Plaquette de SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plane primaire
Spécifications des substrats composites SiC de type 4H/6H-P : Tableau des paramètres communs
6 Substrat en carbure de silicium (SiC) de 1 pouce de diamètre Spécification
| Grade | Production MPD nulleNiveau (Z) Grade) | Production standardNote (P) Grade) | Niveau factice (D Grade) | ||
| Diamètre | 145,5 mm ~ 150,0 mm | ||||
| Épaisseur | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientation de la plaquette | -Offaxe : 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, sur l'axe : 〈111〉 ± 0,5° pour 3C-N | ||||
| Densité des micropipes | 0 cm-2 | ||||
| Résistivité | p-type 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ω·cm | ||
| 3C-N de type n | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Orientation à plat primaire | 4H/6H-P | -{1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5,0° | ||||
| Longueur à plat primaire | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Longueur secondaire à plat | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Orientation secondaire à plat | Face en silicium vers le haut : 90° dans le sens horaire par rapport au plan Prime ± 5,0° | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Arc/Déformation | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rugosité | Ra polonais ≤ 1 nm | ||||
| CMP Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| Fissures sur les bords causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unitaire ≤ 2 mm | |||
| Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤0,1% | |||
| Zones polytypes éclairées par une lumière de haute intensité | Aucun | Surface cumulée ≤ 3 % | |||
| Inclusions de carbone visuelles | Surface cumulée ≤0,05% | Surface cumulée ≤3% | |||
| Rayures sur la surface du silicone causées par une lumière de haute intensité | Aucun | Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette | |||
| Puces de bord à haute intensité lumineuse | Aucune dimension ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur n'est autorisée. | 5 autorisés, ≤1 mm chacun | |||
| Contamination de la surface du silicium par haute intensité | Aucun | ||||
| Conditionnement | Cassette multi-plaquettes ou conteneur à plaquette unique | ||||
Remarques :
※ Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion périphérique. # Les rayures doivent être vérifiées sur la face Si.
La plaquette de silicium SiC de type P (4H/6H-P 3C-N), de 6 pouces et d'une épaisseur de 350 µm, joue un rôle crucial dans la production industrielle d'électronique de puissance haute performance. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée la rendent idéale pour la fabrication de composants tels que les commutateurs de puissance, les diodes et les transistors utilisés dans des environnements à haute température, comme les véhicules électriques, les réseaux électriques et les systèmes d'énergies renouvelables. Sa capacité à fonctionner efficacement dans des conditions extrêmes garantit des performances fiables dans les applications industrielles exigeant une densité de puissance et une efficacité énergétique élevées. De plus, son orientation plane principale facilite un alignement précis lors de la fabrication des dispositifs, améliorant ainsi l'efficacité de la production et la reproductibilité des produits.
Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent
- Conductivité thermique élevéeLes plaquettes de SiC de type P dissipent efficacement la chaleur, ce qui les rend idéales pour les applications à haute température.
- Tension de claquage élevéeCapable de résister à des tensions élevées, assurant ainsi la fiabilité des dispositifs électroniques de puissance et des appareils haute tension.
- Résistance aux environnements difficilesExcellente durabilité dans des conditions extrêmes, telles que les hautes températures et les environnements corrosifs.
- Conversion efficace de l'énergieLe dopage de type P facilite une gestion efficace de la puissance, rendant la plaquette adaptée aux systèmes de conversion d'énergie.
- Orientation à plat primaire: Assure un alignement précis lors de la fabrication, améliorant ainsi la précision et la constance du dispositif.
- Structure mince (350 μm)L'épaisseur optimale de la plaquette permet son intégration dans des dispositifs électroniques avancés à espace restreint.
Globalement, la plaquette de SiC de type P (4H/6H-P 3C-N) présente de nombreux avantages qui la rendent particulièrement adaptée aux applications industrielles et électroniques. Sa conductivité thermique et sa tension de claquage élevées garantissent un fonctionnement fiable dans des environnements à haute température et haute tension, tandis que sa résistance aux conditions extrêmes assure sa durabilité. Le dopage de type P permet une conversion de puissance efficace, ce qui la rend idéale pour l'électronique de puissance et les systèmes énergétiques. De plus, l'orientation plane primaire de la plaquette assure un alignement précis lors du processus de fabrication, améliorant ainsi la régularité de la production. Avec une épaisseur de 350 µm, elle est parfaitement adaptée à l'intégration dans des dispositifs compacts et performants.
Diagramme détaillé
