Type SiC lingot 4H diamètre 4 pouces 6 pouces épaisseur 5-10mm recherche/qualité factice

Brève description :

Le carbure de silicium (SiC) est devenu un matériau clé dans les applications électroniques et optoélectroniques avancées en raison de ses propriétés électriques, thermiques et mécaniques supérieures. Le lingot 4H-SiC, disponible dans des diamètres de 4 pouces et 6 pouces avec une épaisseur de 5 à 10 mm, est un produit fondamental à des fins de recherche et développement ou comme matériau de qualité factice. Ce lingot est conçu pour fournir aux chercheurs et aux fabricants des substrats SiC de haute qualité adaptés à la fabrication de prototypes de dispositifs, aux études expérimentales ou aux procédures d'étalonnage et de test. Avec sa structure cristalline hexagonale unique, le lingot 4H-SiC offre une large applicabilité dans l'électronique de puissance, les dispositifs haute fréquence et les systèmes résistant aux rayonnements.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Propriétés

1. Structure cristalline et orientation
Polytype : 4H (structure hexagonale)
Constantes de réseau :
une = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientation : généralement [0001] (plan C), mais d'autres orientations telles que [11\overline{2}0] (plan A) sont également disponibles sur demande.

2. Dimensions physiques
Diamètre:
Options standard : 4 pouces (100 mm) et 6 pouces (150 mm)
Épaisseur:
Disponible dans la gamme de 5 à 10 mm, personnalisable en fonction des exigences de l'application.

3. Propriétés électriques
Type de dopage : disponible en type intrinsèque (semi-isolant), de type n (dopé à l'azote) ou de type p (dopé à l'aluminium ou au bore).

4. Propriétés thermiques et mécaniques
Conductivité thermique : 3,5-4,9 W/cm·K à température ambiante, permettant une excellente dissipation thermique.
Dureté : échelle de Mohs 9, ce qui place le SiC juste derrière le diamant en termes de dureté.

Paramètre	Détails	Unité
Méthode de croissance	PVT (Transport Physique de Vapeur)
Diamètre	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytype	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientation des surfaces	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (autres)	degré
Taper	Type N
Épaisseur	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientation plate principale	(10-10) ± 5,0˚	degré
Longueur à plat primaire	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientation plate secondaire	90 ˚ CCW par rapport à l'orientation ± 5,0 ˚	degré
Longueur plate secondaire	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Aucun (150 mm)	mm
Grade	Recherche / Factice

Applications

1. Recherche et développement

Le lingot 4H-SiC de qualité recherche est idéal pour les laboratoires universitaires et industriels axés sur le développement de dispositifs basés sur SiC. Sa qualité cristalline supérieure permet des expérimentations précises sur les propriétés du SiC, telles que :
Etudes de mobilité des transporteurs.
Techniques de caractérisation et de minimisation des défauts.
Optimisation des processus de croissance épitaxiale.

2. Substrat factice
Le lingot de qualité factice est largement utilisé dans les applications de test, d’étalonnage et de prototypage. C'est une alternative économique pour :
Étalonnage des paramètres de processus en dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou en dépôt physique en phase vapeur (PVD).
Évaluation des processus de gravure et de polissage dans les environnements de fabrication.

3. Électronique de puissance
En raison de sa large bande interdite et de sa conductivité thermique élevée, le 4H-SiC est la pierre angulaire de l'électronique de puissance, telle que :
MOSFET haute tension.
Diodes à barrière Schottky (SBD).
Transistors à effet de champ à jonction (JFET).
Les applications incluent les onduleurs pour véhicules électriques, les onduleurs solaires et les réseaux intelligents.

4. Appareils haute fréquence
La mobilité électronique élevée et les faibles pertes de capacité du matériau le rendent approprié pour :
Transistors radiofréquence (RF).
Systèmes de communication sans fil, y compris l'infrastructure 5G.
Applications aérospatiales et de défense nécessitant des systèmes radar.

5. Systèmes résistants aux radiations
La résistance inhérente du 4H-SiC aux dommages causés par les radiations le rend indispensable dans les environnements difficiles tels que :
Matériel d'exploration spatiale.
Équipement de surveillance des centrales nucléaires.
Électronique de qualité militaire.

6. Technologies émergentes
À mesure que la technologie SiC progresse, ses applications continuent de se développer dans des domaines tels que :
Recherche en photonique et informatique quantique.
Développement de LED haute puissance et de capteurs UV.
Intégration dans des hétérostructures semi-conductrices à large bande interdite.
Avantages du lingot 4H-SiC
Haute pureté : fabriqué dans des conditions strictes pour minimiser les impuretés et la densité des défauts.
Évolutivité : disponible en diamètres de 4 pouces et de 6 pouces pour répondre aux besoins des normes de l'industrie et à l'échelle de la recherche.
Polyvalence : Adaptable à différents types et orientations de dopage pour répondre aux exigences spécifiques des applications.
Performance robuste : stabilité thermique et mécanique supérieure dans des conditions de fonctionnement extrêmes.

Conclusion

Le lingot 4H-SiC, avec ses propriétés exceptionnelles et ses applications étendues, se situe à la pointe de l'innovation en matière de matériaux pour l'électronique et l'optoélectronique de nouvelle génération. Qu'ils soient utilisés pour la recherche universitaire, le prototypage industriel ou la fabrication d'appareils avancés, ces lingots constituent une plate-forme fiable pour repousser les limites de la technologie. Avec des dimensions, un dopage et des orientations personnalisables, le lingot 4H-SiC est conçu pour répondre aux demandes évolutives de l'industrie des semi-conducteurs.
Si vous souhaitez en savoir plus ou passer une commande, n'hésitez pas à nous contacter pour obtenir des spécifications détaillées et une consultation technique.