Plaquette de substrat SiC 4H-semi HPSI 2 pouces, Production factice de qualité recherche

Le substrat en carbure de silicium est principalement divisé en type conducteur et semi-isolant, le substrat conducteur en carbure de silicium au substrat de type N est principalement utilisé pour les LED épitaxiales à base de GaN et autres dispositifs optoélectroniques, les dispositifs électroniques de puissance à base de SiC, etc., et semi- Le substrat isolant en carbure de silicium SiC est principalement utilisé pour la fabrication épitaxiale de dispositifs radiofréquence GaN haute puissance.De plus, les semi-isolations HPSI et SI de haute pureté sont différentes, avec une concentration de porteurs de semi-isolation de haute pureté de 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, avec une mobilité électronique élevée ;La semi-isolation est un matériau à haute résistance, la résistivité est très élevée, généralement utilisée pour les substrats de dispositifs micro-ondes, non conducteurs.

Feuille de substrat semi-isolante en carbure de silicium, plaquette SiC

La structure cristalline du SiC détermine ses propriétés physiques, par rapport au Si et au GaAs, le SiC ;la largeur de bande interdite est grande, proche de 3 fois celle du Si, pour garantir que l'appareil fonctionne à des températures élevées avec une fiabilité à long terme ;l'intensité du champ de claquage est élevée, est 1O fois supérieure à celle du Si, pour garantir que la capacité de tension du dispositif améliore la valeur de tension du dispositif ;le taux d'électrons de saturation est grand, est 2 fois celui du Si, pour augmenter la fréquence et la densité de puissance du dispositif ;la conductivité thermique est élevée, plus que le Si, la conductivité thermique est élevée, la conductivité thermique est élevée, la conductivité thermique est élevée, la conductivité thermique est élevée, plus que le Si, la conductivité thermique est élevée, la conductivité thermique est élevée.Conductivité thermique élevée, plus de 3 fois celle du Si, augmentant la capacité de dissipation thermique de l'appareil et réalisant la miniaturisation de l'appareil.