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Produits phares

  • Plaquette de silicium SiC 4H-N de 200 mm (8 pouces) de qualité recherche, conductrice factice
    Plaquette de SiC 4H-N de 8 pouces (200 mm)...
  • Support de substrat en saphir de 150 mm (6 pouces) et de 0,7 mm (0,5 mm) d'épaisseur, plan C, SSP/DSP
    Saphir 150 mm 6 pouces 0,7 mm 0,5 mm...
  • Plaquette de saphir de 4 pouces, plan C, SSP/DSP, 0,43 mm 0,65 mm
    Plaquette de saphir de 4 pouces, plan C, acier inoxydable...
  • Fenêtre en saphir, lentille en verre saphir, monocristallin d'Al₂O₃
    Fenêtre en saphir Verre saphir l...
  • Plaquette de saphir de 50,8 mm de diamètre, fenêtre en saphir, haute transmittance optique, DSP/SSP
    Plaquette de saphir de 50,8 mm de diamètre...
  • Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPSS/FSS Gabarit AlN sur saphir
    Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPS...

Produits

  • Lentille optique Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Taille personnalisée

    Lentille optique Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Taille personnalisée

  • Plaquettes de LiNbO₃ de 2 à 8 pouces, épaisseur 0,1 à 0,5 mm, TTV 3 µm, sur mesure

    Plaquettes de LiNbO₃ de 2 à 8 pouces, épaisseur 0,1 à 0,5 mm, TTV 3 µm, sur mesure

  • Four de croissance de lingots de SiC pour les méthodes TSSG/LPE de cristaux de SiC de grand diamètre

    Four de croissance de lingots de SiC pour les méthodes TSSG/LPE de cristaux de SiC de grand diamètre

  • Équipement de découpe laser infrarouge picoseconde à double plateforme pour le traitement du verre optique/quartz/saphir

    Équipement de découpe laser infrarouge picoseconde à double plateforme pour le traitement du verre optique/quartz/saphir

  • Saphir blanc synthétique coloré pour la joaillerie, taille libre

    Saphir blanc synthétique coloré pour la joaillerie, taille libre

  • Bras de manutention à effecteur terminal en céramique SiC pour le transport de plaquettes

    Bras de manutention à effecteur terminal en céramique SiC pour le transport de plaquettes

  • Four de croissance de cristaux SiC de 4, 6 et 8 pouces pour procédé CVD

    Four de croissance de cristaux SiC de 4, 6 et 8 pouces pour procédé CVD

  • Substrat composite SiC de type 4H SEMI de 6 pouces, épaisseur 500 µm, TTV ≤ 5 µm, qualité MOS

    Substrat composite SiC de type 4H SEMI de 6 pouces, épaisseur 500 µm, TTV ≤ 5 µm, qualité MOS

  • Fenêtres optiques en saphir de forme personnalisée ; composants en saphir avec polissage de précision

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  • Plaque/plateau en céramique SiC pour porte-plaquettes de 4 ou 6 pouces pour ICP

    Plaque/plateau en céramique SiC pour porte-plaquettes de 4 ou 6 pouces pour ICP

  • Fenêtre en saphir de forme personnalisée et haute dureté pour écrans de smartphones

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  • Substrat SiC de 12 pouces, type N, grande taille, applications RF hautes performances

    Substrat SiC de 12 pouces, type N, grande taille, applications RF hautes performances

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