Plaquettes de carbure de silicium de 2 pouces 6H ou 4H de type N ou substrats SiC semi-isolants

Brève description :

Le carbure de silicium (SiC), également connu sous le nom de carborundum, est un semi-conducteur contenant du silicium et du carbone de formule chimique SiC. Le SiC est utilisé dans les dispositifs électroniques à semi-conducteurs qui fonctionnent à des températures élevées ou à des tensions élevées, ou les deux. Le SiC est également l'un des composants importants des LED, c'est un substrat populaire pour la croissance des dispositifs GaN, et il sert également de dissipateur de chaleur dans les environnements à haute température. LED d'alimentation.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Produits recommandés

Plaquette SiC 4H de type N

Diamètre : 2 pouces 50,8 mm | 4 pouces 100 mm | 6 pouces 150mm

Orientation : hors axe 4,0˚ vers <1120> ± 0,5˚

Résistivité : < 0,1 ohm.cm

Rugosité : Si-face CMP Ra <0,5 nm, polissage optique C-face Ra <1 nm

Plaquette SiC 4H Semi-isolante

Diamètre : 2 pouces 50,8 mm | 4 pouces 100 mm | 6 pouces 150mm

Orientation : sur l'axe {0001} ± 0,25˚

Résistivité : > 1E5 ohm.cm

Rugosité : Si-face CMP Ra <0,5 nm, polissage optique C-face Ra <1 nm

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