Plaquettes SiC de 4 pouces, substrats SiC semi-isolants 6H, qualités principales, de recherche et factices

Brève description :

Le substrat en carbure de silicium semi-isolé est formé par découpe, meulage, polissage, nettoyage et autres procédés de traitement après la croissance du cristal de carbure de silicium semi-isolé. Une couche ou une multicouche cristalline répondant aux exigences de qualité de l'épitaxie est déposée sur le substrat, puis le dispositif RF micro-ondes est fabriqué en combinant la conception du circuit et le packaging. Disponibles en substrats monocristallins en carbure de silicium semi-isolé de qualité industrielle, de recherche et de test de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces.

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Détails du produit

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Spécifications du produit

Grade			Grade de production MPD zéro (grade Z)			Qualité de production standard (qualité P)		Note factice (note D)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orientation des plaquettes			Hors axe : 4,0° vers < 1120 > ±0,5° pour 4H-N, Sur axe : <0001>±0,5° pour 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientation principale à plat		{10-10} ±5,0°
Longueur plate principale		32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientation secondaire à plat		Face silicone vers le haut : 90° CW. à partir du plat Prime ±5,0°
Exclusion des bords		3 mm
LTV/TTV/Arc/Déformation		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			visage C				polonais		Ra ≤ 1 nm
			Si face	CMP	Ra ≤ 0,2 nm					Ra ≤ 0,5 nm
Fissures sur les bords par lumière de haute intensité		Aucun						Longueur cumulée ≤ 10 mm, simple longueur ≤ 2 mm
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité		Surface cumulée ≤ 0,05 %						Surface cumulée ≤ 0,1 %
Zones de polytypie par lumière de haute intensité		Aucun						Surface cumulée ≤ 3 %
Inclusions visuelles de carbone		Surface cumulée ≤ 0,05 %						Surface cumulée ≤ 3 %
Rayures de surface en silicium causées par une lumière de haute intensité		Aucun						Longueur cumulée ≤ 1 ＊ diamètre de la plaquette
Éclats de bord élevés grâce à la lumière d'intensité		Aucune autorisée ≥ 0,2 mm de largeur et de profondeur						5 autorisés, ≤ 1 mm chacun
Contamination de surface du silicium par haute intensité		Aucun
Conditionnement		Cassette multi-plaquettes ou conteneur à gaufrette unique