Substrat
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Lingot semi-isolant en carbure de silicium 4H-SiC de 6 pouces, qualité factice
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Lingot de SiC type 4H, diamètre 4 pouces, 6 pouces, épaisseur 5-10 mm, qualité de recherche/factice
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Saphir boule de 6 pouces, monocristal vierge Al2O3 99,999 %
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Plaquette de carbure de silicium à substrat Sic, type 4H-N, dureté élevée, résistance à la corrosion, polissage de première qualité
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Plaquette de carbure de silicium de 2 pouces, type 6H-N, qualité supérieure, qualité recherche, qualité factice, épaisseur 330 μm, 430 μm
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Substrat en carbure de silicium 2 pouces 6H-N poli double face diamètre 50,8 mm qualité production qualité recherche
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Substrat SIC de type p 4H/6H-P 3C-N 4 pouces 〈111〉± 0,5°Zéro MPD
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Substrat SiC type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces avec une épaisseur de 350 um Qualité de production Qualité factice
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Plaquette SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité MPD zéro, qualité de production, qualité factice
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Plaquette SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plate primaire
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Procédé TVG sur plaquette de quartz saphir BF33 Poinçonnage de plaquette de verre
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Plaquette de silicium monocristallin Substrat Si Type N/P Plaquette de carbure de silicium en option