SiC de type N sur substrats composites Si Dia6inch

等级Grade

U

P级

D级

Faible niveau de trouble borderline

Qualité de production

Qualité factice

直径Diamètre

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Épaisseur

500 μm ± 25 μm

晶photo方向Orientation de la plaquette

Hors axe : 4.0°vers < 11-20 > ±0.5°pour 4H-N Sur axe : <0001>±0.5°pour 4H-SI

主定位边方向Appartement principal

{10-10}±5,0°

主定位边长度Longueur à plat primaire

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Exclusion de bord

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD et BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

DBP≤1000cm-2

电阻率Résistivité

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rugosité

Polonais Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Aucun

Longueur cumulée ≤10 mm, longueur unique≤2 mm

Fissures causées par une lumière de haute intensité

六方空洞（强光灯观测）*

Superficie cumulée ≤1%

Superficie cumulée ≤5%

Plaques hexagonales par lumière haute intensité

多型(强光灯观测)*

Aucun

Superficie cumulée≤5 %

Zones polytypes par lumière de haute intensité

划痕(强光灯观测)*&

3 rayures sur 1 × diamètre de plaquette

5 rayures sur 1 × diamètre de plaquette

Rayures causées par une lumière de haute intensité

longueur cumulée

longueur cumulée

崩边# Puce de bord

Aucun

5 autorisés, ≤1 mm chacun

表面污染物（强光灯观测）

Aucun

Contamination par une lumière de haute intensité