Plaquette de carbure de silicium SiC plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI (semi-isolant de haute pureté) 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8 pouces disponible

Brève description :

Nous proposons une sélection diversifiée de plaquettes SiC (carbure de silicium) de haute qualité, avec un accent particulier sur les plaquettes de type N 4H-N et 6H-N, idéales pour les applications dans l'optoélectronique avancée, les dispositifs de puissance et les environnements à haute température. . Ces plaquettes de type N sont connues pour leur conductivité thermique exceptionnelle, leur stabilité électrique exceptionnelle et leur durabilité remarquable, ce qui les rend parfaites pour les applications hautes performances telles que l'électronique de puissance, les systèmes d'entraînement de véhicules électriques, les onduleurs d'énergie renouvelable et les alimentations industrielles. En plus de nos offres de type N, nous proposons également des plaquettes SiC de type P 4H/6H-P et 3C pour des besoins spécialisés, notamment les dispositifs haute fréquence et RF, ainsi que les applications photoniques. Nos plaquettes sont disponibles dans des tailles allant de 2 pouces à 8 pouces et nous proposons des solutions sur mesure pour répondre aux exigences spécifiques de divers secteurs industriels. Pour plus de détails ou de demandes de renseignements, n'hésitez pas à nous contacter.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Propriétés

4H-N et 6H-N (plaquettes SiC de type N)

Application:Principalement utilisé dans les applications d’électronique de puissance, d’optoélectronique et à haute température.

Gamme de diamètre :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:350 μm ± 25 μm, avec des épaisseurs optionnelles de 500 μm ± 25 μm.

Résistivité:Type N 4H/6H-P : ≤ 0,1 Ω·cm (qualité Z), ≤ 0,3 Ω·cm (qualité P) ; Type N 3C-N : ≤ 0,8 mΩ·cm (qualité Z), ≤ 1 mΩ·cm (qualité P).

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densité des microtuyaux (MPD) :< 1 pièce/cm².

TTV : ≤ 10 μm pour tous les diamètres.

Chaîne: ≤ 30 μm (≤ 45 μm pour les tranches de 8 pouces).

Exclusion de bord :3 mm à 6 mm selon le type de plaquette.

Conditionnement:Cassette multi-plaquettes ou conteneur à une seule plaquette.

Autres tailles disponibles 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces

HPSI (plaquettes SiC semi-isolantes de haute pureté)

Application:Utilisé pour les appareils nécessitant une résistance élevée et des performances stables, tels que les appareils RF, les applications photoniques et les capteurs.

Gamme de diamètre :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:Épaisseur standard de 350 μm ± 25 μm avec options pour des tranches plus épaisses jusqu'à 500 μm.

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm.

Densité des microtuyaux (MPD) : ≤ 1 pièce/cm².

Résistivité:Haute résistance, généralement utilisée dans les applications semi-isolantes.

Chaîne: ≤ 30 μm (pour les plus petites tailles), ≤ 45 μm pour les plus grands diamètres.

TTV : ≤ 10 µm.

Autres tailles disponibles 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces

4H-P、6H-P&3C plaquette SiC(plaquettes SiC de type P)

Application:Principalement pour les appareils de puissance et haute fréquence.

Gamme de diamètre :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:350 μm ± 25 μm ou options personnalisées.

Résistivité:Type P 4H/6H-P : ≤ 0,1 Ω·cm (qualité Z), ≤ 0,3 Ω·cm (qualité P).

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densité des microtuyaux (MPD) :< 1 pièce/cm².

TTV : ≤ 10 µm.

Exclusion de bord :3 mm à 6 mm.

Chaîne: ≤ 30 μm pour les petites tailles, ≤ 45 μm pour les plus grandes tailles.

Autres tailles disponibles 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces5×5 10×10

Tableau des paramètres de données partielles

Propriété	2 pouces		3 pouces		4 pouces	6 pouces	8 pouces
Taper	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C ;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C ;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C ;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C ;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diamètre	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Épaisseur	330 ± 25 um		350 ±25 um		350 ±25 um	350 ±25 um	350 ±25 um
	350 ± 25 um ;		500 ± 25 um		500 ± 25 um	500 ± 25 um	500 ± 25 um
	ou personnalisé		ou personnalisé		ou personnalisé	ou personnalisé	ou personnalisé
Rugosité	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Chaîne	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Gratter/Creuser	CMP/MP
MPD	<1 unité/cm-2	<1 unité/cm-2		<1 unité/cm-2		<1 unité/cm-2		<1 unité/cm-2
Forme	Rond, plat 16 mm ; longueur 22 mm ; DE longueur 30/32,5 mm ; DE longueur 47,5 mm ; ENTAILLER; ENTAILLER;
Biseau	45°, SEMI-Spécifications ; Forme C
Grade	Qualité de production pour MOS&SBD ; Grade de recherche ; Qualité factice, qualité de plaquette de graines
Remarques	Le diamètre, l'épaisseur, l'orientation et les spécifications ci-dessus peuvent être personnalisés sur votre demande

Applications

·Électronique de puissance

Les plaquettes SiC de type N sont cruciales dans les dispositifs électroniques de puissance en raison de leur capacité à gérer des tensions et des courants élevés. Ils sont couramment utilisés dans les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les entraînements de moteurs pour des secteurs tels que les énergies renouvelables, les véhicules électriques et l'automatisation industrielle.

· Optoélectronique
Les matériaux SiC de type N, notamment pour les applications optoélectroniques, sont utilisés dans des dispositifs tels que les diodes électroluminescentes (DEL) et les diodes laser. Leur conductivité thermique élevée et leur large bande interdite les rendent idéaux pour les dispositifs optoélectroniques hautes performances.

·Applications à haute température
Les plaquettes SiC 4H-N 6H-N sont bien adaptées aux environnements à haute température, tels que dans les capteurs et les dispositifs de puissance utilisés dans les applications aérospatiales, automobiles et industrielles où la dissipation thermique et la stabilité à des températures élevées sont essentielles.

·Appareils RF
Les plaquettes SiC 4H-N 6H-N sont utilisées dans les dispositifs radiofréquences (RF) qui fonctionnent dans les plages de hautes fréquences. Ils sont utilisés dans les systèmes de communication, la technologie radar et les communications par satellite, où une efficacité énergétique et des performances élevées sont requises.

·Applications photoniques
En photonique, les plaquettes SiC sont utilisées pour des dispositifs tels que les photodétecteurs et les modulateurs. Les propriétés uniques du matériau lui permettent d'être efficace dans la génération, la modulation et la détection de lumière dans les systèmes de communication optique et les dispositifs d'imagerie.

·Capteurs
Les plaquettes SiC sont utilisées dans diverses applications de capteurs, en particulier dans les environnements difficiles où d'autres matériaux pourraient échouer. Il s'agit notamment des capteurs de température, de pression et de produits chimiques, qui sont essentiels dans des domaines tels que l'automobile, le pétrole et le gaz et la surveillance environnementale.

·Systèmes de propulsion pour véhicules électriques
La technologie SiC joue un rôle important dans les véhicules électriques en améliorant l’efficacité et les performances des systèmes d’entraînement. Grâce aux semi-conducteurs de puissance SiC, les véhicules électriques peuvent obtenir une meilleure durée de vie de la batterie, des temps de charge plus rapides et une plus grande efficacité énergétique.

·Capteurs avancés et convertisseurs photoniques
Dans les technologies de capteurs avancées, les plaquettes SiC sont utilisées pour créer des capteurs de haute précision destinés à des applications dans les domaines de la robotique, des dispositifs médicaux et de la surveillance environnementale. Dans les convertisseurs photoniques, les propriétés du SiC sont exploitées pour permettre une conversion efficace de l'énergie électrique en signaux optiques, ce qui est vital dans les infrastructures de télécommunications et d'Internet haut débit.

Questions et réponses

Q：Qu'est-ce que 4H dans 4H SiC ?
A：« 4H » dans 4H SiC fait référence à la structure cristalline du carbure de silicium, en particulier une forme hexagonale à quatre couches (H). Le « H » indique le type de polytype hexagonal, le distinguant des autres polytypes SiC comme 6H ou 3C.

Q：Quelle est la conductivité thermique du 4H-SiC ?
A:La conductivité thermique du 4H-SiC (carbure de silicium) est d'environ 490-500 W/m·K à température ambiante. Cette conductivité thermique élevée le rend idéal pour les applications en électronique de puissance et dans les environnements à haute température, où une dissipation thermique efficace est cruciale.

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