Lingot de SiC type 4H, diamètre 4 ou 6 pouces, épaisseur 5 à 10 mm, qualité recherche/test

Lingot de SiC type 4H, diamètre 4 ou 6 pouces, épaisseur 5-10 mm, qualité recherche/essai (image présentée)

Description courte :

Le carbure de silicium (SiC) s'est imposé comme un matériau clé dans les applications électroniques et optoélectroniques avancées grâce à ses propriétés électriques, thermiques et mécaniques exceptionnelles. Le lingot de 4H-SiC, disponible en diamètres de 4 et 6 pouces et en épaisseurs de 5 à 10 mm, est un produit de base pour la recherche et le développement, ou comme matériau de test. Ce lingot est conçu pour fournir aux chercheurs et aux fabricants des substrats en SiC de haute qualité, adaptés à la fabrication de prototypes, aux études expérimentales, ainsi qu'aux procédures d'étalonnage et de test. Grâce à sa structure cristalline hexagonale unique, le lingot de 4H-SiC offre de nombreuses applications dans l'électronique de puissance, les dispositifs haute fréquence et les systèmes résistants aux radiations.

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Caractéristiques

Propriétés

1. Structure cristalline et orientation
Polytype : 4H (structure hexagonale)
Constantes du réseau :
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientation : Typiquement [0001] (plan C), mais d'autres orientations telles que [11\overline{2}0] (plan A) sont également disponibles sur demande.

2. Dimensions physiques
Diamètre:
Options standard : 4 pouces (100 mm) et 6 pouces (150 mm)
Épaisseur:
Disponible dans une gamme de 5 à 10 mm, personnalisable en fonction des exigences de l'application.

3. Propriétés électriques
Type de dopage : Disponible en version intrinsèque (semi-isolante), de type n (dopé à l’azote) ou de type p (dopé à l’aluminium ou au bore).

4. Propriétés thermiques et mécaniques
Conductivité thermique : 3,5-4,9 W/cm·K à température ambiante, permettant une excellente dissipation de la chaleur.
Dureté : 9 sur l’échelle de Mohs, ce qui place le SiC juste après le diamant en termes de dureté.

Paramètre	Détails	Unité
Méthode de croissance	PVT (Transport physique de vapeur)
Diamètre	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytype	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientation de la surface	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (autres)	degré
Taper	Type N
Épaisseur	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientation à plat primaire	(10-10) ± 5,0˚	degré
Longueur à plat primaire	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientation secondaire à plat	90˚ CCW par rapport à l'orientation ± 5,0˚	degré
Longueur secondaire à plat	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Aucun (150 mm)	mm
Grade	Recherche / Mannequin

Applications

1. Recherche et développement

Le lingot de 4H-SiC de qualité recherche est idéal pour les laboratoires universitaires et industriels spécialisés dans le développement de dispositifs à base de SiC. Sa qualité cristalline supérieure permet une expérimentation précise sur les propriétés du SiC, telles que :
Études sur la mobilité des transporteurs.
Techniques de caractérisation et de minimisation des défauts.
Optimisation des procédés de croissance épitaxiale.

2. Substrat factice
Le lingot de qualité factice est largement utilisé dans les applications de test, d'étalonnage et de prototypage. Il constitue une alternative économique pour :
Étalonnage des paramètres de processus en dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou en dépôt physique en phase vapeur (PVD).
Évaluation des procédés de gravure et de polissage en milieu industriel.

3. Électronique de puissance
Grâce à sa large bande interdite et à sa conductivité thermique élevée, le 4H-SiC est un matériau fondamental pour l'électronique de puissance, notamment pour :
MOSFET haute tension.
Diodes à barrière Schottky (SBD).
Transistors à effet de champ à jonction (JFET).
Les applications comprennent les onduleurs pour véhicules électriques, les onduleurs solaires et les réseaux intelligents.

4. Dispositifs à haute fréquence
La mobilité électronique élevée et les faibles pertes de capacité de ce matériau le rendent adapté à :
Transistors à radiofréquence (RF).
Systèmes de communication sans fil, y compris l'infrastructure 5G.
Applications aérospatiales et de défense nécessitant des systèmes radar.

5. Systèmes résistants aux radiations
La résistance intrinsèque du 4H-SiC aux dommages causés par les radiations le rend indispensable dans des environnements difficiles tels que :
Matériel d'exploration spatiale.
Équipements de surveillance des centrales nucléaires.
Électronique de qualité militaire.

6. Technologies émergentes
À mesure que la technologie SiC progresse, ses applications continuent de se développer dans des domaines tels que :
Recherche en photonique et en informatique quantique.
Développement de LED haute puissance et de capteurs UV.
Intégration dans des hétérostructures semi-conductrices à large bande interdite.
Avantages du lingot 4H-SiC
Haute pureté : Fabriqué dans des conditions rigoureuses afin de minimiser les impuretés et la densité des défauts.
Évolutivité : Disponible en diamètres de 4 et 6 pouces pour répondre aux besoins des normes industrielles et de la recherche.
Polyvalence : Adaptable à différents types de dopage et orientations pour répondre aux exigences spécifiques des applications.
Performances robustes : Stabilité thermique et mécanique supérieure dans des conditions de fonctionnement extrêmes.

Conclusion

Le lingot de 4H-SiC, grâce à ses propriétés exceptionnelles et à ses nombreuses applications, se situe à la pointe de l'innovation en matière de matériaux pour l'électronique et l'optoélectronique de nouvelle génération. Qu'il s'agisse de recherche académique, de prototypage industriel ou de fabrication de dispositifs avancés, ces lingots constituent une plateforme fiable pour repousser les limites de la technologie. Avec des dimensions, un dopage et des orientations personnalisables, le lingot de 4H-SiC est conçu pour répondre aux exigences évolutives de l'industrie des semi-conducteurs.
Si vous souhaitez en savoir plus ou passer une commande, n'hésitez pas à nous contacter pour obtenir des spécifications détaillées et une consultation technique.