Substrat SIC de type p 4H/6H-P 3C-N 4 pouces 〈111〉± 0,5°Zéro MPD

Substrat SIC de type p 4H/6H-P 3C-N 4 pouces 〈111〉± 0,5°Zero MPD Image en vedette

Brève description :

Le substrat SiC 4H/6H-P 3C-N de type P, de 4 pouces, avec une orientation 〈111〉± 0,5° et une qualité zéro MPD (Micro Pipe Defect), est un matériau semi-conducteur hautes performances conçu pour la fabrication de dispositifs électroniques de pointe. Reconnu pour son excellente conductivité thermique, sa tension de claquage élevée et sa forte résistance aux températures élevées et à la corrosion, ce substrat est idéal pour l'électronique de puissance et les applications RF. La qualité zéro MPD garantit un minimum de défauts, garantissant fiabilité et stabilité des dispositifs hautes performances. Son orientation précise 〈111〉± 0,5° permet un alignement précis pendant la fabrication, ce qui le rend idéal pour les procédés de fabrication à grande échelle. Ce substrat est largement utilisé dans les dispositifs électroniques haute température, haute tension et haute fréquence, tels que les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les composants RF.

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Détails du produit

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Tableau des paramètres communs des substrats composites SiC de type 4H/6H-P

4 diamètre en pouces SiliciumSubstrat en carbure (SiC) Spécification

Grade			Production MPD nulle Note (Z Grade)	Production standard Note (P Grade)	Note fictive (D Grade)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation des plaquettes			Hors axe : 2,0°-4,0° vers [112(-)0] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Oaxe n : 〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des micropipes			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω⁻⁻cm		≤ 0,3 Ω cm
	3C-N de type n		≤0,8 mΩ⁻⁻cm		≤1 m Ω⁻⁻cm
Orientation principale à plat		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longueur plate principale			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation secondaire à plat			Face silicone vers le haut : 90° CW. à partir du plat Prime±5,0°
Exclusion des bords			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords par lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur simple ≤ 2 mm
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité			Surface cumulée ≤ 0,05 %		Surface cumulée ≤ 0,1 %
Zones de polytypie par lumière de haute intensité			Aucun		Surface cumulée ≤ 3 %
Inclusions visuelles de carbone			Surface cumulée ≤ 0,05 %		Surface cumulée ≤ 3 %
Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette
Éclats de bord élevés grâce à la lumière d'intensité			Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm autorisée		5 autorisés, ≤ 1 mm chacun
Contamination de surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique

Remarques :

※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.

Le substrat SiC 4 pouces type P 4H/6H-P 3C-N, orienté 〈111〉± 0,5° et de grade zéro MPD, est largement utilisé dans les applications électroniques hautes performances. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent idéal pour l'électronique de puissance, comme les commutateurs haute tension, les onduleurs et les convertisseurs de puissance, fonctionnant dans des conditions extrêmes. De plus, sa résistance aux températures élevées et à la corrosion garantit des performances stables dans les environnements difficiles. L'orientation précise 〈111〉± 0,5° améliore la précision de fabrication, ce qui le rend idéal pour les dispositifs RF et les applications haute fréquence, comme les systèmes radar et les équipements de communication sans fil.

Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent :

1. Conductivité thermique élevée : dissipation thermique efficace, ce qui le rend adapté aux environnements à haute température et aux applications à haute puissance.
2. Tension de claquage élevée : garantit des performances fiables dans les applications haute tension telles que les convertisseurs de puissance et les onduleurs.
3. Grade zéro MPD (Micro Pipe Defect) : garantit un minimum de défauts, offrant stabilité et haute fiabilité dans les appareils électroniques critiques.
4. Résistance à la corrosion : durable dans les environnements difficiles, garantissant une fonctionnalité à long terme dans des conditions exigeantes.
5. Orientation précise 〈111〉± 0,5° : permet un alignement précis pendant la fabrication, améliorant les performances de l'appareil dans les applications haute fréquence et RF.

Globalement, le substrat SiC 4 pouces type P 4H/6H-P 3C-N, orienté 〈111〉± 0,5° et de grade Zero MPD, est un matériau haute performance, idéal pour les applications électroniques avancées. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent idéal pour l'électronique de puissance comme les commutateurs, onduleurs et convertisseurs haute tension. Le grade Zero MPD garantit un minimum de défauts, garantissant fiabilité et stabilité aux composants critiques. De plus, sa résistance à la corrosion et aux températures élevées garantit sa durabilité dans les environnements difficiles. Son orientation précise 〈111〉± 0,5° permet un alignement précis lors de la fabrication, ce qui le rend particulièrement adapté aux dispositifs RF et aux applications haute fréquence.