Substrat SiC type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces avec une épaisseur de 350um Qualité de production Qualité factice

Brève description :

Le substrat SiC de 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N, d'une épaisseur de 350 μm, est un matériau semi-conducteur haute performance largement utilisé dans la fabrication d'appareils électroniques. Connu pour sa conductivité thermique exceptionnelle, sa tension de claquage élevée et sa résistance aux températures extrêmes et aux environnements corrosifs, ce substrat est idéal pour les applications d'électronique de puissance. Le substrat de qualité production est utilisé dans la fabrication à grande échelle, garantissant un contrôle de qualité strict et une fiabilité élevée dans les appareils électroniques avancés. Parallèlement, le substrat de qualité factice est principalement utilisé pour le débogage des processus, l'étalonnage des équipements et le prototypage. Les propriétés supérieures du SiC en font un excellent choix pour les dispositifs fonctionnant dans des environnements à haute température, haute tension et haute fréquence, notamment les dispositifs de puissance et les systèmes RF.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Tableau des paramètres du substrat SiC de 4 pouces, type P 4H/6H-P 3C-N

4 pouce de diamètre SiliciumSubstrat en carbure (SiC) Spécification

Grade			Production zéro MPD Catégorie (Z Grade)	Production standard Note (P Grade)	Qualité factice (D Grade)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
Épaisseur			350 μm ± 25 μm
Orientation de la plaquette			Hors axe : 2,0°-4,0°vers [112(-)0] ± 0,5° pour 4H/6H-P, OAxe n :〈111〉± 0,5° pour 3C-N
Densité des microtuyaux			0 cm-2
Résistivité	type p 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	type n 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 mΩꞏcm
Orientation plate principale		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0 °
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Longueur à plat primaire			32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire			18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation plate secondaire			Silicium face vers le haut : 90° CW. de l'appartement Prime±5,0°
Exclusion de bord			3 mm		6 millimètres
LTV/TTV/Arc/Warp			≤2,5 µm/≤5 µm/≤15 µm/≤30 µm		≤10 µm/≤15 µm/≤25 µm/≤40 µm
Rugosité			Polonais Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Fissures des bords causées par une lumière à haute intensité			Aucun		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤2 mm
Plaques hexagonales par lumière de haute intensité			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤0,1%
Zones polytypiques par lumière de haute intensité			Aucun		Superficie cumulée≤3 %
Inclusions visuelles de carbone			Superficie cumulée ≤0,05%		Superficie cumulée ≤3%
La surface du silicium est rayée par une lumière de haute intensité			Aucun		Longueur cumulée≤1×diamètre de la plaquette
Puces de bord élevées par intensité lumineuse			Aucun autorisé ≥0,2 mm de largeur et de profondeur		5 autorisés, ≤1 mm chacun
Contamination de la surface du silicium par haute intensité			Aucun
Conditionnement			Cassette multi-gaufrettes ou conteneur de plaquettes simples

Remarques :

※Les limites de défauts s'appliquent à toute la surface de la plaquette, à l'exception de la zone d'exclusion des bords. # Les rayures doivent être vérifiées uniquement sur la face Si.

Le substrat SiC de 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N d'une épaisseur de 350 μm est largement utilisé dans la fabrication avancée de dispositifs électroniques et électriques. Avec une excellente conductivité thermique, une tension de claquage élevée et une forte résistance aux environnements extrêmes, ce substrat est idéal pour l'électronique de puissance haute performance telle que les commutateurs haute tension, les onduleurs et les dispositifs RF. Les substrats de qualité production sont utilisés dans la fabrication à grande échelle, garantissant des performances de dispositif fiables et de haute précision, essentielles pour l'électronique de puissance et les applications haute fréquence. Les substrats de qualité factice, quant à eux, sont principalement utilisés pour l'étalonnage des processus, les tests d'équipements et le développement de prototypes, contribuant ainsi à maintenir le contrôle qualité et la cohérence des processus dans la production de semi-conducteurs.

SpécificationLes avantages des substrats composites SiC de type N incluent

Conductivité thermique élevée: Une dissipation thermique efficace rend le substrat idéal pour les applications à haute température et haute puissance.
Tension de claquage élevée: Prend en charge le fonctionnement à haute tension, garantissant la fiabilité de l'électronique de puissance et des appareils RF.
Résistance aux environnements difficiles: Durable dans des conditions extrêmes telles que des températures élevées et des environnements corrosifs, garantissant des performances durables.
Précision de qualité production: Garantit des performances fiables et de haute qualité dans la fabrication à grande échelle, adaptées aux applications avancées de puissance et RF.
Qualité factice pour les tests: Permet un étalonnage précis des processus, des tests d'équipement et un prototypage sans compromettre les plaquettes de qualité production.

Dans l'ensemble, le substrat SiC 4 pouces de type P 4H/6H-P 3C-N d'une épaisseur de 350 μm offre des avantages significatifs pour les applications électroniques hautes performances. Sa conductivité thermique élevée et sa tension de claquage le rendent idéal pour les environnements à haute puissance et à haute température, tandis que sa résistance aux conditions difficiles garantit durabilité et fiabilité. Le substrat de qualité production garantit des performances précises et constantes dans la fabrication à grande échelle d'électronique de puissance et de dispositifs RF. Parallèlement, le substrat de qualité factice est essentiel pour l'étalonnage des processus, les tests d'équipement et le prototypage, favorisant le contrôle qualité et la cohérence de la production de semi-conducteurs. Ces caractéristiques rendent les substrats SiC très polyvalents pour les applications avancées.