Lingot de SiC type 4H, diamètre 4 pouces, 6 pouces, épaisseur 5-10 mm, qualité de recherche/factice

Brève description :

Le carbure de silicium (SiC) s'est imposé comme un matériau clé dans les applications électroniques et optoélectroniques avancées grâce à ses propriétés électriques, thermiques et mécaniques supérieures. Le lingot 4H-SiC, disponible en diamètres de 4 et 6 pouces et d'une épaisseur de 5 à 10 mm, est un produit fondamental pour la recherche et le développement ou comme matériau de référence. Ce lingot est conçu pour fournir aux chercheurs et aux fabricants des substrats SiC de haute qualité, adaptés à la fabrication de prototypes, aux études expérimentales ou aux procédures d'étalonnage et de test. Grâce à sa structure cristalline hexagonale unique, le lingot 4H-SiC offre de nombreuses applications dans l'électronique de puissance, les dispositifs haute fréquence et les systèmes résistants aux radiations.

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Détails du produit

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Propriétés

1. Structure cristalline et orientation
Polytype : 4H (structure hexagonale)
Constantes du réseau :
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Orientation : Généralement [0001] (plan C), mais d'autres orientations telles que [11\overline{2}0] (plan A) sont également disponibles sur demande.

2. Dimensions physiques
Diamètre:
Options standard : 4 pouces (100 mm) et 6 pouces (150 mm)
Épaisseur:
Disponible dans la gamme de 5 à 10 mm, personnalisable en fonction des exigences de l'application.

3. Propriétés électriques
Type de dopage : Disponible en type intrinsèque (semi-isolant), type n (dopé à l'azote) ou type p (dopé à l'aluminium ou au bore).

4. Propriétés thermiques et mécaniques
Conductivité thermique : 3,5-4,9 W/cm·K à température ambiante, permettant une excellente dissipation de la chaleur.
Dureté : échelle de Mohs 9, ce qui fait du SiC le deuxième plus dur après le diamant.

Paramètre	Détails	Unité
Méthode de croissance	PVT (Transport physique de vapeur)
Diamètre	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytype	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Orientation de la surface	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (autres)	degré
Taper	type N
Épaisseur	5-10 / 10-15 / >15	mm
Orientation principale à plat	(10-10) ± 5,0˚	degré
Longueur plate principale	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Orientation secondaire à plat	90˚ CCW à partir de l'orientation ± 5,0˚	degré
Longueur plate secondaire	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Aucun (150 mm)	mm
Grade	Recherche / Mannequin

Applications

1. Recherche et développement

Le lingot 4H-SiC de qualité recherche est idéal pour les laboratoires universitaires et industriels qui développent des dispositifs à base de SiC. Sa qualité cristalline supérieure permet des expérimentations précises sur les propriétés du SiC, telles que :
Études de mobilité des porteurs.
Techniques de caractérisation et de minimisation des défauts.
Optimisation des processus de croissance épitaxiale.

2. Substrat factice
Le lingot factice est largement utilisé dans les applications de test, d'étalonnage et de prototypage. Il constitue une alternative économique pour :
Étalonnage des paramètres de processus en dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou en dépôt physique en phase vapeur (PVD).
Évaluation des processus de gravure et de polissage dans les environnements de fabrication.

3. Électronique de puissance
En raison de sa large bande interdite et de sa conductivité thermique élevée, le 4H-SiC est une pierre angulaire de l'électronique de puissance, telle que :
MOSFET haute tension.
Diodes à barrière Schottky (SBD).
Transistors à effet de champ à jonction (JFET).
Les applications incluent les onduleurs de véhicules électriques, les onduleurs solaires et les réseaux intelligents.

4. Appareils à haute fréquence
La grande mobilité électronique et les faibles pertes de capacité du matériau le rendent adapté à :
Transistors à radiofréquence (RF).
Systèmes de communication sans fil, y compris l’infrastructure 5G.
Applications aérospatiales et de défense nécessitant des systèmes radar.

5. Systèmes résistants aux radiations
La résistance inhérente du 4H-SiC aux dommages causés par les radiations le rend indispensable dans les environnements difficiles tels que :
Matériel d'exploration spatiale.
Équipement de surveillance des centrales nucléaires.
Électronique de qualité militaire.

6. Technologies émergentes
À mesure que la technologie SiC progresse, ses applications continuent de se développer dans des domaines tels que :
Recherche en photonique et informatique quantique.
Développement de LED haute puissance et de capteurs UV.
Intégration dans des hétérostructures semi-conductrices à large bande interdite.
Avantages du lingot 4H-SiC
Haute pureté : fabriqué dans des conditions rigoureuses pour minimiser les impuretés et la densité des défauts.
Évolutivité : disponible en diamètres de 4 et 6 pouces pour répondre aux besoins standard de l'industrie et à l'échelle de la recherche.
Polyvalence : Adaptable à différents types de dopage et orientations pour répondre aux exigences spécifiques des applications.
Performances robustes : stabilité thermique et mécanique supérieure dans des conditions de fonctionnement extrêmes.

Conclusion

Le lingot 4H-SiC, avec ses propriétés exceptionnelles et ses applications variées, est à la pointe de l'innovation en matière de matériaux pour l'électronique et l'optoélectronique de nouvelle génération. Qu'ils soient utilisés pour la recherche universitaire, le prototypage industriel ou la fabrication de dispositifs avancés, ces lingots constituent une plateforme fiable pour repousser les limites de la technologie. Grâce à des dimensions, un dopage et des orientations personnalisables, le lingot 4H-SiC est conçu pour répondre aux exigences évolutives de l'industrie des semi-conducteurs.
Si vous souhaitez en savoir plus ou passer une commande, n'hésitez pas à nous contacter pour des spécifications détaillées et une consultation technique.