Substrat de wafer GaN de 200 mm et 8 pouces sur couche épitaxiale de saphir
Présentation du produit
Le substrat GaN sur saphir de 8 pouces est un matériau semi-conducteur de haute qualité composé d'une couche de nitrure de gallium (GaN) déposée sur un substrat de saphir. Ce matériau offre d'excellentes propriétés de transport électronique et est idéal pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence.
Méthode de fabrication
Le procédé de fabrication implique la croissance épitaxiale d'une couche de GaN sur un substrat de saphir à l'aide de techniques avancées telles que le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Le dépôt est réalisé dans des conditions contrôlées afin de garantir une qualité cristalline élevée et une uniformité du film.
Applications
Le substrat GaN sur saphir de 8 pouces trouve de nombreuses applications dans divers domaines, notamment les communications micro-ondes, les systèmes radar, les technologies sans fil et l'optoélectronique. Parmi les applications courantes, on peut citer :
1. Amplificateurs de puissance RF
2. Industrie de l'éclairage LED
3. Dispositifs de communication réseau sans fil
4. Appareils électroniques pour environnements à haute température
5. Odispositifs ptoélectroniques
Spécifications du produit
-Dimension : La taille du substrat est de 8 pouces (200 mm) de diamètre.
- Qualité de surface : La surface est polie avec un degré élevé de douceur et présente une excellente qualité de miroir.
- Épaisseur : L'épaisseur de la couche GaN peut être personnalisée en fonction d'exigences spécifiques.
- Emballage : Le substrat est soigneusement emballé dans des matériaux antistatiques pour éviter tout dommage pendant le transport.
- Orientation plate : le substrat présente une orientation plate spécifique pour faciliter l'alignement et la manipulation des plaquettes pendant les processus de fabrication des dispositifs.
- Autres paramètres : Les spécificités de l'épaisseur, de la résistivité et de la concentration en dopant peuvent être adaptées selon les exigences du client.
Avec ses propriétés matérielles supérieures et ses applications polyvalentes, le substrat GaN sur saphir de 8 pouces est un choix fiable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs hautes performances dans diverses industries.
Outre le GaN sur saphir, nous proposons également des applications pour les composants de puissance. Notre gamme de produits comprend des plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN sur Si de 8 pouces et des plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN sur Si de 8 pouces à capuchon P. Parallèlement, nous avons innové dans l'application de notre propre technologie avancée d'épitaxie GaN de 8 pouces aux micro-ondes et développé une plaquette épitaxiale AlGaN/GAN sur Si HR de 8 pouces alliant hautes performances, grand format, faible coût et compatible avec le traitement standard des composants de 8 pouces. Outre le nitrure de gallium à base de silicium, nous proposons également une gamme de plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN sur SiC pour répondre aux besoins de nos clients en matériaux épitaxiaux à base de nitrure de gallium à base de silicium.
Diagramme détaillé
