Lingot de carbure de silicium SiC 6 pouces type N, épaisseur de qualité factice/premium, personnalisable
Propriétés
Qualité : Qualité de production (factice/primaire)
Taille : 6 pouces de diamètre
Diamètre : 150,25 mm ± 0,25 mm
Épaisseur : > 10 mm (épaisseur personnalisable disponible sur demande)
Orientation de la surface : 4° vers <11-20> ± 0,2°, ce qui garantit une qualité de cristal élevée et un alignement précis pour la fabrication de l'appareil.
Orientation plate primaire : <1-100> ± 5°, une caractéristique clé pour le découpage efficace du lingot en plaquettes et pour une croissance cristalline optimale.
Longueur plate principale : 47,5 mm ± 1,5 mm, conçue pour une manipulation facile et une coupe de précision.
Résistivité : 0,015–0,0285 Ω·cm, idéale pour les applications dans les dispositifs d'alimentation à haut rendement.
Densité des micropipes : < 0,5, garantissant un minimum de défauts pouvant avoir un impact sur les performances des dispositifs fabriqués.
BPD (densité de piqûres de bore) : < 2000, une valeur faible qui indique une pureté cristalline élevée et une faible densité de défauts.
TSD (Densité de dislocation des vis de filetage) : < 500, garantissant une excellente intégrité du matériau pour les appareils hautes performances.
Zones de polytype : Aucune – le lingot est exempt de défauts de polytype, offrant une qualité de matériau supérieure pour les applications haut de gamme.
Indentations de bord : < 3, avec une largeur et une profondeur de 1 mm, garantissant un minimum de dommages de surface et maintenant l'intégrité du lingot pour un tranchage efficace des plaquettes.
Fissures sur les bords : 3, < 1 mm chacune, avec une faible occurrence de dommages sur les bords, garantissant une manipulation et un traitement ultérieur en toute sécurité.
Emballage : Boîtier de plaquette – le lingot de SiC est emballé en toute sécurité dans un boîtier de plaquette pour garantir un transport et une manipulation en toute sécurité.
Applications
Electronique de puissance :Le lingot de SiC de 6 pouces est largement utilisé dans la production de composants électroniques de puissance tels que les MOSFET, les IGBT et les diodes, composants essentiels des systèmes de conversion de puissance. Ces composants sont largement utilisés dans les onduleurs de véhicules électriques (VE), les entraînements de moteurs industriels, les alimentations électriques et les systèmes de stockage d'énergie. La capacité du SiC à fonctionner à des tensions et fréquences élevées et à des températures extrêmes le rend idéal pour les applications où les composants traditionnels en silicium (Si) peinent à fonctionner efficacement.
Véhicules électriques (VE) :Dans les véhicules électriques, les composants à base de SiC sont essentiels au développement de modules de puissance pour les onduleurs, les convertisseurs CC-CC et les chargeurs embarqués. La conductivité thermique supérieure du SiC permet de réduire la production de chaleur et d'améliorer le rendement de la conversion d'énergie, ce qui est essentiel pour améliorer les performances et l'autonomie des véhicules électriques. De plus, les composants SiC permettent d'obtenir des composants plus petits, plus légers et plus fiables, contribuant ainsi à la performance globale des systèmes VE.
Systèmes d'énergie renouvelable :Les lingots de SiC sont un matériau essentiel au développement de dispositifs de conversion d'énergie utilisés dans les systèmes d'énergie renouvelable, notamment les onduleurs solaires, les éoliennes et les solutions de stockage d'énergie. La haute capacité de traitement de la puissance du SiC et sa gestion thermique efficace permettent d'améliorer le rendement de conversion énergétique et la fiabilité de ces systèmes. Son utilisation dans les énergies renouvelables contribue aux efforts mondiaux en faveur de la durabilité énergétique.
Télécommunications :Le lingot de SiC de 6 pouces convient également à la production de composants destinés aux applications RF (radiofréquence) haute puissance. Parmi ces composants figurent les amplificateurs, les oscillateurs et les filtres utilisés dans les systèmes de télécommunications et de communication par satellite. La capacité du SiC à gérer les hautes fréquences et les fortes puissances en fait un excellent matériau pour les appareils de télécommunications exigeant des performances robustes et une perte de signal minimale.
Aérospatiale et Défense :La tension de claquage élevée du SiC et sa résistance aux températures élevées en font un matériau idéal pour les applications aérospatiales et de défense. Les composants fabriqués à partir de lingots de SiC sont utilisés dans les systèmes radar, les communications par satellite et l'électronique de puissance des aéronefs et des engins spatiaux. Les matériaux à base de SiC permettent aux systèmes aérospatiaux de fonctionner dans les conditions extrêmes de l'espace et des environnements de haute altitude.
Automatisation industrielle :Dans l'automatisation industrielle, les composants SiC sont utilisés dans les capteurs, les actionneurs et les systèmes de contrôle devant fonctionner dans des environnements difficiles. Les dispositifs à base de SiC sont utilisés dans les machines nécessitant des composants performants et durables, capables de résister aux températures élevées et aux contraintes électriques.
Tableau des spécifications du produit
Propriété | Spécification |
Grade | Production (factice/primaire) |
Taille | 6 pouces |
Diamètre | 150,25 mm ± 0,25 mm |
Épaisseur | >10 mm (personnalisable) |
Orientation de la surface | 4° vers <11-20> ± 0,2° |
Orientation principale à plat | <1-100> ± 5° |
Longueur plate principale | 47,5 mm ± 1,5 mm |
Résistivité | 0,015–0,0285 Ω·cm |
Densité des micropipes | <0,5 |
Densité de piqûres de bore (BPD) | <2000 |
Densité de dislocation des vis de filetage (TSD) | <500 |
Zones de polytype | Aucun |
Retraits de bord | <3, 1 mm de largeur et de profondeur |
Fissures sur les bords | 3, <1 mm/unité |
Emballage | Boîtier de plaquette |
Conclusion
Le lingot de SiC de 6 pouces – type N Dummy/Prime est un matériau haut de gamme répondant aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs. Sa conductivité thermique élevée, sa résistivité exceptionnelle et sa faible densité de défauts en font un excellent choix pour la production de dispositifs électroniques de puissance avancés, de composants automobiles, de systèmes de télécommunications et de systèmes d'énergie renouvelable. Son épaisseur personnalisable et ses spécifications de précision permettent à ce lingot de SiC de s'adapter à un large éventail d'applications, garantissant performances et fiabilité élevées dans des environnements exigeants. Pour plus d'informations ou pour passer commande, veuillez contacter notre équipe commerciale.
Diagramme détaillé



