Substrat SIC de type p 4H/6H-P 3C-N TYPE 4 pouces 〈111〉± 0,5°Zéro MPD

Brève description :

Le substrat SiC de type P 4H/6H-P 3C-N, 4 pouces avec une orientation 〈111〉± 0,5° et une qualité Zero MPD (Micro Pipe Defect), est un matériau semi-conducteur haute performance conçu pour les appareils électroniques avancés. fabrication. Connu pour son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa forte résistance aux températures élevées et à la corrosion, ce substrat est idéal pour l'électronique de puissance et les applications RF. La qualité Zero MPD garantit un minimum de défauts, garantissant la fiabilité et la stabilité des appareils hautes performances. Son orientation précise 〈111〉± 0,5° permet un alignement précis pendant la fabrication, ce qui le rend adapté aux processus de fabrication à grande échelle. Ce substrat est largement utilisé dans les appareils électroniques à haute température, haute tension et haute fréquence, tels que les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les composants RF.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type 4H/6H-P

4 pouces de diamètre SiliciumSubstrat en carbure (SiC) Spécification

Grade			Production zéro MPD Catégorie (Z Grade)	Production standard Note (P Grade)	Qualité factice (D Grade)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation de la plaquette			Hors axe : 2,0°-4,0°vers [112(-)0] ± 0,5° pour 4H/6H-P, OAxe n :〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des microtuyaux			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	type n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientation plate principale		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0 °
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longueur à plat primaire			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation plate secondaire			Silicium face vers le haut : 90° CW. de l'appartement Prime±5,0°
Exclusion de bord			3 mm		6 millimètres
LTV/TTV/Arc/Warp			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissures des bords causées par une lumière à haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤2 mm
Plaques hexagonales par lumière de haute intensité			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤0,1%
Zones polytypiques par lumière de haute intensité			Aucun		Superficie cumulée≤3 %
Inclusions visuelles de carbone			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤3%
La surface du silicium est rayée par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée≤1×diamètre de la plaquette
Puces de bord élevées par intensité lumineuse			Aucun autorisé ≥0,2 mm de largeur et de profondeur		5 autorisés, ≤1 mm chacun
Contamination de la surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-gaufrettes ou conteneur de plaquettes simples

Remarques :

※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.

Le substrat SiC 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N avec une orientation 〈111〉± 0,5° et une qualité Zero MPD est largement utilisé dans les applications électroniques hautes performances. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent idéal pour l'électronique de puissance, telle que les commutateurs haute tension, les onduleurs et les convertisseurs de puissance, fonctionnant dans des conditions extrêmes. De plus, la résistance du substrat aux températures élevées et à la corrosion garantit des performances stables dans des environnements difficiles. L'orientation précise 〈111〉± 0,5° améliore la précision de fabrication, ce qui la rend adaptée aux appareils RF et aux applications haute fréquence, telles que les systèmes radar et les équipements de communication sans fil.

Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent :

1. Conductivité thermique élevée : dissipation thermique efficace, ce qui le rend adapté aux environnements à haute température et aux applications à haute puissance.
2. Tension de claquage élevée : garantit des performances fiables dans les applications à haute tension telles que les convertisseurs de puissance et les onduleurs.
3. Qualité Zero MPD (Micro Pipe Defect) : garantit un minimum de défauts, offrant une stabilité et une haute fiabilité aux appareils électroniques critiques.
4. Résistance à la corrosion : durable dans les environnements difficiles, garantissant une fonctionnalité à long terme dans des conditions exigeantes.
5. Orientation précise 〈111〉± 0,5° : permet un alignement précis pendant la fabrication, améliorant ainsi les performances de l'appareil dans les applications haute fréquence et RF.

Dans l'ensemble, le substrat SiC de 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N avec une orientation 〈111〉± 0,5° et une qualité Zero MPD est un matériau haute performance idéal pour les applications électroniques avancées. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent parfait pour l'électronique de puissance comme les commutateurs, onduleurs et convertisseurs haute tension. La qualité Zero MPD garantit un minimum de défauts, offrant fiabilité et stabilité aux appareils critiques. De plus, la résistance du substrat à la corrosion et aux températures élevées garantit sa durabilité dans les environnements difficiles. L'orientation précise 〈111〉± 0,5° permet un alignement précis pendant la fabrication, ce qui le rend parfaitement adapté aux dispositifs RF et aux applications haute fréquence.