Bateau porte-plaquettes en carbure de silicium (SiC)

Image présentée d'un porte-plaquettes en carbure de silicium (SiC)

Description courte :

Le porte-plaquettes en carbure de silicium (SiC) est un support de traitement semi-conducteur fabriqué en matériau SiC de haute pureté, conçu pour contenir et transporter des plaquettes lors de processus critiques à haute température tels que l'épitaxie, l'oxydation, la diffusion et le recuit.

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Caractéristiques

Diagramme détaillé

Aperçu du verre de quartz

Avec le développement rapide des semi-conducteurs de puissance et des dispositifs à large bande interdite, les nacelles en quartz classiques présentent des limitations telles que la déformation à haute température, une forte contamination particulaire et une durée de vie réduite. Les nacelles en carbure de silicium (SiC), grâce à leur stabilité thermique supérieure, leur faible contamination et leur durée de vie prolongée, remplacent de plus en plus les nacelles en quartz et deviennent le choix privilégié pour la fabrication de dispositifs en SiC.

Caractéristiques principales

1. Avantages matériels

Fabriqué à partir de SiC de haute pureté avecdureté et résistance élevées.
Point de fusion supérieur à 2700 °C, bien plus élevé que celui du quartz, assurant une stabilité à long terme dans des environnements extrêmes.

2. Propriétés thermiques

Conductivité thermique élevée pour un transfert de chaleur rapide et uniforme, minimisant les contraintes sur la plaquette.
Le coefficient de dilatation thermique (CTE) correspond étroitement aux substrats SiC, réduisant ainsi la courbure et la fissuration des plaquettes.

3. Stabilité chimique

Stable à haute température et sous diverses atmosphères (H₂, N₂, Ar, NH₃, etc.).
Excellente résistance à l'oxydation, empêchant la décomposition et la formation de particules.

4. Performance du processus

Une surface lisse et dense réduit le détachement de particules et la contamination.
Maintient sa stabilité dimensionnelle et sa capacité de charge après une utilisation prolongée.

5. Rentabilité

Durée de vie 3 à 5 fois supérieure à celle des bateaux en quartz.
Maintenance moins fréquente, réduisant les temps d'arrêt et les coûts de remplacement.

Applications

Épitaxie de SiC: Support des substrats SiC de 4, 6 et 8 pouces lors de la croissance épitaxiale à haute température.
Fabrication de dispositifs de puissance: Idéal pour les MOSFET SiC, les diodes Schottky (SBD), les IGBT et autres dispositifs.
Traitement thermiqueProcédés de recuit, de nitruration et de carbonisation.
Oxydation et diffusionPlateforme de support de plaquette stable pour l'oxydation et la diffusion à haute température.

Spécifications techniques

Article	Spécification
Matériel	Carbure de silicium (SiC) de haute pureté
Taille de la plaquette	4 pouces / 6 pouces / 8 pouces (personnalisable)
Température de fonctionnement maximale	≤ 1800 °C
Coefficient de dilatation thermique (CTE)	4,2 × 10⁻⁶ /K (proche du substrat SiC)
Conductivité thermique	120–200 W/m·K
Rugosité de surface	Ra < 0,2 μm
Parallélisme	±0,1 mm
Durée de vie	≥ 3 fois plus longs que les bateaux en quartz

Comparaison : Bateau en quartz vs bateau en SiC

Dimension	Bateau à quartz	Bateau SiC
Résistance à la température	≤ 1200°C, déformation à haute température.	≤ 1800 °C, thermiquement stable
Correspondance du CTE avec le SiC	Désadaptation importante, risque de contrainte de la plaquette	Correspondance étroite, réduit la fissuration des plaquettes
Contamination particulaire	Élevé, génère des impuretés	Surface basse, lisse et dense
Durée de vie	remplacement court et fréquent	Longue durée de vie, 3 à 5 fois plus longue
Processus approprié	Épitaxie conventionnelle du silicium	Optimisé pour l'épitaxie SiC et les dispositifs de puissance

FAQ – Plateformes pour plaquettes de carbure de silicium (SiC)

1. Qu'est-ce qu'un bateau pour plaquette de SiC ?

Un porte-plaquettes en carbure de silicium (SiC) est un support de traitement des semi-conducteurs fabriqué en carbure de silicium de haute pureté. Il sert à maintenir et transporter les plaquettes lors de procédés à haute température tels que l'épitaxie, l'oxydation, la diffusion et le recuit. Comparés aux porte-plaquettes en quartz traditionnels, les porte-plaquettes en SiC offrent une stabilité thermique supérieure, une contamination moindre et une durée de vie plus longue.

2. Pourquoi choisir des porte-plaquettes en SiC plutôt que des porte-plaquettes en quartz ?

résistance à des températures plus élevées: Stable jusqu'à 1800°C par rapport au quartz (≤1200°C).
Meilleure correspondance CTEProximité des substrats en SiC, minimisant les contraintes et les fissures sur la plaquette.
Génération de particules plus faibleUne surface lisse et dense réduit la contamination.
Durée de vie plus longue: 3 à 5 fois plus longs que les bateaux en quartz, ce qui réduit le coût d'entretien.

3. Quelles sont les tailles de plaquettes que les porte-plaquettes SiC peuvent supporter ?

Nous proposons des modèles standard pour4 pouces, 6 pouces et 8 poucesplaquettes, entièrement personnalisables pour répondre aux besoins des clients.

4. Dans quels procédés les porte-plaquettes de SiC sont-ils couramment utilisés ?

croissance épitaxiale de SiC
Fabrication de dispositifs semi-conducteurs de puissance (MOSFET SiC, SBD, IGBT)
Recuit à haute température, nitruration et carbonisation
Processus d'oxydation et de diffusion

À propos de nous

XKH est spécialisée dans le développement, la production et la vente de verres optiques spéciaux et de nouveaux matériaux cristallins de haute technologie. Nos produits sont destinés à l'électronique optique, à l'électronique grand public et au secteur militaire. Nous proposons des composants optiques en saphir, des films de protection pour objectifs de téléphones portables, de la céramique, du LT, du carbure de silicium (SiC), du quartz et des plaquettes de cristal semi-conducteur. Grâce à notre expertise et à nos équipements de pointe, nous excellons dans la transformation de produits non standard, avec pour ambition de devenir une entreprise leader dans le domaine des matériaux optoélectroniques.