SiC de type N sur substrats composites Si de 6 pouces de diamètre

等级Grade

U

P级

D级

Faible grade de trouble de la personnalité limite

Qualité de production

Note fictive

直径Diamètre

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Épaisseur

500 μm±25 μm

晶photo方向Orientation des plaquettes

Hors axe : 4,0° vers < 11-20 > ±0,5° pour 4H-N Sur axe : <0001>±0,5° pour 4H-SI

主定位边方向Appartement principal

{10-10}±5,0°

主定位边长度Longueur plate principale

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Exclusion des bords

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错Troubles de personnalité multifactorielle et trouble de la personnalité limite

MPD ≤ 1 cm-2

MPD ≤ 5 cm-2

MPD ≤ 15 cm-2

BPD ≤ 1000 cm-2

电阻率Résistivité

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rugosité

Polonais Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Aucun

Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur simple ≤ 2 mm

Fissures dues à une lumière de haute intensité

六方空洞（强光灯观测）*

Surface cumulée ≤1%

Surface cumulée ≤ 5 %

Plaques hexagonales par lumière de haute intensité

多型(强光灯观测)*

Aucun

Surface cumulée ≤ 5 %

Zones de polytypie par lumière de haute intensité

划痕(强光灯观测)*&

3 rayures sur 1 × le diamètre de la plaquette

5 rayures sur 1 × le diamètre de la plaquette

Rayures causées par une lumière de haute intensité

longueur cumulée

longueur cumulée

崩边# Puce de bord

Aucun

5 autorisés, ≤ 1 mm chacun

表面污染物（强光灯观测）

Aucun

Contamination par une lumière de haute intensité