GaN sur couche épitaxiale de silicium, 150mm, 200mm, 6 pouces, 8 pouces, plaquette épitaxiale en nitrure de gallium

GaN de 150mm 200mm 6 pouces 8 pouces sur plaquette épitaxiale de silicium, plaquette épitaxiale de nitrure de gallium

Brève description:

La plaquette GaN Epi-layer de 6 pouces est un matériau semi-conducteur de haute qualité composé de couches de nitrure de gallium (GaN) cultivées sur un substrat de silicium.Le matériau possède d’excellentes propriétés de transport électronique et est idéal pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Méthode de fabrication

Le processus de fabrication implique la croissance de couches de GaN sur un substrat de saphir à l'aide de techniques avancées telles que le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE).Le processus de dépôt est effectué dans des conditions contrôlées pour garantir une qualité cristalline élevée et un film uniforme.

Applications GaN-On-Sapphire de 6 pouces : les puces à substrat saphir de 6 pouces sont largement utilisées dans les communications micro-ondes, les systèmes radar, la technologie sans fil et l'optoélectronique.

Certaines applications courantes incluent

1. Amplificateur de puissance RF

2. Industrie de l'éclairage LED

3. Équipement de communication réseau sans fil

4. Appareils électroniques dans un environnement à haute température

5. Dispositifs optoélectroniques

Spécifications du produit

- Taille : le diamètre du substrat est de 6 pouces (environ 150 mm).

- Qualité de surface : La surface a été finement polie pour offrir une excellente qualité de miroir.

- Épaisseur : L'épaisseur de la couche de GaN peut être personnalisée en fonction d'exigences spécifiques.

- Emballage : Le substrat est soigneusement emballé avec des matériaux antistatiques pour éviter tout dommage pendant le transport.

- Bords de positionnement : Le substrat présente des bords de positionnement spécifiques qui facilitent l'alignement et le fonctionnement lors de la préparation du dispositif.

- Autres paramètres : Des paramètres spécifiques tels que la finesse, la résistivité et la concentration de dopage peuvent être ajustés selon les exigences du client.

Grâce à leurs propriétés matérielles supérieures et à leurs diverses applications, les plaquettes de substrat en saphir de 6 pouces constituent un choix fiable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs hautes performances dans diverses industries.

Substrat	6" 1 mm <111> type p Si	6" 1 mm <111> type p Si
Epi ÉpaisMoy.	~5um	~7um
Epi ÉpaisUnif	<2%	<2%
Arc	+/-45um	+/-45um
Fissuration	<5mm	<5mm
BV verticale	>1000V	>1400V
HEMTAl%	25-35%	25-35%
HEMT ÉpaisMoy.	20-30 nm	20-30 nm
Capuchon Insitu SiN	5-60 nm	5-60 nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilité	~2000 cm²/Vs (<2%)	~2000 cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/m² (<2%)	<330ohm/m² (<2%)