Plaquette SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plate primaire

Plaquette de SiC de type P 4H/6H-P 3C-N, épaisseur 6 pouces, 350 μm, orientation plate primaire. Image principale

Brève description :

La plaquette SiC de type P, 4H/6H-P 3C-N, est un matériau semi-conducteur de 6 pouces, d'une épaisseur de 350 μm et d'une orientation primaire plate, conçu pour les applications électroniques avancées. Reconnue pour sa conductivité thermique élevée, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux températures extrêmes et aux environnements corrosifs, cette plaquette est idéale pour les dispositifs électroniques hautes performances. Le dopage de type P introduit des trous comme porteurs de charge primaires, ce qui la rend idéale pour l'électronique de puissance et les applications RF. Sa structure robuste garantit des performances stables sous haute tension et haute fréquence, ce qui la rend idéale pour les dispositifs de puissance, l'électronique haute température et la conversion d'énergie à haut rendement. L'orientation primaire plate garantit un alignement précis lors du processus de fabrication, garantissant ainsi la régularité de fabrication des dispositifs.

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Détails du produit

Étiquettes de produit

SpécificationsSubstrats composites SiC de type 4H/6H-PTableau des paramètres communs

6 Substrat en carbure de silicium (SiC) de 1 pouce de diamètre Spécification

Grade			Production MPD nulleNote (Z Grade)	Production standardNote (P Grade)	Note fictive (D Grade)
Diamètre			145,5 mm ~ 150,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation des plaquettes			-Offaxe : 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Sur l'axe : 〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des micropipes			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω⁻⁻cm		≤ 0,3 Ω cm
	3C-N de type n		≤0,8 mΩ⁻⁻cm		≤1 m Ω⁻⁻cm
Orientation principale à plat		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Longueur plate principale			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation secondaire à plat			Face silicone vers le haut : 90° CW. à partir du plat Prime ± 5,0°
Exclusion des bords			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords par lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur simple ≤ 2 mm
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité			Surface cumulée ≤ 0,05 %		Surface cumulée ≤ 0,1 %
Zones de polytypie par lumière de haute intensité			Aucun		Surface cumulée ≤ 3 %
Inclusions visuelles de carbone			Surface cumulée ≤ 0,05 %		Surface cumulée ≤ 3 %
Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette
Éclats de bord élevés grâce à la lumière d'intensité			Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm autorisée		5 autorisés, ≤ 1 mm chacun
Contamination de surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique

Remarques :

※ Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées sur la face Si o

La plaquette de SiC de type P, 4H/6H-P 3C-N, avec ses dimensions de 6 pouces et ses 350 μm d'épaisseur, joue un rôle crucial dans la production industrielle d'électronique de puissance haute performance. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée la rendent idéale pour la fabrication de composants tels que les interrupteurs de puissance, les diodes et les transistors utilisés dans des environnements à haute température comme les véhicules électriques, les réseaux électriques et les systèmes d'énergie renouvelable. Sa capacité à fonctionner efficacement dans des conditions difficiles garantit des performances fiables dans les applications industrielles exigeant une densité de puissance et une efficacité énergétique élevées. De plus, son orientation plate primaire facilite un alignement précis lors de la fabrication des composants, améliorant ainsi l'efficacité de la production et la régularité des produits.

Les avantages des substrats composites SiC de type N incluent

conductivité thermique élevée:Les plaquettes SiC de type P dissipent efficacement la chaleur, ce qui les rend idéales pour les applications à haute température.
Tension de claquage élevée:Capable de résister à des tensions élevées, garantissant la fiabilité de l'électronique de puissance et des appareils haute tension.
Résistance aux environnements difficiles:Excellente durabilité dans des conditions extrêmes, telles que des températures élevées et des environnements corrosifs.
Conversion d'énergie efficace:Le dopage de type P facilite une gestion efficace de la puissance, ce qui rend la plaquette adaptée aux systèmes de conversion d'énergie.
Orientation principale à plat: Assure un alignement précis pendant la fabrication, améliorant la précision et la cohérence de l'appareil.
Structure mince (350 μm):L'épaisseur optimale de la plaquette permet l'intégration dans des dispositifs électroniques avancés et à espace restreint.

Globalement, la plaquette SiC de type P, 4H/6H-P 3C-N, offre de nombreux avantages qui la rendent particulièrement adaptée aux applications industrielles et électroniques. Sa conductivité thermique et sa tension de claquage élevées garantissent un fonctionnement fiable dans des environnements à haute température et haute tension, tandis que sa résistance aux conditions difficiles garantit sa durabilité. Le dopage de type P permet une conversion de puissance efficace, ce qui la rend idéale pour l'électronique de puissance et les systèmes énergétiques. De plus, l'orientation plate de la plaquette assure un alignement précis pendant le processus de fabrication, améliorant ainsi la régularité de la production. Avec une épaisseur de 350 μm, elle est parfaitement adaptée à l'intégration dans des dispositifs compacts et avancés.