Substrat SiC de type p 4H/6H-P 3C-N 4 pouces 〈111〉± 0,5° MPD nul
Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type 4H/6H-P
4 Silicone de 1 pouce de diamètreSubstrat en carbure (SiC) Spécification
| Grade | Production MPD nulle Niveau (Z) Grade) | Production standard Note (P) Grade) | Niveau factice (D Grade) | ||
| Diamètre | 99,5 mm ~ 100,0 mm | ||||
| Épaisseur | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientation de la plaquette | Hors axe : 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Oaxe n :〈111〉± 0,5° pour 3C-N | ||||
| Densité des micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Résistivité | p-type 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ω·cm | ||
| 3C-N de type n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientation à plat primaire | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Longueur à plat primaire | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longueur secondaire à plat | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientation secondaire à plat | Face en silicium vers le haut : 90° dans le sens horaire par rapport à la surface plane Prime±5,0° | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arc/Déformation | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosité | Ra polonais ≤ 1 nm | ||||
| CMP Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Fissures sur les bords causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm | |||
| Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤0,1% | |||
| Zones polytypes éclairées par une lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |||
| Inclusions de carbone visuelles | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤3% | |||
| Rayures sur la surface du silicone causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette | |||
| Puces de bord à haute intensité lumineuse | Aucune dimension ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur n'est autorisée. | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |||
| Contamination de la surface du silicium par haute intensité | Aucun | ||||
| Conditionnement | Cassette multi-plaquettes ou conteneur à plaquette unique | ||||
Remarques :
※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion périphérique. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.
Le substrat SiC de type P 4H/6H-P 3C-N de 4 pouces, d'orientation 〈111〉± 0,5° et de qualité Zero MPD, est largement utilisé dans les applications électroniques hautes performances. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent idéal pour l'électronique de puissance, notamment pour les commutateurs haute tension, les onduleurs et les convertisseurs de puissance fonctionnant dans des conditions extrêmes. De plus, sa résistance aux hautes températures et à la corrosion garantit des performances stables même dans des environnements difficiles. L'orientation précise 〈111〉± 0,5° améliore la précision de fabrication, le rendant ainsi adapté aux dispositifs RF et aux applications haute fréquence, comme les systèmes radar et les équipements de communication sans fil.
Les avantages des substrats composites SiC de type N sont les suivants :
1. Conductivité thermique élevée : dissipation thermique efficace, la rendant adaptée aux environnements à haute température et aux applications à haute puissance.
2. Tension de claquage élevée : assure des performances fiables dans les applications haute tension telles que les convertisseurs de puissance et les onduleurs.
3. Niveau de défauts de micro-canaux (MPD) zéro : garantit des défauts minimaux, assurant stabilité et haute fiabilité dans les appareils électroniques critiques.
4. Résistance à la corrosion : Durable dans les environnements difficiles, assurant une fonctionnalité à long terme dans des conditions exigeantes.
5. Orientation précise 〈111〉± 0,5° : Permet un alignement précis pendant la fabrication, améliorant les performances du dispositif dans les applications haute fréquence et RF.
Globalement, le substrat SiC de type P 4H/6H-P 3C-N de 4 pouces, d'orientation 〈111〉± 0,5° et de qualité Zero MPD, est un matériau haute performance idéal pour les applications électroniques avancées. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent parfait pour l'électronique de puissance, notamment pour les commutateurs, onduleurs et convertisseurs haute tension. La qualité Zero MPD garantit un minimum de défauts, assurant ainsi fiabilité et stabilité aux dispositifs critiques. De plus, sa résistance à la corrosion et aux hautes températures garantit sa durabilité dans les environnements difficiles. L'orientation précise 〈111〉± 0,5° permet un alignement précis lors de la fabrication, ce qui le rend particulièrement adapté aux dispositifs RF et aux applications haute fréquence.
Diagramme détaillé
