Plaquettes SiC de 4 pouces, substrats SiC semi-isolants 6H, qualité primaire, recherche et factice

Plaquettes SiC de 4 pouces Substrats SiC semi-isolants 6H de qualité supérieure, de recherche et factice

Brève description:

Le substrat semi-isolé en carbure de silicium est formé par coupe, meulage, polissage, nettoyage et autres technologies de traitement après la croissance du cristal de carbure de silicium semi-isolé.Une couche ou une couche de cristal multicouche est développée sur le substrat qui répond aux exigences de qualité de l'épitaxie, puis le dispositif RF micro-ondes est fabriqué en combinant la conception et le conditionnement du circuit.Disponible sous forme de substrats monocristallins semi-isolés en carbure de silicium de qualité industrielle, de recherche et de test de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Spécification de produit

Grade			Qualité de production zéro MPD (qualité Z)			Qualité de production standard (catégorie P)		Catégorie factice (catégorie D)
Diamètre			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orientation de la plaquette			Hors axe : 4.0° vers< 1120 > ±0.5° pour 4H-N, Sur axe : <0001>±0.5° pour 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientation plate principale		{10-10} ±5,0°
Longueur à plat primaire		32,5 mm ± 2,0 mm
Longueur plate secondaire		18,0 mm±2,0 mm
Orientation plate secondaire		Silicium face vers le haut : 90° CW.à partir du premier plat ±5,0°
Exclusion de bord		3 mm
LTV/TTV/Arc/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité			visage C				polonais		Ra≤1 nm
			Si visage	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Fissures des bords causées par une lumière à haute intensité		Aucun						Longueur cumulée ≤ 10 mm, simple longueur≤2 mm
Plaques hexagonales par lumière de haute intensité		Superficie cumulée ≤0,05%						Superficie cumulée ≤0,1%
Zones polytypiques par lumière de haute intensité		Aucun						Superficie cumulée≤3 %
Inclusions visuelles de carbone		Superficie cumulée ≤0,05%						Superficie cumulée ≤3%
La surface du silicium est rayée par une lumière de haute intensité		Aucun						Longueur cumulée ≤ 1 ＊ diamètre de la plaquette
Puces de bord élevées par intensité lumineuse		Aucun autorisé ≥0,2 mm de largeur et de profondeur						5 autorisés, ≤1 mm chacun
Contamination de la surface du silicium par haute intensité		Aucun
Emballage		Cassette multi-gaufrettes ou conteneur de plaquettes simples