Substrat
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Graine SiC 4H-N Dia205mm de Chine monocristalline de qualité P et D
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Plaquette de silicium de 4 pouces FZ CZ Type N DSP ou SSP, qualité de Test
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Production de substrat SiC Dia150mm 4H-N 6 pouces et qualité factice
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Plaquette d'épitaxie SiC de 6 pouces, type N/P, accepté personnalisé
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Plaquette de saphir de 3 pouces Dia76,2 mm, épaisseur de 0,5 mm, plan C SSP
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Plaquette de silicium de type N ou P de 6 pouces, plaquette CZ Si
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Plaquette SiC Epi 4 pouces pour MOS ou SBD
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Plaquette de silicium à couche mince d'oxyde thermique SiO2, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces
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Lingot SiC de 2 pouces Dia50.8mmx10mmt 4H-N monocristallin
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Plaquette SOI à substrat silicium sur isolant à trois couches pour la microélectronique et la radiofréquence
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Isolateur de tranche SOI sur tranches de silicium SOI (Silicon-On-Insulator) de 8 et 6 pouces
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Plaquette de dioxyde de silicium plaquette SiO2 épaisse polie, qualité primaire et test