SiC
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Substrat SiC Dia200mm 4H-N et HPSI Carbure de silicium
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Production de substrat SiC 3 pouces Dia76,2 mm 4H-N
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Substrat SiC qualité P et D Dia50mm 4H-N 2 pouces
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Substrat en carbure de silicium de qualité factice Dia150mm, production de recherche de plaquettes SiC 4H-N/6H-N
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Lingot SiC de 2 pouces Dia50.8mmx10mmt 4H-N monocristallin
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Substrat SiC de 200 mm, qualité factice 4H-N, plaquette SiC de 8 pouces
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Graine SiC 4H-N Dia205mm de Chine monocristalline de qualité P et D
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Plaquette d'épitaxie SiC de 6 pouces, type N/P, accepté personnalisé
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Production de substrat SiC Dia150mm 4H-N 6 pouces et qualité factice
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Plaquette SiC Epi 4 pouces pour MOS ou SBD
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Plaquettes SiC de 4 pouces, substrats SiC semi-isolants 6H, qualité primaire, recherche et factice
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Plaquette de substrat HPSI SiC de 6 pouces, plaquettes SiC semi-insultantes en carbure de silicium