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Produits phares

  • Plaquette conductrice factice en SiC 4H-N de 8 pouces, 200 mm, qualité recherche
    Conducteur de plaquette SiC 4H-N de 8 pouces et 200 mm...
  • Support de substrat de plaquette de saphir 150 mm 6 pouces 0,7 mm 0,5 mm C-Plane SSP/DSP
    150 mm 6 pouces 0,7 mm 0,5 mm Saphir...
  • Plaquette de saphir 4 pouces C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
    Plaquette de saphir de 4 pouces C-Plane SS...
  • Fenêtre en saphir Lentille en verre saphir Matériau monocristallin Al2O3
    Fenêtre en saphir Verre saphir l...
  • Plaquette de saphir de 50,8 mm de diamètre, fenêtre en saphir, transmission optique élevée DSP/SSP
    Dia50.8mm Saphir Wafer Saphir...
  • Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur gabarit AlN NPSS/FSS sur saphir
    Gabarit AlN 50,8 mm/100 mm sur NPS...

Équipements semi-conducteurs

  • Système de marquage laser anti-contrefaçon pour substrats en saphir, cadrans de montres et bijoux de luxe

    Système de marquage laser anti-contrefaçon pour substrats en saphir, cadrans de montres et bijoux de luxe

  • Four de croissance de cristaux de SiC Croissance de lingots de SiC 4 pouces 6 pouces 8 pouces PTV Lely TSSG Méthode de croissance LPE

    Four de croissance de cristaux de SiC Croissance de lingots de SiC 4 pouces 6 pouces 8 pouces PTV Lely TSSG Méthode de croissance LPE

  • Petite machine de poinçonnage laser de table 1000W-6000W ouverture minimale 0,1MM peut être utilisée pour les matériaux en métal, verre, céramique

    Petite machine de poinçonnage laser de table 1000W-6000W ouverture minimale 0,1MM peut être utilisée pour les matériaux en métal, verre, céramique

  • Machine de perçage laser de haute précision pour le perçage de buses de paliers de pierres précieuses en céramique saphir

    Machine de perçage laser de haute précision pour le perçage de buses de paliers de pierres précieuses en céramique saphir

  • Four de croissance de monocristal de saphir Al2O3 méthode KY Kyropoulos production de cristal de saphir de haute qualité

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  • Four de croissance de silicium monocristallin, équipement de système de croissance de lingots de silicium monocristallin, température jusqu'à 2100 ℃

    Four de croissance de silicium monocristallin, équipement de système de croissance de lingots de silicium monocristallin, température jusqu'à 2100 ℃

  • Four de croissance de cristaux de saphir Four monocristallin Czochralski Méthode CZ pour la croissance de plaquettes de saphir de haute qualité

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