SiC semi-isolant sur substrats composites Si

Cette combinaison offre de nombreux avantages dans la fabrication électronique :

Compatibilité : L'utilisation d'un substrat en silicium le rend compatible avec les techniques de traitement standard à base de silicium et permet l'intégration avec les processus de fabrication de semi-conducteurs existants.

Performances à haute température : le SiC a une excellente conductivité thermique et peut fonctionner à des températures élevées, ce qui le rend adapté aux applications électroniques haute puissance et haute fréquence.

Tension de claquage élevée : les matériaux SiC ont une tension de claquage élevée et peuvent résister à des champs électriques élevés sans panne électrique.

Perte de puissance réduite : les substrats SiC permettent une conversion de puissance plus efficace et une perte de puissance plus faible dans les appareils électroniques par rapport aux matériaux traditionnels à base de silicium.

Large bande passante : le SiC possède une large bande passante, permettant le développement de dispositifs électroniques pouvant fonctionner à des températures et des densités de puissance plus élevées.

Ainsi, les substrats composites SiC sur Si semi-isolants combinent la compatibilité du silicium avec les propriétés électriques et thermiques supérieures du SiC, ce qui le rend adapté aux applications électroniques hautes performances.

Emballage et livraison

1. Nous utiliserons du plastique de protection et une boîte personnalisée pour emballer. (Matériau respectueux de l'environnement)

2. Nous pouvons faire un emballage personnalisé en fonction de la quantité.

3. DHL/Fedex/UPS Express prend généralement environ 3 à 7 jours ouvrables pour arriver à destination.