Substrats SiC de 76,2 mm de diamètre (3 pouces) de qualité recherche et test HPSI Prime

Substrat conducteur : désigne un substrat en carbure de silicium d’une résistivité de 15 à 30 mΩ·cm. La plaquette épitaxiale en carbure de silicium, obtenue par croissance sur ce substrat conducteur, peut être transformée en dispositifs de puissance, largement utilisés dans les véhicules à énergies nouvelles, le photovoltaïque, les réseaux intelligents et le transport ferroviaire.

Le terme « substrat semi-isolant » désigne un substrat en carbure de silicium dont la résistivité est supérieure à 100 000 Ω-cm, principalement utilisé dans la fabrication de dispositifs radiofréquences à micro-ondes en nitrure de gallium, et constitue la base du domaine des communications sans fil.

Il s'agit d'un composant fondamental dans le domaine des communications sans fil.

Les substrats conducteurs et semi-isolants en carbure de silicium sont utilisés dans une large gamme de dispositifs électroniques et de dispositifs de puissance, notamment les suivants :

Dispositifs semi-conducteurs de puissance élevée (conducteurs) : les substrats en carbure de silicium présentent une rigidité diélectrique et une conductivité thermique élevées, et conviennent à la production de transistors et de diodes de puissance élevée, ainsi que d’autres dispositifs.

Dispositifs électroniques RF (semi-isolés) : les substrats en carbure de silicium présentent une vitesse de commutation et une tolérance à la puissance élevées, convenant à des applications telles que les amplificateurs de puissance RF, les dispositifs micro-ondes et les commutateurs haute fréquence.

Dispositifs optoélectroniques (semi-isolés) : les substrats en carbure de silicium présentent une large bande interdite et une grande stabilité thermique, ce qui les rend adaptés à la fabrication de photodiodes, de cellules solaires, de diodes laser et d’autres dispositifs.

Capteurs de température (conducteurs) : Les substrats en carbure de silicium possèdent une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées, ce qui les rend adaptés à la production de capteurs haute température et d'instruments de mesure de température.

Le procédé de production et l'application des substrats conducteurs et semi-isolants en carbure de silicium offrent un large éventail de domaines et de potentiels, ouvrant de nouvelles perspectives pour le développement des dispositifs électroniques et des dispositifs de puissance.