SiC
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Plaquette de SiC HPSI 4H-N, 6H-N, 6H-P ou 3C-N épitaxiale pour MOS ou SBD
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Plaquette épitaxiale de SiC pour dispositifs de puissance – 4H-SiC, type N, faible densité de défauts
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Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N, haute tension et haute fréquence
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Plaquettes de carbure de silicium de haute pureté (non dopées) de 3 pouces, substrats Sic semi-isolants (HPSL)
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Plaquette de substrat en carbure de silicium 4H-N de 8 pouces (20,3 cm) de qualité recherche, épaisseur 500 µm
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Plaquette de silicium SiC 4H-N/6H-N, qualité de production de recherche, substrat en carbure de silicium de diamètre 150 mm
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Plaquette revêtue d'or, plaquette de saphir, plaquette de silicium, plaquette de SiC, 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, épaisseur du revêtement or : 10 nm, 50 nm, 100 nm
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Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
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Substrat en carbure de silicium SiC de 2 pouces, type 6H-N, polissage double face de 0,33 mm x 0,43 mm, conductivité thermique élevée, faible consommation d'énergie
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Substrat SiC 3 pouces, épaisseur 350 µm, type HPSI, qualité supérieure, qualité factice
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Lingot de carbure de silicium SiC de 6 pouces, type N, épaisseur fictive/de première qualité personnalisable
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Lingot semi-isolant en carbure de silicium 4H-SiC de 6 pouces, qualité factice