Substrats SiC de 3 pouces de diamètre 76,2 mm HPSI Prime Research et qualité factice

Substrat conducteur : fait référence à la résistivité du substrat en carbure de silicium de 15 à 30 mΩ-cm.La tranche épitaxiale de carbure de silicium issue du substrat conducteur en carbure de silicium peut ensuite être transformée en dispositifs électriques, largement utilisés dans les véhicules à énergie nouvelle, le photovoltaïque, les réseaux intelligents et le transport ferroviaire.

Le substrat semi-isolant fait référence à la résistivité supérieure à 100 000 Ω-cm. Le substrat en carbure de silicium, principalement utilisé dans la fabrication de dispositifs radiofréquence micro-ondes en nitrure de gallium, constitue la base du domaine de la communication sans fil.

C'est un composant de base dans le domaine de la communication sans fil.

Les substrats conducteurs et semi-isolants en carbure de silicium sont utilisés dans une large gamme d'appareils électroniques et de dispositifs électriques, y compris, mais sans s'y limiter, les suivants :

Dispositifs semi-conducteurs de haute puissance (conducteurs) : les substrats en carbure de silicium ont une intensité de champ de claquage et une conductivité thermique élevées, et conviennent à la production de transistors et de diodes de puissance de haute puissance et d'autres dispositifs.

Dispositifs électroniques RF (semi-isolés) : les substrats en carbure de silicium ont une vitesse de commutation et une tolérance de puissance élevées, adaptés aux applications telles que les amplificateurs de puissance RF, les dispositifs micro-ondes et les commutateurs haute fréquence.

Dispositifs optoélectroniques (semi-isolés) : les substrats en carbure de silicium ont un large écart énergétique et une stabilité thermique élevée, adaptés à la fabrication de photodiodes, de cellules solaires, de diodes laser et d'autres dispositifs.

Capteurs de température (conducteurs) : les substrats en carbure de silicium ont une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées, adaptés à la production de capteurs à haute température et d'instruments de mesure de température.

Le processus de production et l'application de substrats conducteurs et semi-isolants en carbure de silicium présentent un large éventail de domaines et de potentiels, offrant de nouvelles possibilités pour le développement de dispositifs électroniques et de dispositifs de puissance.