Substrats composites SiC semi-isolants de diamètre 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces HPSI
| Articles | Spécification | Articles | Spécification |
| Diamètre | 150 ± 0,2 mm | rugosité de la face avant (Si) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| Polytype | 4H | Ébréchure, rayure, fissure (inspection visuelle) | Aucun |
| Résistivité | ≥1E8ohm·cm | TTV | ≤5μm |
| Épaisseur de la couche de transfert | ≥0,4 μm | Chaîne | ≤35μm |
| Vide | ≤5 unités/plaquette (2 mm > D > 0,5 mm) | Épaisseur | 500 ± 25 μm |
Les avantages des substrats composites SiC semi-isolants sont les suivants :
Résistivité élevée : les matériaux SiC semi-isolants présentent une résistivité élevée, ce qui leur permet de bloquer le flux de courant et les rend adaptés à certains types d’appareils électroniques.
Performances à haute température : les matériaux SiC sont capables de fonctionner dans des environnements à haute température, ce qui les rend adaptés aux applications électroniques haute puissance et haute fréquence.
Tension de claquage élevée : les matériaux SiC possèdent une tension de claquage élevée et sont capables de résister à des champs électriques élevés sans claquage électrique.
Résistance chimique et environnementale : le SiC résiste à la corrosion chimique et peut supporter des conditions environnementales difficiles pour des applications exigeantes.
Réduction des pertes de puissance : les substrats en SiC permettent une conversion de puissance plus efficace et des pertes de puissance moindres dans les composants électroniques par rapport aux matériaux traditionnels à base de silicium.
De manière générale, les substrats composites SiC semi-isolants offrent des avantages significatifs dans le développement de l'électronique haute performance, notamment dans les applications nécessitant un fonctionnement à haute température, une densité de puissance élevée et une conversion de puissance efficace.
Ventes et service à la clientèle
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Diagramme détaillé
