrarouge :La haute sensibilité des plaquettes InSb permet une imagerie infrarouge précise dans divers secteurs, notamment la sécurité, la surveillance et la recherche scientifique.
3. Électronique à grande vitesse :En raison de leur grande mobilité électronique, ces plaquettes sont utilisées dans des dispositifs électroniques avancés tels que les transistors à grande vitesse et les dispositifs optoélectroniques.
4. Dispositifs à puits quantiques :Les plaquettes InSb sont idéales pour les applications de puits quantiques dans les lasers, les détecteurs et autres systèmes optoélectroniques.
Paramètres du produit
| Paramètre | 2 pouces | 3 pouces |
| Diamètre | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm |
| Épaisseur | 500±5μm | 650±5μm |
| Surface | Poli/Gravé | Poli/Gravé |
| Type de dopage | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) |
| Orientation | 100, 111 | 100, 111 |
| Emballer | Célibataire | Célibataire |
| Prêt pour l'épidémiologie | Oui | Oui |
Paramètres électriques pour le Te dopé (type N):
- Mobilité: 2000-5000 cm²/V·s
- Résistivité: (1-1000) Ω·cm
- EPD (densité des défauts): ≤2000 défauts/cm²
Paramètres électriques du Ge dopé (type P):
- Mobilité: 4000-8000 cm²/V·s
- Résistivité: (0,5-5) Ω·cm
EPD (densité des défauts): ≤2000 défauts/cm²
Questions et réponses (Foire aux questions)
Q1 : Quel est le type de dopage idéal pour les applications de détection infrarouge ?
A1 :dopé au Te (type N)Les plaquettes sont généralement le choix idéal pour les applications de détection infrarouge, car elles offrent une mobilité électronique élevée et d'excellentes performances dans les détecteurs infrarouges à longueur d'onde moyenne (MWIR) et les systèmes d'imagerie.
Q2 : Puis-je utiliser ces plaquettes pour des applications électroniques à grande vitesse ?
A2 : Oui, les plaquettes InSb, en particulier celles avecdopage de type Net le100 orientation, sont bien adaptés à l'électronique à grande vitesse telle que les transistors, les dispositifs à puits quantiques et les composants optoélectroniques en raison de leur grande mobilité électronique.
Q3 : Quelles sont les différences entre les orientations 100 et 111 pour les plaquettes InSb ?
A3 : Le100L'orientation est couramment utilisée pour les appareils nécessitant des performances électroniques à grande vitesse, tandis que111L'orientation est souvent utilisée pour des applications spécifiques qui nécessitent des caractéristiques électriques ou optiques différentes, y compris certains dispositifs et capteurs optoélectroniques.
Q4 : Quelle est l’importance de la fonctionnalité Epi-Ready pour les plaquettes InSb ?
A4 : LePrêt pour l'épidémiologieCette caractéristique signifie que la plaquette a été prétraitée pour les procédés de dépôt épitaxial. Ceci est crucial pour les applications nécessitant la croissance de couches de matériau supplémentaires sur la plaquette, comme dans la production de semi-conducteurs avancés ou de dispositifs optoélectroniques.
Q5 : Quelles sont les applications typiques des plaquettes InSb dans le domaine de la technologie infrarouge ?
A5 : Les plaquettes InSb sont principalement utilisées dans la détection infrarouge, l'imagerie thermique, les systèmes de vision nocturne et d'autres technologies de détection infrarouge. Leur haute sensibilité et leur faible bruit en font un matériau idéal.infrarouge à longueur d'onde moyenne (MWIR)détecteurs.
Q6 : Comment l’épaisseur de la plaquette affecte-t-elle ses performances ?
A6 : L’épaisseur de la plaquette joue un rôle essentiel dans sa stabilité mécanique et ses caractéristiques électriques. Les plaques plus fines sont souvent utilisées dans les applications plus sensibles nécessitant un contrôle précis des propriétés des matériaux, tandis que les plaques plus épaisses offrent une durabilité accrue pour certaines applications industrielles.
Q7 : Comment choisir la taille de plaquette appropriée pour mon application ?
A7 : La taille de plaquette appropriée dépend du dispositif ou du système conçu. Les plaquettes plus petites (2 pouces) sont souvent utilisées pour la recherche et les applications à petite échelle, tandis que les plaquettes plus grandes (3 pouces) sont généralement utilisées pour la production de masse et les dispositifs plus volumineux nécessitant davantage de matériaux.
Conclusion
Plaquettes InSb en2 pouceset3 poucestailles, avecnon dopé, type N, ettype Pvariations, sont très précieuses dans les applications de semi-conducteurs et d'optoélectronique, en particulier dans les systèmes de détection infrarouge.100et111Les orientations offrent une flexibilité pour répondre à divers besoins technologiques, de l'électronique haute vitesse aux systèmes d'imagerie infrarouge. Grâce à leur mobilité électronique exceptionnelle, leur faible bruit et leur qualité de surface précise, ces plaquettes sont idéales pourdétecteurs infrarouges à longueur d'onde moyenneet d'autres applications hautes performances.
Diagramme détaillé
