Substrat SiC type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces avec une épaisseur de 350 um Qualité de production Qualité factice

Substrat SiC type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces avec une épaisseur de 350 µm Qualité de production Qualité factice Image en vedette

Brève description :

Le substrat SiC 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N, d'une épaisseur de 350 μm, est un matériau semi-conducteur hautes performances largement utilisé dans la fabrication de composants électroniques. Reconnu pour sa conductivité thermique exceptionnelle, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux températures extrêmes et aux environnements corrosifs, ce substrat est idéal pour les applications d'électronique de puissance. Ce substrat de qualité production est utilisé pour la fabrication à grande échelle, garantissant un contrôle qualité rigoureux et une grande fiabilité des composants électroniques de pointe. Le substrat de qualité fictive est quant à lui principalement utilisé pour le débogage des procédés, l'étalonnage des équipements et le prototypage. Les propriétés supérieures du SiC en font un excellent choix pour les composants fonctionnant dans des environnements à haute température, haute tension et haute fréquence, notamment les composants de puissance et les systèmes RF.

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Détails du produit

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Tableau des paramètres du substrat SiC de 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N

4 diamètre en pouces SiliciumSubstrat en carbure (SiC) Spécification

Grade			Production MPD nulle Note (Z Grade)	Production standard Note (P Grade)	Note fictive (D Grade)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation des plaquettes			Hors axe : 2,0°-4,0° vers [112(-)0] ± 0,5° pour 4H/6H-P, Oaxe n : 〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des micropipes			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω⁻⁻cm		≤ 0,3 Ω cm
	3C-N de type n		≤0,8 mΩ⁻⁻cm		≤1 m Ω⁻⁻cm
Orientation principale à plat		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longueur plate principale			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation secondaire à plat			Face silicone vers le haut : 90° CW. à partir du plat Prime±5,0°
Exclusion des bords			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords par lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur simple ≤ 2 mm
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité			Surface cumulée ≤ 0,05 %		Surface cumulée ≤ 0,1 %
Zones de polytypie par lumière de haute intensité			Aucun		Surface cumulée ≤ 3 %
Inclusions visuelles de carbone			Surface cumulée ≤ 0,05 %		Surface cumulée ≤ 3 %
Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaquette
Éclats de bord élevés grâce à la lumière d'intensité			Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm autorisée		5 autorisés, ≤ 1 mm chacun
Contamination de surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique

Remarques :

※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.

Le substrat SiC 4H/6H-P 3C-N de type P de 4 pouces, d'une épaisseur de 350 μm, est largement utilisé dans la fabrication de composants électroniques et de puissance de pointe. Doté d'une excellente conductivité thermique, d'une tension de claquage élevée et d'une forte résistance aux environnements extrêmes, ce substrat est idéal pour l'électronique de puissance haute performance, comme les commutateurs haute tension, les onduleurs et les dispositifs RF. Les substrats de qualité production sont utilisés dans la production à grande échelle, garantissant des performances fiables et de haute précision, essentielles pour l'électronique de puissance et les applications haute fréquence. Les substrats de qualité fictive, quant à eux, sont principalement utilisés pour l'étalonnage des procédés, les tests d'équipements et le développement de prototypes, contribuant ainsi au contrôle qualité et à la cohérence des procédés de production de semi-conducteurs.

SpécificationLes avantages des substrats composites SiC de type N incluent

conductivité thermique élevée:La dissipation thermique efficace rend le substrat idéal pour les applications à haute température et à haute puissance.
Tension de claquage élevée: Prend en charge le fonctionnement haute tension, garantissant la fiabilité de l'électronique de puissance et des appareils RF.
Résistance aux environnements difficiles:Durable dans des conditions extrêmes telles que des températures élevées et des environnements corrosifs, garantissant des performances durables.
Précision de niveau production: Assure des performances de haute qualité et fiables dans la fabrication à grande échelle, adaptées aux applications avancées de puissance et RF.
Mannequin de qualité pour les tests: Permet un étalonnage précis des processus, des tests d'équipement et un prototypage sans compromettre les plaquettes de qualité production.

Globalement, le substrat SiC 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N d'une épaisseur de 350 μm offre des avantages significatifs pour les applications électroniques hautes performances. Sa conductivité thermique et sa tension de claquage élevées le rendent idéal pour les environnements à haute puissance et à haute température, tandis que sa résistance aux conditions difficiles garantit durabilité et fiabilité. Ce substrat de qualité production garantit des performances précises et constantes pour la fabrication à grande échelle d'électronique de puissance et de dispositifs RF. De plus, le substrat de qualité fictive est essentiel pour l'étalonnage des procédés, les tests d'équipements et le prototypage, favorisant le contrôle qualité et la régularité de la production de semi-conducteurs. Ces caractéristiques confèrent aux substrats SiC une grande polyvalence pour les applications avancées.