GaN 200 mm 8 pouces sur substrat de plaquette Epi-couche saphir

GaN 200 mm 8 pouces sur substrat de plaquette à couche épi saphir

Brève description :

Le processus de fabrication implique la croissance épitaxiale d'une couche de GaN sur un substrat de saphir à l'aide de techniques avancées telles que le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) ou l'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Le dépôt est effectué dans des conditions contrôlées pour garantir une qualité cristalline élevée et une uniformité du film.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Présentation du produit

Le substrat GaN sur saphir de 8 pouces est un matériau semi-conducteur de haute qualité composé d'une couche de nitrure de gallium (GaN) cultivée sur un substrat saphir. Ce matériau offre d'excellentes propriétés de transport électronique et est idéal pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence.

Méthode de fabrication

Applications

Le substrat GaN sur saphir de 8 pouces trouve de nombreuses applications dans divers domaines, notamment les communications micro-ondes, les systèmes radar, la technologie sans fil et l'optoélectronique. Certaines des applications courantes incluent :

1. Amplificateurs de puissance RF

2. Industrie de l'éclairage LED

3. Appareils de communication réseau sans fil

4. Appareils électroniques pour environnements à haute température

5. Oappareils ptoélectroniques

Spécifications du produit

-Dimension : La taille du substrat est de 8 pouces (200 mm) de diamètre.

- Qualité de surface : la surface est polie à un degré élevé de douceur et présente une excellente qualité semblable à celle d'un miroir.

- Épaisseur : L'épaisseur de la couche de GaN peut être personnalisée en fonction d'exigences spécifiques.

- Emballage : Le substrat est soigneusement emballé dans des matériaux antistatiques pour éviter tout dommage pendant le transport.

- Plat d'orientation : le substrat présente un plat d'orientation spécifique pour faciliter l'alignement et la manipulation de la plaquette pendant les processus de fabrication du dispositif.

- Autres paramètres : Les spécificités de l'épaisseur, de la résistivité et de la concentration en dopant peuvent être adaptées selon les exigences du client.

Grâce à ses propriétés matérielles supérieures et à ses applications polyvalentes, le substrat GaN sur saphir de 8 pouces constitue un choix fiable pour le développement de dispositifs semi-conducteurs hautes performances dans diverses industries.

À l'exception du GaN-On-Sapphire, nous pouvons également proposer des produits dans le domaine des applications de dispositifs de puissance. La famille de produits comprend des plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN-on-Si de 8 pouces et des plaquettes épitaxiales P-cap AlGaN/GaN-on-Si de 8 pouces. plaquettes. Dans le même temps, nous avons innové dans l'application de sa propre technologie avancée d'épitaxie GaN de 8 pouces dans le domaine des micro-ondes et développé une plaquette d'épitaxie AlGaN/GAN-on-HR Si de 8 pouces qui combine hautes performances avec grande taille et faible coût. et compatible avec le traitement standard des appareils de 8 pouces. En plus du nitrure de gallium à base de silicium, nous proposons également une gamme de produits de plaquettes épitaxiales AlGaN/GaN-sur-SiC pour répondre aux besoins des clients en matériaux épitaxiaux au nitrure de gallium à base de silicium.