Bras de manutention d'effecteur terminal en céramique SiC pour le transport de plaquettes

Brève description :

Les plaquettes de LiNbO₃ représentent la référence absolue en photonique intégrée et en acoustique de précision, offrant des performances inégalées dans les systèmes optoélectroniques modernes. En tant que fabricant leader, nous avons perfectionné la production de ces substrats techniques grâce à des techniques avancées d'équilibrage du transport de vapeur, permettant d'atteindre une perfection cristalline inégalée dans l'industrie avec des densités de défauts inférieures à 50/cm².

Les capacités de production de XKH couvrent des diamètres allant de 75 mm à 150 mm, avec un contrôle précis de l'orientation (coupe X/Y/Z ± 0,3°) et des options de dopage spécialisées, notamment avec des terres rares. La combinaison unique de propriétés des plaquettes de LiNbO₃, notamment leur remarquable coefficient r₃₃ (32 ± 2 pm/V) et leur large transparence du proche UV au moyen IR, les rend indispensables pour les circuits photoniques de nouvelle génération et les dispositifs acoustiques haute fréquence.


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  • Caractéristiques

    Effecteur terminal en céramique SiC Résumé

    L'effecteur terminal en céramique SiC (carbure de silicium) est un composant essentiel des systèmes de manutention de plaquettes de haute précision utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs et les environnements de microfabrication avancée. Conçu pour répondre aux exigences élevées des environnements ultra-propres, à haute température et hautement stables, cet effecteur terminal spécialisé assure un transport fiable et sans contamination des plaquettes lors des étapes clés de la production, telles que la lithographie, la gravure et le dépôt.

    Exploitant les propriétés supérieures du carbure de silicium, telles qu'une conductivité thermique élevée, une dureté extrême, une excellente inertie chimique et une dilatation thermique minimale, l'effecteur terminal en céramique SiC offre une rigidité mécanique et une stabilité dimensionnelle inégalées, même sous des cycles thermiques rapides ou dans des chambres de traitement corrosives. Sa faible génération de particules et sa résistance au plasma le rendent particulièrement adapté aux applications de traitement sous vide et en salle blanche, où le maintien de l'intégrité de la surface des plaquettes et la réduction de la contamination particulaire sont essentiels.

    Effecteur terminal en céramique SiC Application

    1. Manipulation des plaquettes de semi-conducteurs

    Les effecteurs terminaux en céramique SiC sont largement utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs pour la manipulation des plaquettes de silicium lors de la production automatisée. Ces effecteurs terminaux sont généralement montés sur des bras robotisés ou des systèmes de transfert sous vide et sont conçus pour accueillir des plaquettes de différentes tailles, telles que 200 mm et 300 mm. Ils sont essentiels dans des procédés tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt physique en phase vapeur (PVD), la gravure et la diffusion, où températures élevées, conditions de vide et gaz corrosifs sont courants. La résistance thermique et la stabilité chimique exceptionnelles du SiC en font un matériau idéal pour résister à ces environnements difficiles sans dégradation.

     

    2. Compatibilité salle blanche et aspirateur

    Dans les salles blanches et sous vide, où la contamination particulaire doit être minimisée, la céramique SiC offre des avantages significatifs. Sa surface dense et lisse résiste à la génération de particules, contribuant ainsi à préserver l'intégrité des plaquettes pendant le transport. Les effecteurs terminaux SiC sont ainsi particulièrement adaptés aux procédés critiques tels que la lithographie en ultraviolet extrême (EUV) et le dépôt de couches atomiques (ALD), où la propreté est essentielle. De plus, le faible dégazage et la haute résistance au plasma du SiC garantissent des performances fiables dans les chambres à vide, prolongeant ainsi la durée de vie des outils et réduisant la fréquence de maintenance.

     

    3. Systèmes de positionnement de haute précision

    La précision et la stabilité sont essentielles dans les systèmes avancés de manipulation de wafers, notamment pour les équipements de métrologie, d'inspection et d'alignement. Les céramiques SiC présentent un coefficient de dilatation thermique extrêmement faible et une rigidité élevée, ce qui permet à l'effecteur final de conserver sa précision structurelle même sous des cycles thermiques ou des charges mécaniques. Cela garantit un alignement précis des wafers pendant le transport, minimisant ainsi les risques de micro-rayures, de désalignement ou d'erreurs de mesure, facteurs de plus en plus critiques pour les nœuds de processus inférieurs à 5 nm.

    Propriétés de l'effecteur terminal en céramique SiC

    1. Haute résistance mécanique et dureté

    Les céramiques SiC possèdent une résistance mécanique exceptionnelle, avec une résistance à la flexion souvent supérieure à 400 MPa et une dureté Vickers supérieure à 2 000 HV. Elles sont ainsi très résistantes aux contraintes mécaniques, aux chocs et à l'usure, même après une utilisation prolongée. La grande rigidité du SiC minimise également la déflexion lors des transferts de plaquettes à grande vitesse, garantissant un positionnement précis et reproductible.

     

    2. Excellente stabilité thermique

    L'une des propriétés les plus précieuses des céramiques SiC est leur capacité à résister à des températures extrêmement élevées – souvent jusqu'à 1 600 °C en atmosphère inerte – sans perte d'intégrité mécanique. Leur faible coefficient de dilatation thermique (~4,0 x 10⁻⁶ /K) assure une stabilité dimensionnelle sous cycles thermiques, ce qui les rend idéales pour des applications telles que le CVD, le PVD et le recuit haute température.

    Questions et réponses sur l'effecteur terminal en céramique SiC

    Q : Quel matériau est utilisé dans l’effecteur d’extrémité de plaquette ?

    UN:Les effecteurs terminaux de plaquettes sont généralement fabriqués à partir de matériaux offrant une résistance élevée, une stabilité thermique et une faible génération de particules. Parmi ces matériaux, la céramique en carbure de silicium (SiC) est l'un des plus avancés et des plus prisés. Extrêmement dure, thermiquement stable, chimiquement inerte et résistante à l'usure, la céramique SiC est idéale pour la manipulation de plaquettes de silicium délicates en salles blanches et sous vide. Comparé au quartz ou aux métaux revêtus, le SiC offre une stabilité dimensionnelle supérieure à haute température et ne libère pas de particules, ce qui contribue à prévenir la contamination.

    Effecteur terminal SiC12
    Effecteur terminal SiC01
    effecteur terminal SiC

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