Plaquette épitaxiale GaN sur silicium de 150 mm, 200 mm, 6 pouces et 8 pouces
Méthode de fabrication
Le procédé de fabrication consiste à faire croître des couches de GaN sur un substrat de saphir à l'aide de techniques avancées telles que le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Le dépôt est réalisé dans des conditions contrôlées afin de garantir une haute qualité cristalline et un film uniforme.
Applications des puces GaN sur saphir de 6 pouces : les puces sur substrat de saphir de 6 pouces sont largement utilisées dans les communications micro-ondes, les systèmes radar, la technologie sans fil et l’optoélectronique.
Voici quelques applications courantes :
1. Amplificateur de puissance RF
2. L'industrie de l'éclairage LED
3. Équipement de communication réseau sans fil
4. Appareils électroniques en environnement à haute température
5. Dispositifs optoélectroniques
Spécifications du produit
- Taille : Le diamètre du substrat est de 6 pouces (environ 150 mm).
- Qualité de surface : La surface a été finement polie pour offrir une excellente qualité miroir.
- Épaisseur : L'épaisseur de la couche de GaN peut être personnalisée en fonction des exigences spécifiques.
- Emballage : Le substrat est soigneusement emballé avec des matériaux antistatiques afin d'éviter tout dommage pendant le transport.
- Bords de positionnement : Le substrat possède des bords de positionnement spécifiques qui facilitent l’alignement et le fonctionnement lors de la préparation du dispositif.
- Autres paramètres : Des paramètres spécifiques tels que la finesse, la résistivité et la concentration de dopage peuvent être ajustés en fonction des exigences du client.
Grâce à leurs propriétés matérielles supérieures et à leurs applications diverses, les plaquettes de substrat en saphir de 6 pouces constituent un choix fiable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs haute performance dans diverses industries.
| Substrat | Si de type p 6” 1mm <111> | Si de type p 6” 1mm <111> |
| Épaisseur moyenne de l'épi | ~5 µm | ~7 µm |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arc | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Craquement | <5 mm | <5 mm |
| Vertical BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Épaisseur moyenne | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Condensateur SiN in situ | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilité | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohms/sq (<2%) | <330 ohms/sq (<2%) |
Diagramme détaillé
