Plaquette InSb 2 pouces 3 pouces non dopée type N type P orientation 111 100 pour détecteurs infrarouges
Caractéristiques
Options de dopage :
1. Non dopé :Ces plaquettes sont exemptes de tout agent dopant et sont principalement utilisées pour des applications spécialisées telles que la croissance épitaxiale, où la plaquette sert de substrat pur.
2. Type N (dopé au tellure) :Le dopage au tellure (Te) est utilisé pour créer des plaquettes de type N, offrant une mobilité électronique élevée et les rendant adaptées aux détecteurs infrarouges, à l'électronique à grande vitesse et à d'autres applications nécessitant un flux d'électrons efficace.
3. Type P (dopé au Ge) :Le dopage au germanium (Ge) est utilisé pour créer des plaquettes de type P, offrant une mobilité des trous élevée et d'excellentes performances pour les capteurs infrarouges et les photodétecteurs.
Options de taille :
1. Les plaquettes sont disponibles en diamètres de 2 et 3 pouces. Cela garantit leur compatibilité avec divers procédés et dispositifs de fabrication de semi-conducteurs.
2. La plaquette de 2 pouces a un diamètre de 50,8 ± 0,3 mm, tandis que la plaquette de 3 pouces a un diamètre de 76,2 ± 0,3 mm.
Orientation:
1.Les plaquettes sont disponibles avec des orientations de 100 et 111. L'orientation 100 est idéale pour l'électronique à grande vitesse et les détecteurs infrarouges, tandis que l'orientation 111 est fréquemment utilisée pour les dispositifs nécessitant des propriétés électriques ou optiques spécifiques.
Qualité de surface :
1. Ces plaquettes sont dotées de surfaces polies/gravées pour une excellente qualité, permettant des performances optimales dans les applications exigeant des caractéristiques optiques ou électriques précises.
2. La préparation de surface garantit une faible densité de défauts, ce qui rend ces plaquettes idéales pour les applications de détection infrarouge où la constance des performances est essentielle.
Epi-Ready :
1. Ces plaquettes sont prêtes pour l'épitaxie, ce qui les rend adaptées aux applications impliquant une croissance épitaxiale où des couches supplémentaires de matériau seront déposées sur la plaquette pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ou optoélectroniques avancés.
Applications
1. Détecteurs infrarouges :Les plaquettes d'InSb sont largement utilisées dans la fabrication de détecteurs infrarouges, notamment dans le domaine de l'infrarouge moyen (MWIR). Elles sont essentielles pour les systèmes de vision nocturne, l'imagerie thermique et les applications militaires.
2. Systèmes d'imagerie infrarouge :La haute sensibilité des plaquettes d'InSb permet une imagerie infrarouge précise dans divers secteurs, notamment la sécurité, la surveillance et la recherche scientifique.
3. Électronique à haute vitesse :Grâce à leur mobilité électronique élevée, ces plaquettes sont utilisées dans des dispositifs électroniques avancés tels que les transistors à haute vitesse et les dispositifs optoélectroniques.
4. Dispositifs à puits quantiques :Les plaquettes d'InSb sont idéales pour les applications de puits quantiques dans les lasers, les détecteurs et autres systèmes optoélectroniques.
Paramètres du produit
| Paramètre | 2 pouces | 3 pouces |
| Diamètre | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm |
| Épaisseur | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm |
| Surface | Poli/Gravé | Poli/Gravé |
| Type de dopage | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) | Non dopé, dopé au Te (N), dopé au Ge (P) |
| Orientation | 100, 111 | 100, 111 |
| Emballer | Célibataire | Célibataire |
| Epi-Ready | Oui | Oui |
Paramètres électriques pour le dopé au Te (type N):
- Mobilité: 2000-5000 cm²/V·s
- Résistivité: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Densité de défauts): ≤2000 défauts/cm²
Paramètres électriques du germanium dopé (type P):
- Mobilité: 4000-8000 cm²/V·s
- Résistivité: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Densité de défauts): ≤2000 défauts/cm²
Questions et réponses (Foire aux questions)
Q1 : Quel est le type de dopage idéal pour les applications de détection infrarouge ?
A1 :Dopé au tellure (type N)Les plaquettes sont généralement le choix idéal pour les applications de détection infrarouge, car elles offrent une mobilité électronique élevée et d'excellentes performances dans les détecteurs infrarouges à longueur d'onde moyenne (MWIR) et les systèmes d'imagerie.
Q2 : Puis-je utiliser ces plaquettes pour des applications électroniques à grande vitesse ?
A2 : Oui, les plaquettes d’InSb, en particulier celles avecDopage de type Net le100 orientation, sont parfaitement adaptés à l'électronique à haute vitesse, comme les transistors, les dispositifs à puits quantiques et les composants optoélectroniques, en raison de leur mobilité électronique élevée.
Q3 : Quelles sont les différences entre les orientations 100 et 111 pour les plaquettes d'InSb ?
A3 : Le100L'orientation est couramment utilisée pour les dispositifs nécessitant des performances électroniques à haute vitesse, tandis que111L'orientation est souvent utilisée pour des applications spécifiques qui requièrent des caractéristiques électriques ou optiques différentes, notamment certains dispositifs et capteurs optoélectroniques.
Q4 : Quelle est l'importance de la fonctionnalité Epi-Ready pour les plaquettes d'InSb ?
A4 : LeEpi-ReadyCette caractéristique indique que la plaquette a subi un prétraitement en vue de procédés de dépôt épitaxial. Ceci est crucial pour les applications nécessitant la croissance de couches supplémentaires de matériau sur la plaquette, comme dans la production de semi-conducteurs ou de dispositifs optoélectroniques avancés.
Q5 : Quelles sont les applications typiques des plaquettes d'InSb dans le domaine de la technologie infrarouge ?
A5 : Les plaquettes d’InSb sont principalement utilisées dans la détection infrarouge, l’imagerie thermique, les systèmes de vision nocturne et d’autres technologies de détection infrarouge. Leur haute sensibilité et leur faible bruit les rendent idéales pour…infrarouge à longueur d'onde moyenne (MWIR)détecteurs.
Q6 : Comment l'épaisseur de la plaquette affecte-t-elle ses performances ?
A6 : L’épaisseur de la plaquette joue un rôle crucial dans sa stabilité mécanique et ses caractéristiques électriques. Les plaquettes plus fines sont souvent utilisées dans des applications plus sensibles où un contrôle précis des propriétés des matériaux est requis, tandis que les plaquettes plus épaisses offrent une durabilité accrue pour certaines applications industrielles.
Q7 : Comment choisir la taille de plaquette appropriée pour mon application ?
A7 : La taille appropriée de la plaquette dépend du dispositif ou du système spécifique conçu. Les plaquettes plus petites (2 pouces) sont souvent utilisées pour la recherche et les applications à petite échelle, tandis que les plaquettes plus grandes (3 pouces) sont généralement utilisées pour la production de masse et les dispositifs plus grands nécessitant davantage de matériau.
Conclusion
plaquettes d'InSb dans2 pouceset3 poucestailles, avecnon dopé, Type N, etType PCes variations sont très précieuses dans les applications semi-conductrices et optoélectroniques, notamment dans les systèmes de détection infrarouge.100et111Les orientations offrent une grande flexibilité pour répondre à divers besoins technologiques, de l'électronique à haute vitesse aux systèmes d'imagerie infrarouge. Grâce à leur mobilité électronique exceptionnelle, leur faible bruit et leur qualité de surface précise, ces plaquettes sont idéales pourdétecteurs infrarouges à longueur d'onde moyenneet d'autres applications à hautes performances.
Diagramme détaillé
