Résumé de la plaquette de SiC
Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) sont devenues le substrat de choix pour l'électronique haute puissance, haute fréquence et haute température dans les secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et de l'aérospatiale. Notre gamme couvre les principaux polytypes et schémas de dopage : 4H dopé à l'azote (4H-N), semi-isolant haute pureté (HPSI), 3C dopé à l'azote (3C-N) et 4H/6H de type p (4H/6H-P). Elles sont proposées en trois qualités : PRIME (substrats entièrement polis, de qualité pour les composants), DUMMY (rodés ou non polis pour les essais de procédés) et RESEARCH (couches épitaxiales et profils de dopage personnalisés pour la R&D). Les diamètres des plaquettes varient de 2 po, 4 po, 6 po, 8 po et 12 po, adaptés aux outils traditionnels comme aux usines de fabrication avancées. Nous fournissons également des boules monocristallines et des germes cristallins précisément orientés pour soutenir la croissance cristalline en interne.
Nos plaquettes 4H-N présentent des densités de porteurs de charge de 1×10¹⁶ à 1×10¹⁹ cm⁻³ et des résistivités de 0,01 à 10 Ω·cm, offrant une excellente mobilité électronique et des champs de claquage supérieurs à 2 MV/cm, idéaux pour les diodes Schottky, les MOSFET et les JFET. Les substrats HPSI dépassent une résistivité de 1×10¹² Ω·cm avec des densités de microtubes inférieures à 0,1 cm⁻², garantissant ainsi des fuites minimales pour les dispositifs RF et micro-ondes. Le 3C-N cubique, disponible aux formats 2″ et 4″, permet l'hétéroépitaxie sur silicium et prend en charge de nouvelles applications photoniques et MEMS. Les plaquettes 4H/6H-P de type P, dopées à l'aluminium à 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, facilitent les architectures de dispositifs complémentaires.
Les plaquettes PRIME subissent un polissage chimico-mécanique pour atteindre une rugosité de surface < 0,2 nm RMS, une variation d'épaisseur totale inférieure à 3 µm et une courbure < 10 µm. Les substrats DUMMY accélèrent les tests d'assemblage et de packaging, tandis que les plaquettes RESEARCH présentent des épaisseurs de couche épitaxiale de 2 à 30 µm et un dopage sur mesure. Tous les produits sont certifiés par diffraction des rayons X (courbe de bascule < 30 secondes d'arc) et spectroscopie Raman, avec des tests électriques (mesures Hall, profilage CV et balayage de microtubes) garantissant la conformité aux normes JEDEC et SEMI.
Des boules jusqu'à 150 mm de diamètre sont cultivées par PVT et CVD avec des densités de dislocations inférieures à 1 × 10³ cm⁻² et un faible nombre de micropipes. Les cristaux germes sont coupés à 0,1° de l'axe c pour garantir une croissance reproductible et des rendements de coupe élevés.
En combinant plusieurs polytypes, variantes de dopage, niveaux de qualité, tailles de plaquettes et production interne de boules et de cristaux de germination, notre plateforme de substrats SiC rationalise les chaînes d'approvisionnement et accélère le développement de dispositifs pour les véhicules électriques, les réseaux intelligents et les applications en environnements difficiles.
Résumé de la plaquette de SiC
Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) sont devenues le substrat de choix pour l'électronique haute puissance, haute fréquence et haute température dans les secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et de l'aérospatiale. Notre gamme couvre les principaux polytypes et schémas de dopage : 4H dopé à l'azote (4H-N), semi-isolant haute pureté (HPSI), 3C dopé à l'azote (3C-N) et 4H/6H de type p (4H/6H-P). Elles sont proposées en trois qualités : PRIME (substrats entièrement polis, de qualité pour les composants), DUMMY (rodés ou non polis pour les essais de procédés) et RESEARCH (couches épitaxiales et profils de dopage personnalisés pour la R&D). Les diamètres des plaquettes varient de 2 po, 4 po, 6 po, 8 po et 12 po, adaptés aux outils traditionnels comme aux usines de fabrication avancées. Nous fournissons également des boules monocristallines et des germes cristallins précisément orientés pour soutenir la croissance cristalline en interne.
Nos plaquettes 4H-N présentent des densités de porteurs de charge de 1×10¹⁶ à 1×10¹⁹ cm⁻³ et des résistivités de 0,01 à 10 Ω·cm, offrant une excellente mobilité électronique et des champs de claquage supérieurs à 2 MV/cm, idéaux pour les diodes Schottky, les MOSFET et les JFET. Les substrats HPSI dépassent une résistivité de 1×10¹² Ω·cm avec des densités de microtubes inférieures à 0,1 cm⁻², garantissant ainsi des fuites minimales pour les dispositifs RF et micro-ondes. Le 3C-N cubique, disponible aux formats 2″ et 4″, permet l'hétéroépitaxie sur silicium et prend en charge de nouvelles applications photoniques et MEMS. Les plaquettes 4H/6H-P de type P, dopées à l'aluminium à 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³, facilitent les architectures de dispositifs complémentaires.
Les plaquettes PRIME subissent un polissage chimico-mécanique pour atteindre une rugosité de surface < 0,2 nm RMS, une variation d'épaisseur totale inférieure à 3 µm et une courbure < 10 µm. Les substrats DUMMY accélèrent les tests d'assemblage et de packaging, tandis que les plaquettes RESEARCH présentent des épaisseurs de couche épitaxiale de 2 à 30 µm et un dopage sur mesure. Tous les produits sont certifiés par diffraction des rayons X (courbe de bascule < 30 secondes d'arc) et spectroscopie Raman, avec des tests électriques (mesures Hall, profilage CV et balayage de microtubes) garantissant la conformité aux normes JEDEC et SEMI.
Des boules jusqu'à 150 mm de diamètre sont cultivées par PVT et CVD avec des densités de dislocations inférieures à 1 × 10³ cm⁻² et un faible nombre de micropipes. Les cristaux germes sont coupés à 0,1° de l'axe c pour garantir une croissance reproductible et des rendements de coupe élevés.
En combinant plusieurs polytypes, variantes de dopage, niveaux de qualité, tailles de plaquettes et production interne de boules et de cristaux de germination, notre plateforme de substrats SiC rationalise les chaînes d'approvisionnement et accélère le développement de dispositifs pour les véhicules électriques, les réseaux intelligents et les applications en environnements difficiles.
Image de la plaquette de SiC
Fiche technique de la plaquette SiC de type 4H-N de 6 pouces
| Fiche technique des plaquettes SiC de 6 pouces | ||||
| Paramètre | Sous-paramètre | Grade Z | Catégorie P | Catégorie D |
| Diamètre | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | 149,5–150,0 mm | |
| Épaisseur | 4H‑N | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Épaisseur | 4H-SI | 500 µm ± 15 µm | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Orientation des plaquettes | Hors axe : 4,0° vers <11-20> ±0,5° (4H-N) ; Sur axe : <0001> ±0,5° (4H-SI) | Hors axe : 4,0° vers <11-20> ±0,5° (4H-N) ; Sur axe : <0001> ±0,5° (4H-SI) | Hors axe : 4,0° vers <11-20> ±0,5° (4H-N) ; Sur axe : <0001> ±0,5° (4H-SI) | |
| Densité des micropipes | 4H‑N | ≤ 0,2 cm⁻² | ≤ 2 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Densité des micropipes | 4H-SI | ≤ 1 cm⁻² | ≤ 5 cm⁻² | ≤ 15 cm⁻² |
| Résistivité | 4H‑N | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm |
| Résistivité | 4H-SI | ≥ 1×10¹⁰ Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm | |
| Orientation principale à plat | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | [10-10] ± 5,0° | |
| Longueur plate principale | 4H‑N | 47,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Longueur plate principale | 4H-SI | Entailler | ||
| Exclusion des bords | 3 mm | |||
| Chaîne/LTV/TTV/Arc | ≤2,5 µm / ≤6 µm / ≤25 µm / ≤35 µm | ≤5 µm / ≤15 µm / ≤40 µm / ≤60 µm | ||
| Rugosité | polonais | Ra ≤ 1 nm | ||
| Rugosité | CMP | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Fissures sur les bords | Aucun | Longueur cumulée ≤ 20 mm, simple ≤ 2 mm | ||
| Plaques hexagonales | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 0,1 % | Surface cumulée ≤ 1% | |
| Zones de polytype | Aucun | Surface cumulée ≤ 3% | Surface cumulée ≤ 3% | |
| Inclusions de carbone | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 3% | ||
| Rayures superficielles | Aucun | Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette | ||
| Chips de bord | Aucun autorisé ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur | Jusqu'à 7 puces, ≤ 1 mm chacune | ||
| TSD (luxation de la vis de filetage) | ≤ 500 cm⁻² | N / A | ||
| BPD (luxation du plan de base) | ≤ 1000 cm⁻² | N / A | ||
| Contamination de surface | Aucun | |||
| Conditionnement | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | |
Fiche technique de la plaquette SiC de type 4H-N de 4 pouces
| Fiche technique de la plaquette SiC de 4 pouces | |||
| Paramètre | Production MPD nulle | Qualité de production standard (qualité P) | Note factice (note D) |
| Diamètre | 99,5 mm–100,0 mm | ||
| Épaisseur (4H-N) | 350 µm±15 µm | 350 µm±25 µm | |
| Épaisseur (4H-Si) | 500 µm±15 µm | 500 µm±25 µm | |
| Orientation des plaquettes | Hors axe : 4,0° vers <1120> ±0,5° pour 4H-N ; Sur axe : <0001> ±0,5° pour 4H-Si | ||
| Densité des micropipes (4H-N) | ≤0,2 cm⁻² | ≤2 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Densité des micropipes (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Résistivité (4H-N) | 0,015–0,024 Ω·cm | 0,015–0,028 Ω·cm | |
| Résistivité (4H-Si) | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientation principale à plat | [10-10] ±5,0° | ||
| Longueur plate principale | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Longueur plate secondaire | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientation secondaire à plat | Face silicone vers le haut : 90° CW à partir du plat principal ±5,0° | ||
| Exclusion des bords | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Déformation d'arc | ≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugosité | Polissage Ra ≤ 1 nm ; CMP Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | |
| Fissures sur les bords par lumière de haute intensité | Aucun | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm ; longueur simple ≤ 2 mm |
| Plaques hexagonales par lumière à haute intensité | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 0,1 % |
| Zones de polytypie par lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |
| Inclusions visuelles de carbone | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 3 % | |
| Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤1 diamètre de plaquette | |
| Éclats de bord par lumière à haute intensité | Aucune autorisée ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur | 5 autorisés, ≤ 1 mm chacun | |
| Contamination de la surface du silicium par une lumière de haute intensité | Aucun | ||
| Luxation de la vis de filetage | ≤500 cm⁻² | N / A | |
| Conditionnement | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique |
Fiche technique de la plaquette SiC de type HPSI de 4 pouces
| Fiche technique de la plaquette SiC de type HPSI de 4 pouces | |||
| Paramètre | Grade de production MPD zéro (grade Z) | Qualité de production standard (qualité P) | Note factice (note D) |
| Diamètre | 99,5–100,0 mm | ||
| Épaisseur (4H-Si) | 500 µm ±20 µm | 500 µm ± 25 µm | |
| Orientation des plaquettes | Hors axe : 4,0° vers <11-20> ±0,5° pour 4H-N ; Sur axe : <0001> ±0,5° pour 4H-Si | ||
| Densité des micropipes (4H-Si) | ≤1 cm⁻² | ≤5 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Résistivité (4H-Si) | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |
| Orientation principale à plat | (10-10) ±5,0° | ||
| Longueur plate principale | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||
| Longueur plate secondaire | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientation secondaire à plat | Face silicone vers le haut : 90° CW à partir du plat principal ±5,0° | ||
| Exclusion des bords | 3 mm | ||
| LTV/TTV/Déformation d'arc | ≤3 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm | ≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm | |
| Rugosité (face C) | polonais | Ra ≤1 nm | |
| Rugosité (face Si) | CMP | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm |
| Fissures sur les bords par lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm ; longueur simple ≤ 2 mm | |
| Plaques hexagonales par lumière à haute intensité | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 0,1 % |
| Zones de polytypie par lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |
| Inclusions visuelles de carbone | Surface cumulée ≤ 0,05 % | Surface cumulée ≤ 3 % | |
| Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤1 diamètre de plaquette | |
| Éclats de bord par lumière à haute intensité | Aucune autorisée ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur | 5 autorisés, ≤ 1 mm chacun | |
| Contamination de la surface du silicium par une lumière de haute intensité | Aucun | Aucun | |
| Luxation de la vis de filetage | ≤500 cm⁻² | N / A | |
| Conditionnement | Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique | ||
Date de publication : 30 juin 2025