SiC de type N sur substrats composites Si de 6 pouces de diamètre

等级Grade

U

P级

D级

Grade BPD faible

Qualité de production

Niveau factice

直径Diamètre

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Épaisseur

500 μm ± 25 μm

晶photo方向Orientation de la plaquette

Hors axe : 4,0° vers < 11-20 > ±0,5° pour 4H-N ; sur axe : <0001> ±0,5° pour 4H-SI

主定位边方向Appartement principal

{10-10}±5,0°

主定位边长度Longueur à plat primaire

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Exclusion de bord

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD et BPD

MPD ≤ 1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD ≤ 15 cm-2

BPD ≤ 1000 cm-2

电阻率Résistivité

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rugosité

Ra polonais ≤ 1 nm

CMP Ra ≤ 0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Aucun

Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm

Fissures dues à une lumière de haute intensité

六方空洞（强光灯观测）*

Surface cumulée ≤1%

Surface cumulée ≤5%

Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité

多型(强光灯观测)*

Aucun

Surface cumulée ≤ 5 %

Zones polytypiques éclairées par une lumière de haute intensité

划痕(强光灯观测)*&

3 rayures pour 1× diamètre de la plaquette

5 rayures pour 1× diamètre de la plaquette

Rayures dues à une lumière intense

longueur cumulée

longueur cumulée

崩边# Puce Edge

Aucun

5 autorisés, ≤1 mm chacun

表面污染物（强光灯观测）

Aucun

Contamination par une lumière de haute intensité