Substrat
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Substrat SIC 12 pouces en carbure de silicium de première qualité, diamètre 300 mm, grande taille, 4H-N. Convient à la dissipation thermique des dispositifs haute puissance.
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Plaquette de saphir de 300 mm de diamètre et 1,0 mm d'épaisseur, plan C, SSP/DSP
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Plaquette HPSI SiC, diamètre : 3 pouces, épaisseur : 350 µm ± 25 µm pour l’électronique de puissance
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Substrat saphir 8 pouces (200 mm), plaquette de saphir mince, 1SP, 2SP, 0,5 mm, 0,75 mm
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Plaquette de carbure de silicium SiC de 8 pouces, type 4H-N, épaisseur 0,5 mm, qualité production, qualité recherche, substrat poli sur mesure
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Plaquettes de saphir monocristallines d'Al₂O₃ à 99,999 % de pureté, diamètre 200 mm, épaisseur 1,0 mm x 0,75 mm
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Plaquette de saphir de 156 mm ou 159 mm (6 pouces) pour support C-Plane DSP TTV
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Plaquettes de saphir monocristallin Al2O3 de 4 pouces, axe C/A/M, substrat de saphir haute dureté SSP DSP
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Plaquette de SiC semi-isolante de haute pureté (HPSI) de 3 pouces, 350 µm, qualité factice, qualité supérieure
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Substrat SiC de type P, plaquette SiC de 2 pouces de diamètre, nouveau produit
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Plaquettes de carbure de silicium (SiC) de 8 pouces (200 mm), type 4H-N, qualité production, épaisseur 500 µm
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Substrat en carbure de silicium 6H-N de 2 pouces, plaquette de SiC doublement polie, conductrice, de qualité supérieure, qualité MOSFET