Produits
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Méthode de traitement de surface des tiges laser en cristal de saphir dopé au titane
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Plaquettes de carbure de silicium SiC de 8 pouces, 200 mm, type 4H-N, qualité de production, épaisseur 500 µm
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Substrat en carbure de silicium 6H-N de 2 pouces, plaquette de silicium, double polissage, conducteur, qualité supérieure, qualité Mos
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Substrat de wafer GaN de 200 mm et 8 pouces sur couche épitaxiale de saphir
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Tube saphir KY Méthode tout transparent Personnalisable
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Substrat composite SiC conducteur 6 pouces 4H Diamètre 150 mm Ra ≤ 0,2 nm Déformation ≤ 35 μm
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Équipement de perçage laser infrarouge nanoseconde pour le perçage du verre d'une épaisseur ≤ 20 mm
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Équipement de technologie laser Microjet pour la découpe de plaquettes et le traitement de matériaux SiC
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Machine de découpe de fil diamanté en carbure de silicium pour le traitement des lingots de SiC (4/6/8/12 pouces)
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Procédé CVD pour la production de matières premières SiC de haute pureté dans un four de synthèse de carbure de silicium à 1600℃
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Cristal long en carbure de silicium résistant, procédé PVT, croissance de cristaux en lingots de SiC de 6/8/12 pouces
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Machine carrée à double station pour le traitement de tiges de silicium monocristallin, planéité de surface de 6/8/12 pouces Ra≤0,5 μm