Substrat
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Plaquette SOI (Silicon-On-Insulator Substrate) à trois couches pour la microélectronique et les radiofréquences
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Isolant de plaquette SOI sur plaquettes de silicium SOI (Silicon-On-Insulator) de 8 et 6 pouces
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Plaquette épitaxiale SiC de 6 pouces, type N/P, personnalisable
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Plaquette en céramique d'alumine de 4 pouces, pureté 99 %, polycristalline, résistante à l'usure, épaisseur 1 mm
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substrat factice en SiC de 200 mm, qualité 4H-N, plaquette de SiC de 8 pouces
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Plaquette de dioxyde de silicium (SiO2) polie, de qualité primaire et de test
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Graines de SiC monocristallines de qualité P et D, diamètre 205 mm, provenant de Chine (4H-N).
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Plaquette de silicium FZ CZ en stock, 12 pouces, apprêtée ou testée
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Substrat SiC 4H-N 6 pouces de 150 mm de diamètre, qualité production et test
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Plaquette de saphir de 76,2 mm de diamètre (3 pouces), d'une épaisseur de 0,5 mm, plan C, SSP
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Substrat de récupération factice de type P/N (100) 1-100 Ω sur plaquette de silicium de 8 pouces
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Plaquette épitaxiale SiC de 4 pouces pour MOS ou SBD