logo xinkehui
  • Maison
  • Entreprise
    • À propos de Xinkehui
    • Télécharger
  • Produits
    • Substrat
      • Saphir
      • SiC
      • Silicium
      • LiTaO3_LiNbO3
      • AlN
      • InP
      • GaAs
      • Autre verre
      • InSb
    • Produits optiques
      • Quartz, BF33 et K9
      • Cristal de saphir
      • Tube et tige en saphir
      • Fenêtres en saphir
    • couche épitaxiale
      • Plaquette d'épitaxie GaN
    • Produits en céramique
    • Support de plaquette
    • Équipements semi-conducteurs
    • Pierre précieuse de saphir synthétique
    • Matériau monocristallin métallique
  • Nouvelles
  • Contact
English
  • Maison
  • Produits

Catégories

  • Substrat
    • Saphir
    • SiC
    • Silicium
    • LiTaO3_LiNbO3
    • AlN
    • GaAs
    • InP
    • InSb
    • Autre verre
  • Produits optiques
    • Quartz, BF33 et K9
    • Cristal de saphir
    • Tube et tige en saphir
    • Fenêtres en saphir
  • couche épitaxiale
    • Plaquette d'épitaxie GaN
  • Produits en céramique
  • Support de plaquette
  • Pierre précieuse de saphir synthétique
  • Équipements semi-conducteurs
  • Matériau monocristallin métallique

Produits phares

  • Plaquette conductrice factice en SiC 4H-N de 8 pouces, 200 mm, qualité recherche
    Conducteur de plaquette SiC 4H-N de 8 pouces et 200 mm...
  • Support de substrat de plaquette de saphir 150 mm 6 pouces 0,7 mm 0,5 mm C-Plane SSP/DSP
    150 mm 6 pouces 0,7 mm 0,5 mm Saphir...
  • Plaquette de saphir 4 pouces C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
    Plaquette de saphir de 4 pouces C-Plane SS...
  • Fenêtre en saphir Lentille en verre saphir Matériau monocristallin Al2O3
    Fenêtre en saphir Verre saphir l...
  • Plaquette de saphir de 50,8 mm de diamètre, fenêtre en saphir, transmission optique élevée DSP/SSP
    Dia50.8mm Saphir Wafer Saphir...
  • Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur gabarit AlN NPSS/FSS sur saphir
    Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPS...

Produits

  • Équipement de découpe de plaquettes entièrement automatique, taille de travail : 8 pouces/12 pouces

    Équipement de découpe de plaquettes entièrement automatique, taille de travail : 8 pouces/12 pouces

  • Lingots de LiNbO₃ dopés au magnésium, coupe Z à 45° et coupe Y à 64°, orientations pour systèmes de communication 5G/6G

    Lingots de LiNbO₃ dopés au magnésium, coupe Z à 45° et coupe Y à 64°, orientations pour systèmes de communication 5G/6G

  • Substrat composite SiC conducteur 6 pouces 4H Diamètre 150 mm Ra ≤ 0,2 nm Déformation ≤ 35 μm

    Substrat composite SiC conducteur 6 pouces 4H Diamètre 150 mm Ra ≤ 0,2 nm Déformation ≤ 35 μm

  • Fenêtres optiques en saphir monocristal Al₂O₃ résistantes à l'usure personnalisées

    Fenêtres optiques en saphir monocristal Al₂O₃ résistantes à l'usure personnalisées

  • Équipement de marquage laser anti-contrefaçon pour le marquage des plaquettes de saphir

    Équipement de marquage laser anti-contrefaçon pour le marquage des plaquettes de saphir

  • Lingots de LiTaO₃ de 50 mm à 150 mm de diamètre, orientation de coupe X/Y/Z, tolérance ± 0,5°

    Lingots de LiTaO₃ de 50 mm à 150 mm de diamètre, orientation de coupe X/Y/Z, tolérance ± 0,5°

  • Substrat composite LN sur Si de 6 à 8 pouces d'épaisseur 0,3 à 50 μm Si/SiC/saphir de matériaux

    Substrat composite LN sur Si de 6 à 8 pouces d'épaisseur 0,3 à 50 μm Si/SiC/saphir de matériaux

  • Verre optique Saphir Windows, taille personnalisée, dureté Mohs 9

    Verre optique Saphir Windows, taille personnalisée, dureté Mohs 9

  • Système de marquage laser anti-contrefaçon pour substrats en saphir, cadrans de montres et bijoux de luxe

    Système de marquage laser anti-contrefaçon pour substrats en saphir, cadrans de montres et bijoux de luxe

  • Four de croissance de cristaux de saphir KY Méthode Kyropoulos pour la production de plaquettes de saphir et de fenêtres optiques

    Four de croissance de cristaux de saphir KY Méthode Kyropoulos pour la production de plaquettes de saphir et de fenêtres optiques

  • SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur substrat composite SiC polycristallin Diamètre 150 mm Type P Type N

    SiC monocristallin conducteur de 6 pouces sur substrat composite SiC polycristallin Diamètre 150 mm Type P Type N

  • Lentille optique SiC haute pureté cubique 4H-semi 6SP, taille personnalisée

    Lentille optique SiC haute pureté cubique 4H-semi 6SP, taille personnalisée

<< < Précédent567891011Suivant >>> Page 8 / 30

NOUVELLES

  • Verres AR à guide d'ondes en carbure de silicium de qualité optique : préparation de substrats semi-isolants de haute pureté
    08/08/2025

    Verres AR à guide d'ondes en carbure de silicium de qualité optique : préparation de verres semi-isolants de haute pureté...

  • Croissance hétéroépitaxiale de 3C-SiC sur des substrats de silicium avec différentes orientations
    08/08/2025

    Croissance hétéroépitaxiale de 3C-SiC sur des substrats de silicium avec différentes orientations

  • Céramiques en carbure de silicium vs. carbure de silicium semi-conducteur : le même matériau, deux destins distincts
    30/07/2025

    Céramique en carbure de silicium vs. carbure de silicium semi-conducteur : le même matériau avec deux D...

  • Progrès dans les technologies de préparation de céramiques en carbure de silicium de haute pureté
    30/07/2025

    Progrès dans les technologies de préparation de céramiques en carbure de silicium de haute pureté

  • Principes techniques et procédés des plaquettes épitaxiales LED
    25/07/2025

    Principes techniques et procédés des plaquettes épitaxiales LED

CONTACT

  • Salle 1-1805, n° 851, route Dianshanhu ; Région de Qingpu ; Ville de Shanghai, Chine//201799
  • +86 158 0194 2596
  • +86 187 0175 6522
  • eric@xkh-semitech.com
  • doris@xkh-semitech.com

ENQUÊTE

Pour toute demande de renseignements sur nos produits ou notre liste de prix, veuillez nous laisser votre e-mail et nous vous contacterons dans les 24 heures.

  • Facebook
  • gazouillement
  • LinkedIn
  • YouTube
Soumettre
© Copyright - 2010-2023 : Tous droits réservés. Plan du site - AMP Mobile
Plaquettes de carbure de silicium, Personnalisé, Plaquette de silicium, Substrat Sic, 6 pouces, Tube en saphir,
Inuiry en ligne
  • Envoyer un e-mail
  • x
    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    • qq

      eric@xkh-semitech.com doris@xkh-semitech.com

    • WhatsApp

      +86 15801942596 +86 18701756522

    Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer
    • English
    • French
    • German
    • Portuguese
    • Spanish
    • Russian
    • Japanese
    • Korean
    • Arabic
    • Irish
    • Greek
    • Turkish
    • Italian
    • Danish
    • Romanian
    • Indonesian
    • Czech
    • Afrikaans
    • Swedish
    • Polish
    • Basque
    • Catalan
    • Esperanto
    • Hindi
    • Lao
    • Albanian
    • Amharic
    • Armenian
    • Azerbaijani
    • Belarusian
    • Bengali
    • Bosnian
    • Bulgarian
    • Cebuano
    • Chichewa
    • Corsican
    • Croatian
    • Dutch
    • Estonian
    • Filipino
    • Finnish
    • Frisian
    • Galician
    • Georgian
    • Gujarati
    • Haitian
    • Hausa
    • Hawaiian
    • Hebrew
    • Hmong
    • Hungarian
    • Icelandic
    • Igbo
    • Javanese
    • Kannada
    • Kazakh
    • Khmer
    • Kurdish
    • Kyrgyz
    • Latin
    • Latvian
    • Lithuanian
    • Luxembou..
    • Macedonian
    • Malagasy
    • Malay
    • Malayalam
    • Maltese
    • Maori
    • Marathi
    • Mongolian
    • Burmese
    • Nepali
    • Norwegian
    • Pashto
    • Persian
    • Punjabi
    • Serbian
    • Sesotho
    • Sinhala
    • Slovak
    • Slovenian
    • Somali
    • Samoan
    • Scots Gaelic
    • Shona
    • Sindhi
    • Sundanese
    • Swahili
    • Tajik
    • Tamil
    • Telugu
    • Thai
    • Ukrainian
    • Urdu
    • Uzbek
    • Vietnamese
    • Welsh
    • Xhosa
    • Yiddish
    • Yoruba
    • Zulu
    • Kinyarwanda
    • Tatar
    • Oriya
    • Turkmen
    • Uyghur