Four de croissance de cristaux de SiC Croissance de lingots de SiC 4 pouces 6 pouces 8 pouces PTV Lely TSSG Méthode de croissance LPE

Four de croissance de cristaux de SiC Croissance de lingots de SiC 4 pouces 6 pouces 8 pouces PTV Lely TSSG LPE méthode de croissance Image en vedette

Brève description :

La croissance cristalline du carbure de silicium (SiC) est une étape clé dans la préparation de matériaux semi-conducteurs hautes performances. En raison de son point de fusion élevé (environ 2 700 °C) et de sa structure polytypique complexe (par exemple, 4H-SiC, 6H-SiC), la technologie de croissance cristalline présente une grande difficulté. Actuellement, les principales méthodes de croissance sont la méthode de transfert physique en phase vapeur (PTV), la méthode Lely, la méthode de croissance par solution de germination (TSSG) et la méthode d'épitaxie en phase liquide (LPE). Chaque méthode présente ses propres avantages et inconvénients et s'adapte à différentes exigences d'application.

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Caractéristiques

Principales méthodes de croissance cristalline et leurs caractéristiques

(1) Méthode de transfert physique de vapeur (PTV)
Principe : A haute température, la matière première SiC se sublime en phase gazeuse, qui est ensuite recristallisée sur le cristal germe.
Caractéristiques principales :
Température de croissance élevée (2000-2500°C).
Des cristaux 4H-SiC et 6H-SiC de grande taille et de haute qualité peuvent être cultivés.
Le taux de croissance est lent, mais la qualité des cristaux est élevée.
Application : Principalement utilisé dans les semi-conducteurs de puissance, les dispositifs RF et d'autres domaines haut de gamme.

(2) Méthode Lely
Principe : Les cristaux sont cultivés par sublimation spontanée et recristallisation de poudres de SiC à haute température.
Caractéristiques principales :
Le processus de croissance ne nécessite pas de graines et la taille des cristaux est petite.
La qualité du cristal est élevée, mais l’efficacité de croissance est faible.
Convient à la recherche en laboratoire et à la production en petits lots.
Application : Principalement utilisé dans la recherche scientifique et la préparation de cristaux de SiC de petite taille.

(3) Méthode de croissance de la solution Top Seed (TSSG)
Principe : Dans une solution à haute température, la matière première SiC se dissout et cristallise sur le cristal germe.
Caractéristiques principales :
La température de croissance est basse (1500-1800°C).
Des cristaux de SiC de haute qualité et à faible défaut peuvent être cultivés.
Le taux de croissance est lent, mais l’uniformité des cristaux est bonne.
Application : Convient à la préparation de cristaux SiC de haute qualité, tels que les dispositifs optoélectroniques.

(4) Épitaxie en phase liquide (LPE)
Principe : Dans une solution de métal liquide, la matière première SiC se développe par épitaxie sur le substrat.
Caractéristiques principales :
La température de croissance est basse (1000-1500°C).
Taux de croissance rapide, adapté à la croissance du film.
La qualité du cristal est élevée, mais l'épaisseur est limitée.
Application : Principalement utilisé pour la croissance épitaxiale de films SiC, tels que des capteurs et des dispositifs optoélectroniques.

Les principales applications du four à cristal de carbure de silicium

Le four à cristaux SiC est l'équipement de base pour la préparation des cristaux SiC, et ses principales applications comprennent :
Fabrication de dispositifs semi-conducteurs de puissance : Utilisé pour développer des cristaux 4H-SiC et 6H-SiC de haute qualité comme matériaux de substrat pour les dispositifs de puissance (tels que les MOSFET, les diodes).
Applications : véhicules électriques, onduleurs photovoltaïques, alimentations industrielles, etc.

Fabrication de dispositifs RF : Utilisé pour développer des cristaux SiC à faible défaut comme substrats pour les dispositifs RF afin de répondre aux besoins haute fréquence des communications 5G, des communications radar et par satellite.

Fabrication de dispositifs optoélectroniques : Utilisé pour faire croître des cristaux de SiC de haute qualité comme matériaux de substrat pour les LED, les détecteurs ultraviolets et les lasers.

Recherche scientifique et production en petites séries : pour la recherche en laboratoire et le développement de nouveaux matériaux pour soutenir l'innovation et l'optimisation de la technologie de croissance des cristaux de SiC.

Fabrication de dispositifs à haute température : utilisé pour faire croître des cristaux de SiC résistants aux hautes températures comme matériau de base pour l'aérospatiale et les capteurs à haute température.

Équipements et services de four SiC fournis par l'entreprise

XKH se concentre sur le développement et la fabrication d'équipements de four à cristal SIC, fournissant les services suivants :

Équipement personnalisé : XKH fournit des fours de croissance personnalisés avec diverses méthodes de croissance telles que PTV et TSSG selon les exigences du client.

Support technique : XKH fournit aux clients un support technique pour l'ensemble du processus, de l'optimisation du processus de croissance cristalline à la maintenance des équipements.

Services de formation : XKH fournit une formation opérationnelle et des conseils techniques aux clients pour garantir un fonctionnement efficace de l'équipement.

Service après-vente : XKH fournit un service après-vente rapide et des mises à niveau des équipements pour assurer la continuité de la production du client.

La technologie de croissance cristalline du carbure de silicium (PTV, Lely, TSSG, LPE) trouve d'importantes applications dans les domaines de l'électronique de puissance, des dispositifs RF et de l'optoélectronique. XKH propose des équipements de four SiC de pointe et une gamme complète de services pour accompagner ses clients dans la production à grande échelle de cristaux SiC de haute qualité et contribuer au développement de l'industrie des semi-conducteurs.