Substrat SiC grade P et D Dia 50 mm 4H-N 2 pouces
Les principales caractéristiques des plaquettes de MOSFET SiC de 2 pouces sont les suivantes :.
Conductivité thermique élevée : assure une gestion thermique efficace, améliorant la fiabilité et les performances de l'appareil
Mobilité électronique élevée : permet une commutation électronique à grande vitesse, adaptée aux applications haute fréquence
Stabilité chimique : maintient les performances dans des conditions extrêmes tout au long de la durée de vie de l'appareil
Compatibilité : Compatible avec l'intégration des semi-conducteurs existants et la production de masse
Les plaquettes de MOSFET SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces sont largement utilisées dans les domaines suivants : modules de puissance pour véhicules électriques, fournissant des systèmes énergétiques stables et efficaces, onduleurs pour systèmes d'énergie renouvelable, optimisant la gestion de l'énergie et l'efficacité de conversion.
Plaquette SiC et plaquette Epi-layer pour l'électronique satellite et aérospatiale, garantissant une communication haute fréquence fiable.
Applications optoélectroniques pour lasers et LED hautes performances, répondant aux exigences des technologies d'éclairage et d'affichage avancées.
Nos wafers SiC et leurs substrats constituent le choix idéal pour l'électronique de puissance et les dispositifs RF, notamment lorsqu'une fiabilité élevée et des performances exceptionnelles sont requises. Chaque lot de wafers est soumis à des tests rigoureux pour garantir sa conformité aux normes de qualité les plus strictes.
Nos plaquettes SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces, de type 4H-N, de grade D et de grade P, sont idéales pour les applications de semi-conducteurs hautes performances. Grâce à une qualité de cristal exceptionnelle, un contrôle qualité rigoureux, des services de personnalisation et une large gamme d'applications, nous pouvons également personnaliser nos produits selon vos besoins. N'hésitez pas à nous contacter !
Diagramme détaillé



