Substrats composites SiC de type N Dia6 pouces Monocristallin de haute qualité et substrat de faible qualité
Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type N
| 项目Articles | 指标Spécification | 项目Articles | 指标Spécification |
| 直径Diamètre | 150 ± 0,2 mm | 正 面 (硅面) 粗糙度 Rugosité de la face avant (Si-face) | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm x 5 μm) |
| 晶型Polytype | 4H | Éclat de bord, rayure, fissure (inspection visuelle) | Aucun |
| 电阻率Résistivité | 0,015-0,025 ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤ 3 μm |
| Épaisseur de la couche de transfert | ≥ 0,4 μm | 翘曲度Chaîne | ≤ 35 μm |
| 空洞Vide | ≤5 unités/plaquette (2 mm>D>0,5 mm) | 总厚度Épaisseur | 350±25μm |
La désignation « type N » fait référence au type de dopage utilisé dans les matériaux SiC. En physique des semi-conducteurs, le dopage consiste à introduire intentionnellement des impuretés dans un semi-conducteur afin d'en modifier les propriétés électriques. Le dopage de type N introduit des éléments qui fournissent un excès d'électrons libres, conférant au matériau une concentration négative de porteurs de charge.
Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent :
1. Performances à haute température : le SiC a une conductivité thermique élevée et peut fonctionner à des températures élevées, ce qui le rend adapté aux applications électroniques haute puissance et haute fréquence.
2. Tension de claquage élevée : les matériaux SiC ont une tension de claquage élevée, ce qui leur permet de résister à des champs électriques élevés sans claquage électrique.
3. Résistance chimique et environnementale : le SiC est chimiquement résistant et peut supporter des conditions environnementales difficiles, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des applications difficiles.
4. Perte de puissance réduite : par rapport aux matériaux traditionnels à base de silicium, les substrats SiC permettent une conversion de puissance plus efficace et réduisent la perte de puissance dans les appareils électroniques.
5. Large bande interdite : le SiC possède une large bande interdite, ce qui permet le développement de dispositifs électroniques pouvant fonctionner à des températures plus élevées et à des densités de puissance plus élevées.
Dans l’ensemble, les substrats composites SiC de type N offrent des avantages significatifs pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances, en particulier dans les applications où un fonctionnement à haute température, une densité de puissance élevée et une conversion de puissance efficace sont essentielles.