SiC
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Plaquettes de carbure de silicium de 2 pouces, substrats SiC de type N ou semi-isolants, 6H ou 4H
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Substrat SiC 4H-N de 4 pouces, carbure de silicium, qualité recherche (produit factice).
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Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 6 pouces (150 mm), type 4H-N, pour la production de transistors MOS ou SBD, qualité recherche et prototype.
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Plaquette de silicium SiC 4H-N de 200 mm (8 pouces) de qualité recherche, conductrice factice
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Plaquettes de carbure de silicium de 2 pouces, substrats SiC de type N ou semi-isolants, 6H ou 4H