Substrat de plaquette épitaxié GaN sur saphir de 200 mm (8 pouces)
Présentation du produit
Le substrat GaN sur saphir de 8 pouces est un matériau semi-conducteur de haute qualité composé d'une couche de nitrure de gallium (GaN) déposée sur un substrat de saphir. Ce matériau offre d'excellentes propriétés de transport électronique et est idéal pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence.
Méthode de fabrication
Le procédé de fabrication consiste en la croissance épitaxiale d'une couche de GaN sur un substrat de saphir par des techniques avancées telles que le dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Le dépôt est réalisé dans des conditions contrôlées afin de garantir une haute qualité cristalline et une grande uniformité du film.
Applications
Le substrat GaN sur saphir de 8 pouces trouve de nombreuses applications dans divers domaines, notamment les communications micro-ondes, les systèmes radar, les technologies sans fil et l'optoélectronique. Voici quelques applications courantes :
1. Amplificateurs de puissance RF
2. L'industrie de l'éclairage LED
3. Dispositifs de communication réseau sans fil
4. Dispositifs électroniques pour environnements à haute température
5. Oappareils ptoélectroniques
Spécifications du produit
-Dimension : Le diamètre du substrat est de 8 pouces (200 mm).
- Qualité de surface : La surface est polie avec un haut degré de douceur et présente une excellente qualité miroir.
- Épaisseur : L'épaisseur de la couche de GaN peut être personnalisée en fonction des exigences spécifiques.
- Emballage : Le substrat est soigneusement emballé dans des matériaux antistatiques afin d'éviter tout dommage pendant le transport.
- Plan d'orientation : Le substrat possède un plan d'orientation spécifique pour faciliter l'alignement et la manipulation des plaquettes lors des processus de fabrication des dispositifs.
- Autres paramètres : Les spécificités de l’épaisseur, de la résistivité et de la concentration en dopant peuvent être adaptées aux exigences du client.
Grâce à ses propriétés matérielles supérieures et à ses applications polyvalentes, le substrat GaN sur saphir de 8 pouces est un choix fiable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs haute performance dans diverses industries.
Outre le GaN sur saphir, nous proposons également, pour les applications de puissance, une gamme de produits comprenant des plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN sur silicium (8 pouces) et des plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN sur silicium à couche P (8 pouces). Parallèlement, nous avons innové en appliquant notre technologie avancée d'épitaxie GaN 8 pouces au domaine des micro-ondes et développé une plaquette épitaxiale AlGaN/GaN sur silicium HR (8 pouces) alliant hautes performances, grande taille, faible coût et compatibilité avec les procédés de fabrication standard pour dispositifs 8 pouces. En plus du nitrure de gallium sur silicium, nous proposons également une gamme de plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN sur SiC afin de répondre aux besoins de nos clients en matériaux épitaxiaux à base de nitrure de gallium sur silicium.
Diagramme détaillé
