Plaquette SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plate primaire

Brève description :

La plaquette SiC de type P, 4H/6H-P 3C-N, est un matériau semi-conducteur de 6 pouces d'une épaisseur de 350 μm et d'une orientation primaire plate, conçu pour les applications électroniques avancées. Connue pour sa conductivité thermique élevée, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux températures extrêmes et aux environnements corrosifs, cette plaquette convient aux appareils électroniques hautes performances. Le dopage de type P introduit des trous comme principaux porteurs de charge, ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance et les applications RF. Sa structure robuste garantit des performances stables dans des conditions de haute tension et haute fréquence, ce qui la rend bien adaptée aux appareils électriques, à l'électronique haute température et à la conversion d'énergie à haut rendement. L'orientation plate principale garantit un alignement précis dans le processus de fabrication, assurant ainsi la cohérence dans la fabrication du dispositif.

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Détail du produit

Mots clés du produit

SpécificationSubstrats composites SiC de type 4H/6H-P Tableau des paramètres communs

6 pouce de diamètre Substrat en carbure de silicium (SiC) Spécification

Grade			Production zéro MPDCatégorie (Z Grade)	Production standardNote (P Grade)	Qualité factice (D Grade)
Diamètre			145,5 mm ~ 150,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation de la plaquette			-Offaxe : 2,0°-4,0°vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, sur l'axe :〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des microtuyaux			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	type n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientation plate principale		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0 °
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Longueur à plat primaire			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation plate secondaire			Silicium face vers le haut : 90° CW. à partir du premier plat ± 5,0°
Exclusion de bord			3 mm		6 millimètres
LTV/TTV/Arc/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissures des bords causées par une lumière à haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤2 mm
Plaques hexagonales par lumière de haute intensité			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤0,1%
Zones polytypiques par lumière de haute intensité			Aucun		Superficie cumulée≤3 %
Inclusions visuelles de carbone			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤3%
La surface du silicium est rayée par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée≤1×diamètre de la plaquette
Puces de bord élevées par intensité lumineuse			Aucun autorisé ≥0,2 mm de largeur et de profondeur		5 autorisés, ≤1 mm chacun
Contamination de la surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-gaufrettes ou conteneur de plaquettes simples

Remarques :

※ Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées sur la face Si o

La plaquette SiC de type P, 4H/6H-P 3C-N, avec ses dimensions de 6 pouces et son épaisseur de 350 μm, joue un rôle crucial dans la production industrielle d'électronique de puissance haute performance. Son excellente conductivité thermique et sa tension de claquage élevée le rendent idéal pour la fabrication de composants tels que des interrupteurs de puissance, des diodes et des transistors utilisés dans des environnements à haute température comme les véhicules électriques, les réseaux électriques et les systèmes d'énergie renouvelable. La capacité de la tranche à fonctionner efficacement dans des conditions difficiles garantit des performances fiables dans les applications industrielles nécessitant une densité de puissance et une efficacité énergétique élevées. De plus, son orientation plate principale facilite un alignement précis lors de la fabrication du dispositif, améliorant ainsi l'efficacité de la production et la cohérence du produit.

Les avantages des substrats composites SiC de type N comprennent

Conductivité thermique élevée: Les plaquettes SiC de type P dissipent efficacement la chaleur, ce qui les rend idéales pour les applications à haute température.
Tension de claquage élevée: Capable de résister à des tensions élevées, garantissant la fiabilité de l’électronique de puissance et des appareils haute tension.
Résistance aux environnements difficiles: Excellente durabilité dans des conditions extrêmes, telles que des températures élevées et des environnements corrosifs.
Conversion de puissance efficace: Le dopage de type P facilite une gestion efficace de la puissance, ce qui rend la plaquette adaptée aux systèmes de conversion d'énergie.
Orientation plate principale: Assure un alignement précis pendant la fabrication, améliorant ainsi la précision et la cohérence du dispositif.
Structure fine (350 μm): L'épaisseur optimale de la plaquette permet l'intégration dans des dispositifs électroniques avancés et limités en espace.

Dans l'ensemble, la plaquette SiC de type P, 4H/6H-P 3C-N, offre une série d'avantages qui la rendent parfaitement adaptée aux applications industrielles et électroniques. Sa conductivité thermique élevée et sa tension de claquage permettent un fonctionnement fiable dans des environnements à haute température et haute tension, tandis que sa résistance aux conditions difficiles garantit la durabilité. Le dopage de type P permet une conversion de puissance efficace, ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance et les systèmes énergétiques. De plus, l'orientation plate principale de la tranche garantit un alignement précis pendant le processus de fabrication, améliorant ainsi la cohérence de la production. Avec une épaisseur de 350 μm, il est bien adapté à l’intégration dans des appareils compacts et avancés.