Lingot de carbure de silicium SiC de 6 pouces, type N, épaisseur fictive/de première qualité personnalisable
Propriétés
Qualité : Qualité production (Fantôme/Produit de base)
Taille : 6 pouces de diamètre
Diamètre : 150,25 mm ± 0,25 mm
Épaisseur : >10 mm (épaisseur personnalisable sur demande)
Orientation de surface : 4° vers <11-20> ± 0,2°, ce qui garantit une qualité cristalline élevée et un alignement précis pour la fabrication du dispositif.
Orientation plane primaire : <1-100> ± 5°, une caractéristique clé pour le découpage efficace du lingot en plaquettes et pour une croissance cristalline optimale.
Longueur du plat principal : 47,5 mm ± 1,5 mm, conçue pour une manipulation facile et une coupe précise.
Résistivité : 0,015–0,0285 Ω·cm, idéale pour les applications dans les dispositifs de puissance à haut rendement.
Densité des micropipes : < 0,5, garantissant un minimum de défauts susceptibles d’affecter les performances des dispositifs fabriqués.
BPD (densité de piqûres de bore) : < 2000, une faible valeur qui indique une pureté cristalline élevée et une faible densité de défauts.
Densité de dislocation des vis de filetage (TSD) : < 500, assurant une excellente intégrité du matériau pour les dispositifs haute performance.
Zones de polytype : Aucune – le lingot est exempt de défauts de polytype, offrant une qualité de matériau supérieure pour les applications haut de gamme.
Indentations de bord : <3, avec une largeur et une profondeur de 1 mm, assurant des dommages de surface minimaux et maintenant l'intégrité du lingot pour un découpage efficace des plaquettes.
Fissures sur les bords : 3, <1 mm chacune, avec une faible occurrence de dommages sur les bords, assurant une manipulation et un traitement ultérieur sûrs.
Conditionnement : Boîtier pour plaquette – le lingot de SiC est conditionné en toute sécurité dans un boîtier pour plaquette afin de garantir un transport et une manutention sûrs.
Applications
Électronique de puissance :Le lingot de SiC de 15 cm (6 pouces) est largement utilisé dans la production de composants électroniques de puissance tels que les MOSFET, les IGBT et les diodes, éléments essentiels des systèmes de conversion de puissance. Ces composants sont fréquemment utilisés dans les onduleurs de véhicules électriques, les variateurs de vitesse pour moteurs industriels, les alimentations et les systèmes de stockage d'énergie. La capacité du SiC à fonctionner à haute tension, à haute fréquence et à des températures extrêmes le rend idéal pour les applications où les composants traditionnels en silicium (Si) peineraient à atteindre une performance optimale.
Véhicules électriques (VE) :Dans les véhicules électriques, les composants à base de carbure de silicium (SiC) sont essentiels au développement des modules de puissance des onduleurs, des convertisseurs CC-CC et des chargeurs embarqués. L'excellente conductivité thermique du SiC permet de réduire la production de chaleur et d'améliorer le rendement de la conversion de puissance, ce qui est crucial pour optimiser les performances et l'autonomie des véhicules électriques. De plus, les dispositifs en SiC permettent de concevoir des composants plus petits, plus légers et plus fiables, contribuant ainsi aux performances globales des systèmes de véhicules électriques.
Systèmes d'énergies renouvelables :Les lingots de carbure de silicium (SiC) sont un matériau essentiel au développement des dispositifs de conversion d'énergie utilisés dans les systèmes d'énergies renouvelables, notamment les onduleurs solaires, les éoliennes et les solutions de stockage d'énergie. La capacité de gestion de puissance élevée et la gestion thermique efficace du SiC permettent d'obtenir un rendement de conversion d'énergie supérieur et une fiabilité accrue de ces systèmes. Son utilisation dans les énergies renouvelables contribue aux efforts mondiaux en faveur d'une énergie durable.
Télécommunications :Le lingot de SiC de 6 pouces convient également à la fabrication de composants utilisés dans les applications RF (radiofréquence) haute puissance. Il s'agit notamment d'amplificateurs, d'oscillateurs et de filtres utilisés dans les systèmes de télécommunications et de communication par satellite. La capacité du SiC à supporter des fréquences et une puissance élevées en fait un excellent matériau pour les dispositifs de télécommunications exigeant des performances robustes et une atténuation minimale du signal.
Aérospatiale et défense :La tension de claquage élevée et la résistance aux hautes températures du carbure de silicium (SiC) en font un matériau idéal pour les applications aérospatiales et de défense. Les composants fabriqués à partir de lingots de SiC sont utilisés dans les systèmes radar, les communications par satellite et l'électronique de puissance des aéronefs et des engins spatiaux. Les matériaux à base de SiC permettent aux systèmes aérospatiaux de fonctionner dans les conditions extrêmes rencontrées dans l'espace et en haute altitude.
Automatisation industrielle :Dans le domaine de l'automatisation industrielle, les composants en carbure de silicium (SiC) sont utilisés dans les capteurs, les actionneurs et les systèmes de contrôle destinés à fonctionner dans des environnements difficiles. Les dispositifs à base de SiC sont employés dans les machines exigeant des composants performants et durables, capables de résister à des températures élevées et aux contraintes électriques.
Tableau des spécifications du produit
| Propriété | Spécification |
| Grade | Production (Fantôme/Produit principal) |
| Taille | 6 pouces |
| Diamètre | 150,25 mm ± 0,25 mm |
| Épaisseur | >10 mm (Personnalisable) |
| Orientation de la surface | 4° vers <11-20> ± 0,2° |
| Orientation à plat primaire | <1-100> ± 5° |
| Longueur à plat primaire | 47,5 mm ± 1,5 mm |
| Résistivité | 0,015–0,0285 Ω·cm |
| Densité des micropipes | <0,5 |
| Densité de piqûres de bore (BPD) | <2000 |
| Densité de dislocation des vis de filetage (TSD) | <500 |
| Zones polytypes | Aucun |
| Indentations de bord | <3, 1 mm de largeur et de profondeur |
| Fissures sur les bords | 3, <1 mm/chacun |
| Emballage | Boîtier de plaquette |
Conclusion
Le lingot de SiC de 15 cm (6 pouces) de type N, de qualité factice/prime, est un matériau haut de gamme répondant aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs. Sa conductivité thermique élevée, sa résistivité exceptionnelle et sa faible densité de défauts en font un excellent choix pour la production de dispositifs électroniques de puissance avancés, de composants automobiles, de systèmes de télécommunications et de systèmes d'énergies renouvelables. Son épaisseur personnalisable et ses spécifications de précision garantissent une adaptation à une large gamme d'applications, assurant ainsi des performances et une fiabilité élevées même dans des environnements exigeants. Pour plus d'informations ou pour passer commande, veuillez contacter notre équipe commerciale.
Diagramme détaillé







