Substrat
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Lingot SiC en carbure de silicium, 6 pouces, type N, épaisseur factice/qualité supérieure, peut être personnalisé
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Lingot SiC de type 4H-N, qualité factice, 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, épaisseur : > 10 mm
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Diamètre de la plaquette HPSI SiC : 3 pouces, épaisseur : 350 um ± 25 µm pour l'électronique de puissance
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Plaquette SiC semi-isolante de haute pureté de 3 pouces (HPSI), 350um, qualité factice, qualité supérieure
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Type 4H-N de plaquette de carbure de silicium de substrat de Sic polissage de première qualité de résistance à la corrosion de dureté élevée
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Substrat en carbure de silicium 6H-N, 2 pouces, plaquette Sic, Double qualité conductrice polie, qualité Mos
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Plaquette de carbure de silicium de 2 pouces, Type 6H-N, qualité de recherche, qualité factice, épaisseur 330μm 430μm
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Substrat en carbure de silicium 2 pouces 6H-N, poli double face, diamètre 50.8mm, qualité de production, qualité recherche
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Substrat SIC de type p 4H/6H-P 3C-N TYPE 4 pouces 〈111〉± 0,5°Zéro MPD
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Substrat SiC type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces avec une épaisseur de 350um Qualité de production Qualité factice
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Plaquette SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité zéro MPD, qualité de production, qualité factice
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Plaquette SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plate primaire