Plaquettes de carbure de silicium SiC de 6 pouces (150 mm) de type 4H-N pour la production de MOS ou de SBD, la recherche et la fabrication de produits factices

Brève description :

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces est un matériau haute performance doté d'excellentes propriétés physiques et chimiques. Fabriqué à partir de carbure de silicium monocristallin de haute pureté, il présente une conductivité thermique, une stabilité mécanique et une résistance aux températures élevées supérieures. Fabriqué grâce à des procédés de fabrication de précision et à des matériaux de haute qualité, ce substrat est devenu le matériau de prédilection pour la fabrication de dispositifs électroniques à haut rendement dans divers domaines.

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Domaines d'application

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces joue un rôle crucial dans de nombreux secteurs. Il est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour la fabrication de composants électroniques de forte puissance tels que les transistors de puissance, les circuits intégrés et les modules de puissance. Sa conductivité thermique élevée et sa résistance aux températures élevées permettent une meilleure dissipation thermique, améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité. Les plaquettes de carbure de silicium sont également essentielles à la recherche pour le développement de nouveaux matériaux et dispositifs. De plus, elles trouvent de nombreuses applications en optoélectronique, notamment pour la fabrication de LED et de diodes laser.

Spécifications du produit

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces présente un diamètre de 6 pouces (environ 152,4 mm). Sa rugosité de surface est Ra < 0,5 nm et son épaisseur est de 600 ± 25 μm. Le substrat peut être personnalisé avec une conductivité de type N ou P, selon les besoins du client. De plus, il présente une stabilité mécanique exceptionnelle, lui permettant de résister à la pression et aux vibrations.

Diamètre		150 ± 2,0 mm (6 pouces)
Épaisseur		350 μm±25 μm
Orientation		Sur l'axe ： <0001>±0,5°		Hors axe : 4,0° vers 1120 ± 0,5°
Polytype		4H
Résistivité (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientation principale à plat		{10-10}±5,0°
Longueur du plat primaire (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Bord		Chanfreiner
TTV/Arc/Déformation (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM avant (Si-face)		Polonais Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤ 3 μm (10 mm x 10 mm)	≤ 5 μm (10 mm x 10 mm)		≤10 μm (10 mm * 10 mm)
TTV		≤ 5 μm	≤10 μm		≤15 μm
Peau d'orange/noyaux/fissures/contamination/taches/stries		Aucun	Aucun		Aucun
retraits		Aucun	Aucun		Aucun

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces est un matériau hautes performances largement utilisé dans les secteurs des semi-conducteurs, de la recherche et de l'optoélectronique. Il offre une excellente conductivité thermique, une stabilité mécanique et une résistance aux températures élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de dispositifs électroniques de forte puissance et la recherche sur les nouveaux matériaux. Nous proposons diverses spécifications et options de personnalisation pour répondre aux diverses demandes de nos clients.Contactez-nous pour plus de détails sur les plaquettes de carbure de silicium !