Lingot SiC en carbure de silicium, 6 pouces, type N, épaisseur factice/qualité supérieure, peut être personnalisé
Propriétés
Qualité : qualité de production (factice/prime)
Taille : 6 pouces de diamètre
Diamètre : 150,25 mm ± 0,25 mm
Épaisseur : >10 mm (épaisseur personnalisable disponible sur demande)
Orientation de la surface : 4° vers <11-20> ± 0,2°, ce qui garantit une qualité cristalline élevée et un alignement précis pour la fabrication du dispositif.
Orientation plate primaire : <1-100> ± 5°, une caractéristique clé pour le découpage efficace du lingot en tranches et pour une croissance cristalline optimale.
Longueur plate principale : 47,5 mm ± 1,5 mm, conçue pour une manipulation facile et une coupe précise.
Résistivité : 0,015–0,0285 Ω·cm, idéale pour les applications dans les dispositifs électriques à haut rendement.
Densité des microtuyaux : <0,5, garantissant un minimum de défauts pouvant avoir un impact sur les performances des appareils fabriqués.
BPD (Boron Pitting Density) : <2000, une valeur faible qui indique une pureté cristalline élevée et une faible densité de défauts.
TSD (densité de dislocation des vis filetées) : <500, garantissant une excellente intégrité des matériaux pour les appareils hautes performances.
Zones de polytype : Aucune – le lingot est exempt de défauts de polytype, offrant une qualité de matériau supérieure pour les applications haut de gamme.
Indentations de bord : <3, avec une largeur et une profondeur de 1 mm, garantissant un minimum de dommages à la surface et préservant l'intégrité du lingot pour un tranchage efficace des plaquettes.
Fissures des bords : 3, <1 mm chacune, avec une faible occurrence de dommages aux bords, garantissant une manipulation et un traitement ultérieur en toute sécurité.
Emballage : Boîte à plaquettes – le lingot de SiC est emballé en toute sécurité dans une caisse à plaquettes pour garantir un transport et une manipulation en toute sécurité.
Applications
Électronique de puissance :Le lingot SiC de 6 pouces est largement utilisé dans la production de dispositifs électroniques de puissance tels que les MOSFET, les IGBT et les diodes, qui sont des composants essentiels des systèmes de conversion de puissance. Ces dispositifs sont largement utilisés dans les onduleurs de véhicules électriques (VE), les entraînements de moteurs industriels, les alimentations électriques et les systèmes de stockage d'énergie. La capacité du SiC à fonctionner à des tensions élevées, des fréquences élevées et des températures extrêmes le rend idéal pour les applications dans lesquelles les dispositifs traditionnels en silicium (Si) auraient du mal à fonctionner efficacement.
Véhicules électriques (VE) :Dans les véhicules électriques, les composants basés sur SiC sont essentiels au développement de modules de puissance dans les onduleurs, les convertisseurs DC-DC et les chargeurs embarqués. La conductivité thermique supérieure du SiC permet de réduire la génération de chaleur et d’améliorer l’efficacité de la conversion d’énergie, ce qui est essentiel pour améliorer les performances et l’autonomie des véhicules électriques. De plus, les dispositifs SiC permettent d'utiliser des composants plus petits, plus légers et plus fiables, contribuant ainsi aux performances globales des systèmes EV.
Systèmes d'énergie renouvelable :Les lingots de SiC sont un matériau essentiel dans le développement de dispositifs de conversion d'énergie utilisés dans les systèmes d'énergie renouvelable, notamment les onduleurs solaires, les éoliennes et les solutions de stockage d'énergie. Les capacités élevées de gestion de puissance et la gestion thermique efficace du SiC permettent une efficacité de conversion d'énergie plus élevée et une fiabilité améliorée dans ces systèmes. Son utilisation dans les énergies renouvelables contribue à stimuler les efforts mondiaux en faveur de la durabilité énergétique.
Télécommunications :Le lingot SiC de 6 pouces convient également à la production de composants utilisés dans les applications RF (radiofréquence) de haute puissance. Ceux-ci incluent des amplificateurs, des oscillateurs et des filtres utilisés dans les systèmes de télécommunications et de communication par satellite. La capacité du SiC à gérer des fréquences élevées et des puissances élevées en fait un excellent matériau pour les appareils de télécommunications nécessitant des performances robustes et une perte de signal minimale.
Aéronautique et Défense :La tension de claquage élevée et la résistance aux températures élevées du SiC le rendent idéal pour les applications aérospatiales et de défense. Les composants fabriqués à partir de lingots de SiC sont utilisés dans les systèmes radar, les communications par satellite et l'électronique de puissance pour les avions et les engins spatiaux. Les matériaux à base de SiC permettent aux systèmes aérospatiaux de fonctionner dans les conditions extrêmes rencontrées dans les environnements spatiaux et à haute altitude.
Automatisation industrielle :Dans l'automatisation industrielle, les composants SiC sont utilisés dans les capteurs, les actionneurs et les systèmes de contrôle qui doivent fonctionner dans des environnements difficiles. Les dispositifs à base de SiC sont utilisés dans des machines qui nécessitent des composants efficaces et durables, capables de résister à des températures et des contraintes électriques élevées.
Tableau des spécifications du produit
Propriété | Spécification |
Grade | Production (factice/primaire) |
Taille | 6 pouces |
Diamètre | 150,25 mm ± 0,25 mm |
Épaisseur | >10mm (personnalisable) |
Orientation des surfaces | 4° vers <11-20> ± 0,2° |
Orientation plate principale | <1-100> ± 5° |
Longueur à plat primaire | 47,5 mm ± 1,5 mm |
Résistivité | 0,015–0,0285 Ω·cm |
Densité des microtuyaux | <0,5 |
Densité de piqûres de bore (BPD) | <2000 |
Densité de luxation des vis filetées (TSD) | <500 |
Zones de polytypes | Aucun |
Retraits de bord | <3, 1mm de largeur et de profondeur |
Fissures des bords | 3, <1 mm/pièce |
Emballage | Étui à plaquettes |
Conclusion
Le lingot SiC de 6 pouces – qualité Dummy/Prime de type N est un matériau haut de gamme qui répond aux exigences rigoureuses de l’industrie des semi-conducteurs. Sa conductivité thermique élevée, sa résistivité exceptionnelle et sa faible densité de défauts en font un excellent choix pour la production de dispositifs électroniques de puissance avancés, de composants automobiles, de systèmes de télécommunications et de systèmes d'énergie renouvelable. Les spécifications personnalisables d’épaisseur et de précision garantissent que ce lingot SiC peut être adapté à une large gamme d’applications, garantissant ainsi des performances et une fiabilité élevées dans des environnements exigeants. Pour plus d’informations ou pour passer une commande, veuillez contacter notre équipe commerciale.