Système d'orientation des plaquettes pour la mesure de l'orientation des cristaux
Présentation de l'équipement
Les instruments d'orientation de plaquettes sont des dispositifs de précision basés sur les principes de diffraction des rayons X (DRX), principalement utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs, de matériaux optiques, de céramiques et d'autres industries de matériaux cristallins.
Ces instruments déterminent l'orientation du réseau cristallin et guident les processus de découpe ou de polissage précis. Leurs principales caractéristiques sont les suivantes :
- Mesures de haute précision :Capable de résoudre des plans cristallographiques avec des résolutions angulaires allant jusqu'à 0,001°.
- Compatibilité avec les grands échantillons :Prend en charge des plaquettes jusqu'à 450 mm de diamètre et des poids de 30 kg, adaptées à des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC), le saphir et le silicium (Si).
- Conception modulaire :Les fonctionnalités extensibles incluent l'analyse des courbes de bascule, la cartographie des défauts de surface 3D et les dispositifs d'empilement pour le traitement multi-échantillons.
Paramètres techniques clés
Catégorie de paramètre | Valeurs/Configuration typiques |
Source de rayons X | Cu-Kα (point focal 0,4 × 1 mm), tension d'accélération 30 kV, courant de tube réglable 0–5 mA |
Plage angulaire | θ : -10° à +50° ; 2θ : -10° à +100° |
Précision | Résolution de l'angle d'inclinaison : 0,001°, détection des défauts de surface : ±30 secondes d'arc (courbe de bascule) |
Vitesse de numérisation | Le balayage Omega effectue l'orientation complète du réseau en 5 secondes ; le balayage Thêta prend environ 1 minute |
Étape d'échantillonnage | Rainure en V, aspiration pneumatique, rotation multi-angle, compatible avec les plaquettes de 2 à 8 pouces |
Fonctions extensibles | Analyse de courbes de bascule, cartographie 3D, dispositif d'empilement, détection optique de défauts (rayures, GB) |
Principe de fonctionnement
1. Fondation de la diffraction des rayons X
- Les rayons X interagissent avec les noyaux atomiques et les électrons du réseau cristallin, générant des motifs de diffraction. La loi de Bragg (nλ = 2d sinθ) régit la relation entre les angles de diffraction (θ) et l'espacement du réseau (d).
Les détecteurs capturent ces motifs, qui sont analysés pour reconstruire la structure cristallographique.
2. Technologie de numérisation Omega
- Le cristal tourne continuellement autour d'un axe fixe tandis que les rayons X l'illuminent.
- Les détecteurs collectent des signaux de diffraction sur plusieurs plans cristallographiques, permettant une détermination complète de l'orientation du réseau en 5 secondes.
3. Analyse de la courbe de bascule
- Angle de cristal fixe avec angles d'incidence des rayons X variables pour mesurer la largeur du pic (FWHM), évaluer les défauts du réseau et la contrainte.
4. Contrôle automatisé
- Les interfaces PLC et à écran tactile permettent des angles de coupe prédéfinis, un retour d'information en temps réel et une intégration avec des machines de découpe pour un contrôle en boucle fermée.
Avantages et caractéristiques
1. Précision et efficacité
- Précision angulaire ±0,001°, résolution de détection des défauts <30 secondes d'arc.
- La vitesse de numérisation Omega est 200 fois plus rapide que les numérisations Theta traditionnelles.
2. Modularité et évolutivité
- Extensible pour des applications spécialisées (par exemple, plaquettes de SiC, aubes de turbine).
- S'intègre aux systèmes MES pour une surveillance de la production en temps réel.
3. Compatibilité et stabilité
- Convient aux échantillons de forme irrégulière (par exemple, des lingots de saphir fissurés).
- La conception refroidie par air réduit les besoins de maintenance.
4. Fonctionnement intelligent
- Calibrage en un clic et traitement multitâche.
- Auto-étalonnage avec des cristaux de référence pour minimiser l'erreur humaine.
Applications
1. Fabrication de semi-conducteurs
- Orientation de découpe des plaquettes : détermine les orientations des plaquettes Si, SiC, GaN pour une efficacité de découpe optimisée.
- Cartographie des défauts : identifie les rayures ou les dislocations de surface pour améliorer le rendement des copeaux.
2. Matériaux optiques
- Cristaux non linéaires (par exemple, LBO, BBO) pour dispositifs laser.
- Marquage de surface de référence de plaquette de saphir pour substrats LED.
3. Céramiques et composites
- Analyse l'orientation des grains dans Si3N4 et ZrO2 pour les applications à haute température.
4. Recherche et contrôle qualité
- Universités/laboratoires pour le développement de nouveaux matériaux (par exemple, alliages à haute entropie).
- Contrôle qualité industriel pour garantir la cohérence des lots.
Services de XKH
XKH offre un support technique complet tout au long du cycle de vie des instruments d'orientation des plaquettes, incluant l'installation, l'optimisation des paramètres de procédé, l'analyse des courbes de basculement et la cartographie 3D des défauts de surface. Des solutions sur mesure (par exemple, la technologie d'empilement de lingots) sont proposées pour améliorer de plus de 30 % l'efficacité de la production de semi-conducteurs et de matériaux optiques. Une équipe dédiée assure les formations sur site, tandis qu'une assistance à distance 24h/24 et 7j/7 et le remplacement rapide des pièces de rechange garantissent la fiabilité des équipements.