Plaque à plateau en céramique SiC graphite avec revêtement CVD SiC pour équipement

Brève description:

Shanghai Xinkehui New Materials Co., Ltd. produit un disque de gravure à semi-conducteur de Φ380 mm à Φ600 mm, un disque de roulement pour plaquettes, un plateau en carbure de silicium, un plateau SIC, un plateau en carbure de silicium, un plateau de gravure ICP, un plateau de gravure, une pureté en carbure de silicium > 99,9 %, une durée de vie du plateau SIC est quatre fois supérieur à celui du plateau CVD à base de graphite, utilisation à long terme sans déformation, résistant à l'acide FH, corrosion H2So4 concentrée.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Les céramiques de carbure de silicium ne sont pas seulement utilisées dans l'étape de dépôt de couches minces, comme l'épitaxie ou le MOCVD, ou dans le traitement des plaquettes, au cœur duquel les plateaux porte-plaquettes pour MOCVD sont d'abord soumis à l'environnement de dépôt, et sont donc très résistants aux Chaleur et corrosion. Les supports revêtus de SiC ont également une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de distribution thermique.

Supports de tranches en carbure de silicium pour dépôt chimique en phase vapeur pure (CVD SiC) pour le traitement de dépôt chimique en phase vapeur organique métallique (MOCVD) à haute température.

Les supports de tranches CVD SiC purs sont nettement supérieurs aux supports de tranches conventionnels utilisés dans ce processus, qui sont en graphite et recouverts d'une couche de CVD SiC.ces supports revêtus à base de graphite ne peuvent pas résister aux températures élevées (1 100 à 1 200 degrés Celsius) requises pour le dépôt de GaN des LED bleues et blanches à haute luminosité d'aujourd'hui.Les températures élevées provoquent le développement de minuscules trous dans le revêtement à travers lesquels les produits chimiques de traitement érodent le graphite situé en dessous.Les particules de graphite s'écaillent alors et contaminent le GaN, provoquant le remplacement du support de plaquette revêtu.

CVD SiC a une pureté de 99,999 % ou plus et présente une conductivité thermique et une résistance aux chocs thermiques élevées.Par conséquent, il peut résister aux températures élevées et aux environnements difficiles de la fabrication de LED haute luminosité.Il s’agit d’un matériau monolithique solide qui atteint une densité théorique, produit un minimum de particules et présente une très haute résistance à la corrosion et à l’érosion.Le matériau peut modifier son opacité et sa conductivité sans introduire d'impuretés métalliques.Les supports de plaquettes mesurent généralement 17 pouces de diamètre et peuvent contenir jusqu'à 40 plaquettes de 2 à 4 pouces.