Substrats composites SiC de type N Dia6inch Substrat monocristallin de haute qualité et de faible qualité

La désignation « type N » fait référence au type de dopage utilisé dans les matériaux SiC. En physique des semi-conducteurs, le dopage implique l’introduction intentionnelle d’impuretés dans un semi-conducteur pour modifier ses propriétés électriques. Le dopage de type N introduit des éléments qui fournissent un excès d'électrons libres, donnant au matériau une concentration de porteurs de charge négative.

Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent :

1. Performances à haute température : le SiC a une conductivité thermique élevée et peut fonctionner à des températures élevées, ce qui le rend adapté aux applications électroniques à haute puissance et haute fréquence.

2. Tension de claquage élevée : les matériaux SiC ont une tension de claquage élevée, ce qui leur permet de résister à des champs électriques élevés sans panne électrique.

3. Résistance chimique et environnementale : le SiC est chimiquement résistant et peut résister à des conditions environnementales difficiles, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des applications difficiles.

4. Perte de puissance réduite : par rapport aux matériaux traditionnels à base de silicium, les substrats SiC permettent une conversion de puissance plus efficace et réduisent la perte de puissance dans les appareils électroniques.

5. Large bande interdite : le SiC possède une large bande interdite, permettant le développement de dispositifs électroniques pouvant fonctionner à des températures et des densités de puissance plus élevées.

Dans l'ensemble, les substrats composites SiC de type N offrent des avantages significatifs pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances, en particulier dans les applications où un fonctionnement à haute température, une densité de puissance élevée et une conversion de puissance efficace sont essentiels.