Plaquette épitaxiale de nitrure de gallium GaN sur silicium (150 mm, 200 mm, 6 pouces, 8 pouces)
Méthode de fabrication
Le procédé de fabrication consiste à faire croître des couches de GaN sur un substrat en saphir à l'aide de techniques avancées telles que le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Le dépôt est réalisé dans des conditions contrôlées afin de garantir une qualité cristalline élevée et un film uniforme.
Applications GaN sur saphir de 6 pouces : les puces de substrat en saphir de 6 pouces sont largement utilisées dans les communications par micro-ondes, les systèmes radar, la technologie sans fil et l'optoélectronique.
Certaines applications courantes incluent
1. Amplificateur de puissance RF
2. Industrie de l'éclairage LED
3. Équipement de communication réseau sans fil
4. Appareils électroniques dans un environnement à haute température
5. Dispositifs optoélectroniques
Spécifications du produit
- Taille : Le diamètre du substrat est de 6 pouces (environ 150 mm).
- Qualité de surface : La surface a été finement polie pour offrir une excellente qualité de miroir.
- Épaisseur : L'épaisseur de la couche GaN peut être personnalisée en fonction des exigences spécifiques.
- Emballage : Le substrat est soigneusement emballé avec des matériaux antistatiques pour éviter tout dommage pendant le transport.
- Bords de positionnement : Le substrat possède des bords de positionnement spécifiques qui facilitent l'alignement et le fonctionnement lors de la préparation du dispositif.
- Autres paramètres : Des paramètres spécifiques tels que la finesse, la résistivité et la concentration de dopage peuvent être ajustés en fonction des exigences du client.
Grâce à leurs propriétés matérielles supérieures et à leurs diverses applications, les plaquettes de substrat en saphir de 6 pouces constituent un choix fiable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs hautes performances dans diverses industries.
| Substrat | 6” 1 mm <111> Si de type p | 6” 1 mm <111> Si de type p |
| Epi ÉpaisMoyenne | ~5 um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Arc | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Craquage | <5 mm | <5 mm |
| Vertical BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Bouchon SiN in situ | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilité | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 ohm/carré (<2 %) | <330 ohm/carré (<2 %) |
Diagramme détaillé
