Substrat
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Plaquette InSb 2 pouces 3 pouces non dopée type N type P orientation 111 100 pour détecteurs infrarouges
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Plaquettes d'antimoniure d'indium (InSb) de type N ou P, prêtes pour l'épitaxie, non dopées, dopées au Te ou au Ge, d'une épaisseur de 2, 3 ou 4 pouces.
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Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
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Lingot de saphir 3 pouces 4 pouces 6 pouces Monocristal CZ méthode KY Personnalisable
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Substrat en carbure de silicium SiC de 2 pouces, type 6H-N, polissage double face de 0,33 mm x 0,43 mm, conductivité thermique élevée, faible consommation d'énergie
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Substrat de plaquette épitaxiale de haute puissance GaAs, plaquette d'arséniure de gallium, longueur d'onde laser de 905 nm pour le traitement médical au laser
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Plaquette épitaxiale laser GaAs 4 pouces 6 pouces Laser à émission de surface à cavité verticale VCSEL Longueur d'onde 940 nm Jonction unique
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Substrat épitaxié InP de 2, 3 et 4 pouces, détecteur de lumière APD pour communications par fibre optique ou LiDAR
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Bague en saphir synthétique transparent et personnalisable. Dureté Mohs de 9.
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Bague en saphir, entièrement réalisée en saphir transparent de synthèse.
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Lingot de saphir monocristallin Al₂O₃ 99,999 % de pureté, diamètre 4 pouces × 80 mm
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Prisme en saphir, lentille en saphir, haute transparence, Al2O3, BK7, JGS1, JGS2, matériau, instrument optique