Substrats composites SiC de type N, diamètre 6 pouces, monocristallins de haute qualité et substrats de basse qualité
Substrats composites SiC de type N - Tableau des paramètres communs
| 项目Articles | 指标Spécification | 项目Articles | 指标Spécification |
| 直径Diamètre | 150 ± 0,2 mm | 正 面 (硅面) 粗糙度 rugosité de la face avant (Si) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Polytype | 4H | Ébréchure, rayure, fissure (inspection visuelle) | Aucun |
| 电阻率Résistivité | 0,015-0,025 ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Épaisseur de la couche de transfert | ≥0,4 μm | 翘曲度Chaîne | ≤35μm |
| 空洞Vide | ≤5 unités/plaquette (2 mm > D > 0,5 mm) | 总厚度Épaisseur | 350 ± 25 μm |
La désignation « type N » fait référence au type de dopage utilisé dans les matériaux SiC. En physique des semi-conducteurs, le dopage consiste à introduire intentionnellement des impuretés dans un semi-conducteur afin d'en modifier les propriétés électriques. Le dopage de type N introduit des éléments qui fournissent un excès d'électrons libres, conférant ainsi au matériau une concentration de porteurs de charge négative.
Les avantages des substrats composites SiC de type N sont les suivants :
1. Performances à haute température : le SiC possède une conductivité thermique élevée et peut fonctionner à des températures élevées, ce qui le rend adapté aux applications électroniques haute puissance et haute fréquence.
2. Tension de claquage élevée : les matériaux SiC ont une tension de claquage élevée, ce qui leur permet de résister à des champs électriques élevés sans claquage électrique.
3. Résistance chimique et environnementale : le SiC est chimiquement résistant et peut supporter des conditions environnementales difficiles, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des applications exigeantes.
4. Réduction des pertes de puissance : Comparés aux matériaux traditionnels à base de silicium, les substrats SiC permettent une conversion de puissance plus efficace et réduisent les pertes de puissance dans les appareils électroniques.
5. Large bande interdite : Le SiC possède une large bande interdite, permettant le développement de dispositifs électroniques capables de fonctionner à des températures et des densités de puissance plus élevées.
Globalement, les substrats composites SiC de type N offrent des avantages significatifs pour le développement de dispositifs électroniques haute performance, notamment dans les applications où le fonctionnement à haute température, la densité de puissance élevée et la conversion de puissance efficace sont essentiels.