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Céramiques en carbure de silicium vs. semi-conducteurs en carbure de silicium : un même matériau, deux destins distincts
Le carbure de silicium (SiC) est un composé remarquable que l'on retrouve à la fois dans l'industrie des semi-conducteurs et dans les céramiques techniques. Cette présence engendre souvent une confusion chez le grand public, qui peut les considérer comme un seul et même produit. En réalité, bien que partageant une composition chimique identique, le SiC présente des propriétés différentes…En savoir plus -
Progrès dans les technologies de préparation de céramiques en carbure de silicium de haute pureté
Les céramiques en carbure de silicium (SiC) de haute pureté se sont imposées comme des matériaux idéaux pour les composants critiques des industries des semi-conducteurs, de l'aérospatiale et de la chimie, grâce à leur conductivité thermique exceptionnelle, leur stabilité chimique et leur résistance mécanique. Face à la demande croissante de composants haute performance à faible polarisation…En savoir plus -
Principes techniques et procédés de fabrication des plaquettes épitaxiales pour LED
Le principe de fonctionnement des LED montre clairement que le matériau de la plaquette épitaxiale est l'élément central. En effet, les principaux paramètres optoélectroniques, tels que la longueur d'onde, la luminosité et la tension directe, sont largement déterminés par ce matériau. La technologie et les équipements de fabrication des plaquettes épitaxiales…En savoir plus -
Considérations clés pour la préparation de monocristaux de carbure de silicium de haute qualité
Les principales méthodes de préparation de monocristaux de silicium comprennent : le transport physique en phase vapeur (PVT), la croissance en solution à germe supérieur (TSSG) et le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HT-CVD). Parmi celles-ci, la méthode PVT est largement utilisée dans la production industrielle en raison de la simplicité de son équipement et de sa facilité de mise en œuvre.En savoir plus -
Niobate de lithium sur isolant (LNOI) : un moteur de progrès pour les circuits intégrés photoniques
Introduction Inspiré par le succès des circuits intégrés électroniques (CIE), le domaine des circuits intégrés photoniques (PIC) n'a cessé d'évoluer depuis sa création en 1969. Cependant, contrairement aux CIE, le développement d'une plateforme universelle capable de prendre en charge diverses applications photoniques reste un défi…En savoir plus -
Considérations clés pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualité
Considérations clés pour la production de monocristaux de carbure de silicium (SiC) de haute qualité Les principales méthodes de croissance de monocristaux de carbure de silicium comprennent le transport physique en phase vapeur (PVT), la croissance en solution à germe supérieur (TSSG) et la croissance chimique à haute température...En savoir plus -
Technologie de plaquettes épitaxiales LED de nouvelle génération : l’avenir de l’éclairage
Les LED illuminent notre monde, et au cœur de chaque LED haute performance se trouve la plaquette épitaxiale — un composant essentiel qui détermine sa luminosité, sa couleur et son efficacité. En maîtrisant la science de la croissance épitaxiale, ...En savoir plus -
La fin d'une ère ? La faillite de Wolfspeed redessine le paysage du SiC
La faillite de Wolfspeed marque un tournant majeur pour l'industrie des semi-conducteurs SiC. Wolfspeed, leader historique de la technologie du carbure de silicium (SiC), a déposé le bilan cette semaine, un événement qui marque un tournant important dans le paysage mondial des semi-conducteurs SiC. L'entreprise…En savoir plus -
Analyse approfondie de la formation des contraintes dans le quartz fondu : causes, mécanismes et effets
1. Contraintes thermiques lors du refroidissement (cause principale) Le quartz fondu génère des contraintes sous des conditions de température non uniformes. À une température donnée, la structure atomique du quartz fondu atteint une configuration spatiale relativement « optimale ». Lorsque la température varie, la structure atomique…En savoir plus -
Guide complet des plaquettes de carbure de silicium/plaquettes de SiC
Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) sont devenues le substrat de choix pour l'électronique haute puissance, haute fréquence et haute température dans les secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et de l'aérospatiale. Notre gamme de produits couvre les principaux polytypes…En savoir plus -
Présentation générale des techniques de dépôt de couches minces : MOCVD, pulvérisation cathodique magnétronique et PECVD
Dans la fabrication de semi-conducteurs, si la photolithographie et la gravure sont les procédés les plus fréquemment cités, les techniques de dépôt épitaxial ou de couches minces sont tout aussi cruciales. Cet article présente plusieurs méthodes courantes de dépôt de couches minces utilisées dans la fabrication de puces, notamment le MOCVD, le dépôt magnétique…En savoir plus -
Tubes de protection en saphir pour thermocouples : Amélioration de la précision de la détection de température dans les environnements industriels difficiles
1. Mesure de la température – Pilier du contrôle industriel. Dans les industries modernes opérant dans des conditions de plus en plus complexes et extrêmes, une surveillance précise et fiable de la température est devenue essentielle. Parmi les différentes technologies de détection, les thermocouples sont largement utilisés grâce à…En savoir plus