Plaquette de silicium à couche mince d'oxyde thermique SiO2, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces

Brève description :

Nous pouvons fournir un substrat à couche mince supraconducteur à haute température, des couches minces magnétiques et un substrat à couche mince ferroélectrique, des cristaux semi-conducteurs, des cristaux optiques, des matériaux à cristaux laser, en même temps fournir une orientation et des universités et instituts de recherche étrangers pour fournir une haute qualité (ultra lisse, ultra lisse, ultra propre)

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Détail du produit

Mots clés du produit

Présentation de la boîte à plaquettes

Le processus principal de fabrication de tranches de silicium oxydé comprend généralement les étapes suivantes : croissance du silicium monocristallin, découpe en tranches, polissage, nettoyage et oxydation.

Croissance du silicium monocristallin : Premièrement, le silicium monocristallin est cultivé à haute température par des méthodes telles que la méthode Czochralski ou la méthode Float-zone. Cette méthode permet la préparation de monocristaux de silicium avec une pureté et une intégrité de réseau élevées.

Découpage en dés : le silicium monocristallin développé a généralement une forme cylindrique et doit être découpé en fines tranches pour être utilisé comme substrat de tranche. La découpe se fait généralement avec une fraise diamantée.

Polissage : La surface de la plaquette découpée peut être inégale et nécessite un polissage chimico-mécanique pour obtenir une surface lisse.

Nettoyage : La plaquette polie est nettoyée pour éliminer les impuretés et la poussière.

Oxydant : Enfin, les tranches de silicium sont placées dans un four à haute température pour un traitement oxydant afin de former une couche protectrice de dioxyde de silicium pour améliorer ses propriétés électriques et sa résistance mécanique, ainsi que pour servir de couche isolante dans les circuits intégrés.

Les principales utilisations des plaquettes de silicium oxydées comprennent la fabrication de circuits intégrés, la fabrication de cellules solaires et la fabrication d'autres appareils électroniques. Les plaquettes d'oxyde de silicium sont largement utilisées dans le domaine des matériaux semi-conducteurs en raison de leurs excellentes propriétés mécaniques, de leur stabilité dimensionnelle et chimique, de leur capacité à fonctionner à des températures et des pressions élevées, ainsi que de leurs bonnes propriétés isolantes et optiques.

Ses avantages incluent une structure cristalline complète, une composition chimique pure, des dimensions précises, de bonnes propriétés mécaniques, etc. Ces caractéristiques rendent les plaquettes d'oxyde de silicium particulièrement adaptées à la fabrication de circuits intégrés hautes performances et d'autres dispositifs microélectroniques.