Plaquette de silicium à couche mince d'oxyde thermique SiO2 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces

Le processus principal de fabrication de plaquettes de silicium oxydé comprend généralement les étapes suivantes : croissance du silicium monocristallin, découpe en plaquettes, polissage, nettoyage et oxydation.

Croissance du silicium monocristallin : Le silicium monocristallin est d'abord cultivé à haute température par des méthodes telles que la méthode de Czochralski ou la méthode de la zone flottante. Cette méthode permet la préparation de monocristaux de silicium présentant une pureté élevée et une intégrité de réseau élevée.

Découpage : Le silicium monocristallin obtenu est généralement de forme cylindrique et doit être découpé en fines plaquettes pour servir de substrat. La découpe est généralement réalisée à l'aide d'une fraise diamantée.

Polissage : La surface de la plaquette découpée peut être irrégulière et nécessite un polissage chimico-mécanique pour obtenir une surface lisse.

Nettoyage : La plaquette polie est nettoyée pour éliminer les impuretés et la poussière.

Oxydation : Enfin, les plaquettes de silicium sont placées dans un four à haute température pour un traitement oxydant afin de former une couche protectrice de dioxyde de silicium pour améliorer ses propriétés électriques et sa résistance mécanique, ainsi que pour servir de couche isolante dans les circuits intégrés.

Les principales utilisations des plaquettes de silicium oxydé comprennent la fabrication de circuits intégrés, de cellules solaires et d'autres dispositifs électroniques. Les plaquettes d'oxyde de silicium sont largement utilisées dans le domaine des matériaux semi-conducteurs en raison de leurs excellentes propriétés mécaniques, de leur stabilité dimensionnelle et chimique, de leur capacité à fonctionner à haute température et haute pression, ainsi que de leurs bonnes propriétés isolantes et optiques.

Ses avantages comprennent une structure cristalline complète, une composition chimique pure, des dimensions précises, de bonnes propriétés mécaniques, etc. Ces caractéristiques rendent les plaquettes d'oxyde de silicium particulièrement adaptées à la fabrication de circuits intégrés hautes performances et d'autres dispositifs microélectroniques.