Substrat
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Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
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lingot de saphir 3 pouces 4 pouces 6 pouces Monocristal CZ méthode KY Personnalisable
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Substrat en carbure de silicium Sic 2 pouces 6H-N Type 0,33 mm 0,43 mm Polissage double face Haute conductivité thermique Faible consommation d'énergie
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Substrat de plaquette épitaxiale haute puissance GaAs, plaquette d'arséniure de gallium, longueur d'onde laser de puissance 905 nm pour traitement médical au laser
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Plaquette épitaxiale laser GaAs 4 pouces 6 pouces VCSEL laser à émission de surface à cavité verticale longueur d'onde 940 nm jonction simple
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Détecteur de lumière APD pour substrat de plaquette épitaxiale InP de 2 pouces, 3 pouces et 4 pouces pour communications par fibre optique ou LiDAR
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bague saphir en matériau saphir synthétique Transparent et personnalisable Dureté Mohs de 9
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Prisme en saphir Lentille en saphir Haute transparence Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Matériau Instrument optique
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bague saphir bague entièrement en saphir Matériau saphir transparent fabriqué en laboratoire
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Lingot de saphir dia 4 pouces × 80 mm monocristallin Al2O3 99,999 % monocristallin
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Substrat SiC 3 pouces 350 µm d'épaisseur type HPSI Prime Grade Dummy grade
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Lingot de carbure de silicium SiC 6 pouces type N, épaisseur de qualité factice/premium, personnalisable