Substrat SiC grade P et D Dia 50 mm 4H-N 2 pouces

Brève description :

Le carbure de silicium (SiC) est un composé binaire du groupe IV-IV, c'est un matériau semi-conducteurcomposé de silicium pur et de carbone purLe silicium polycristallin (SIC) peut être dopé à l'azote ou au phosphore pour former des semi-conducteurs de type N, tandis que le béryllium, l'aluminium ou le gallium peuvent être dopés pour créer des semi-conducteurs de type P. Il présente une conductivité thermique élevée, une mobilité électronique élevée, une tension de claquage élevée, une stabilité chimique et une compatibilité élevées, garantissant une gestion thermique efficace, améliorant la fiabilité et les performances des dispositifs, permettant une commutation électronique à grande vitesse adaptée aux applications haute fréquence et préservant les performances dans des conditions extrêmes pour prolonger la durée de vie des dispositifs.


Détails du produit

Étiquettes de produit

Les principales caractéristiques des plaquettes de MOSFET SiC de 2 pouces sont les suivantes :.

Conductivité thermique élevée : assure une gestion thermique efficace, améliorant la fiabilité et les performances de l'appareil

Mobilité électronique élevée : permet une commutation électronique à grande vitesse, adaptée aux applications haute fréquence

Stabilité chimique : maintient les performances dans des conditions extrêmes tout au long de la durée de vie de l'appareil

Compatibilité : Compatible avec l'intégration des semi-conducteurs existants et la production de masse

Les plaquettes de MOSFET SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces sont largement utilisées dans les domaines suivants : modules de puissance pour véhicules électriques, fournissant des systèmes énergétiques stables et efficaces, onduleurs pour systèmes d'énergie renouvelable, optimisant la gestion de l'énergie et l'efficacité de conversion.

Plaquette SiC et plaquette Epi-layer pour l'électronique satellite et aérospatiale, garantissant une communication haute fréquence fiable.

Applications optoélectroniques pour lasers et LED hautes performances, répondant aux exigences des technologies d'éclairage et d'affichage avancées.

Nos wafers SiC et leurs substrats constituent le choix idéal pour l'électronique de puissance et les dispositifs RF, notamment lorsqu'une fiabilité élevée et des performances exceptionnelles sont requises. Chaque lot de wafers est soumis à des tests rigoureux pour garantir sa conformité aux normes de qualité les plus strictes.

Nos plaquettes SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces, de type 4H-N, de grade D et de grade P, sont idéales pour les applications de semi-conducteurs hautes performances. Grâce à une qualité de cristal exceptionnelle, un contrôle qualité rigoureux, des services de personnalisation et une large gamme d'applications, nous pouvons également personnaliser nos produits selon vos besoins. N'hésitez pas à nous contacter !

Diagramme détaillé

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