Plaquettes de SiC de 4 pouces, substrats SiC semi-isolants 6H, qualité primaire, recherche et test

Plaquettes de SiC de 4 pouces, substrats SiC semi-isolants 6H, qualité primaire, recherche et prototype. Image mise en avant.

Description courte :

Le substrat en carbure de silicium semi-isolé est obtenu par découpe, meulage, polissage, nettoyage et autres procédés de fabrication après la croissance du cristal de carbure de silicium semi-isolé. Une ou plusieurs couches cristallines, répondant aux exigences de qualité, sont ensuite déposées par épitaxie sur le substrat. Le dispositif RF micro-ondes est alors réalisé par conception de circuit et encapsulation. Ce substrat est disponible en différentes tailles : 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces, pour les applications industrielles, de recherche et de test.

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Caractéristiques

Spécifications du produit

Grade			Qualité de production zéro MPD (qualité Z)			Qualité de production standard (qualité P)		Note fictive (note D)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Orientation de la plaquette			Hors axe : 4,0° vers < 1120 > ±0,5° pour 4H-N, sur axe : <0001> ±0,5° pour 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientation à plat primaire		{10-10} ±5,0°
Longueur à plat primaire		32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur secondaire à plat		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation secondaire à plat		Face en silicium vers le haut : 90° dans le sens horaire par rapport au plan Prime ±5,0°
Exclusion des bords		3 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			Visage C				polonais		Ra ≤ 1 nm
			Si face	CMP	Ra ≤ 0,2 nm					Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords causées par une lumière de haute intensité		Aucun						Longueur cumulée ≤ 10 mm, unique longueur ≤ 2 mm
Plaques hexagonales éclairées par une lumière de haute intensité		Surface cumulée ≤0,05%						Surface cumulée ≤0,1%
Zones polytypes éclairées par une lumière de haute intensité		Aucun						Surface cumulée ≤ 3 %
Inclusions de carbone visuelles		Surface cumulée ≤0,05%						Surface cumulée ≤3%
Rayures sur la surface du silicone causées par une lumière de haute intensité		Aucun						Longueur cumulée ≤ 1 * diamètre de la plaquette
Puces de bord à haute intensité lumineuse		Aucune dimension ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur n'est autorisée.						5 autorisés, ≤1 mm chacun
Contamination de la surface du silicium par haute intensité		Aucun
Conditionnement		Cassette multi-plaquettes ou conteneur à plaquette unique