Plaquettes SiC en carbure de silicium de 6 pouces, 150mm, type 4H-N, pour la recherche sur la production MOS ou SBD et la qualité factice

Brève description :

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces est un matériau haute performance doté d'excellentes propriétés physiques et chimiques. Fabriqué à partir d'un matériau monocristallin de carbure de silicium de haute pureté, il présente une conductivité thermique, une stabilité mécanique et une résistance aux températures élevées supérieures. Ce substrat, fabriqué selon des procédés de fabrication de précision et des matériaux de haute qualité, est devenu le matériau privilégié pour la fabrication d'appareils électroniques à haut rendement dans divers domaines.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Champs d'application

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces joue un rôle crucial dans plusieurs industries. Premièrement, il est largement utilisé dans l’industrie des semi-conducteurs pour la fabrication de dispositifs électroniques de haute puissance tels que des transistors de puissance, des circuits intégrés et des modules de puissance. Sa conductivité thermique élevée et sa résistance aux températures élevées permettent une meilleure dissipation de la chaleur, ce qui se traduit par une efficacité et une fiabilité améliorées. Deuxièmement, les plaquettes de carbure de silicium sont essentielles dans les domaines de recherche pour le développement de nouveaux matériaux et dispositifs. De plus, la plaquette de carbure de silicium trouve de nombreuses applications dans le domaine de l'optoélectronique, notamment la fabrication de LED et de diodes laser.

Spécifications du produit

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces a un diamètre de 6 pouces (environ 152,4 mm). La rugosité de la surface est Ra < 0,5 nm et l'épaisseur est de 600 ± 25 µm. Le substrat peut être personnalisé avec une conductivité de type N ou de type P, en fonction des exigences du client. De plus, il présente une stabilité mécanique exceptionnelle, capable de résister à la pression et aux vibrations.

Diamètre		150 ± 2,0 mm (6 pouces)
Épaisseur		350 μm ± 25 μm
Orientation		Sur l'axe ： <0001>±0.5°		Hors axe : 4,0° vers 1120 ± 0,5°
Polytype		4H
Résistivité(Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Orientation principale à plat		{10-10}±5,0°
Longueur du plat primaire (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Bord		Chanfreiner
TTV/Arc/Warp (euh)		≤15 /≤40 /≤60
AFM avant (face Si)		Polonais Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Peau d'orange/piqûres/fissures/contamination/taches/striations		Aucun	Aucun		Aucun
retraits		Aucun	Aucun		Aucun

Le substrat monocristallin en carbure de silicium de 6 pouces est un matériau haute performance largement utilisé dans les industries des semi-conducteurs, de la recherche et de l'optoélectronique. Il offre une excellente conductivité thermique, une stabilité mécanique et une résistance aux températures élevées, ce qui le rend adapté à la fabrication de dispositifs électroniques de haute puissance et à la recherche de nouveaux matériaux. Nous proposons diverses spécifications et options de personnalisation pour répondre aux diverses demandes des clients.Contactez-nous pour plus de détails sur les plaquettes en carbure de silicium !