Plaquette de silicium à couche mince d'oxyde thermique SiO2, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces

Le principal procédé de fabrication des plaquettes de silicium oxydé comprend généralement les étapes suivantes : croissance du silicium monocristallin, découpe en plaquettes, polissage, nettoyage et oxydation.

Croissance du silicium monocristallin : Le silicium monocristallin est d’abord cultivé à haute température par des méthodes telles que la méthode Czochralski ou la méthode de la zone flottante. Cette méthode permet la préparation de monocristaux de silicium de haute pureté et d’intégrité cristalline.

Découpe : Le silicium monocristallin obtenu se présente généralement sous forme cylindrique et doit être découpé en fines tranches pour servir de substrat. La découpe est généralement effectuée à l’aide d’un outil de découpe diamant.

Polissage : La surface de la plaquette découpée peut être irrégulière et nécessite un polissage chimico-mécanique pour obtenir une surface lisse.

Nettoyage : La plaquette polie est nettoyée pour éliminer les impuretés et la poussière.

Oxydation : Enfin, les plaquettes de silicium sont placées dans un four à haute température pour un traitement d’oxydation afin de former une couche protectrice de dioxyde de silicium pour améliorer leurs propriétés électriques et leur résistance mécanique, ainsi que pour servir de couche isolante dans les circuits intégrés.

Les principales applications des plaquettes de silicium oxydé comprennent la fabrication de circuits intégrés, de cellules solaires et d'autres dispositifs électroniques. Les plaquettes d'oxyde de silicium sont largement utilisées dans le domaine des matériaux semi-conducteurs en raison de leurs excellentes propriétés mécaniques, de leur stabilité dimensionnelle et chimique, de leur capacité à fonctionner à haute température et haute pression, ainsi que de leurs bonnes propriétés isolantes et optiques.

Ses avantages comprennent une structure cristalline complète, une composition chimique pure, des dimensions précises, de bonnes propriétés mécaniques, etc. Ces caractéristiques rendent les plaquettes d'oxyde de silicium particulièrement adaptées à la fabrication de circuits intégrés hautes performances et d'autres dispositifs microélectroniques.