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Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces

Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
  • Plaquette SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces
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Brève description :

Nous proposons une sélection diversifiée de plaquettes SiC (carbure de silicium) de haute qualité, avec une attention particulière portée aux plaquettes de type N 4H-N et 6H-N, idéales pour les applications en optoélectronique avancée, les composants de puissance et les environnements haute température. Ces plaquettes de type N sont reconnues pour leur conductivité thermique exceptionnelle, leur stabilité électrique remarquable et leur durabilité remarquable, ce qui les rend idéales pour les applications hautes performances telles que l'électronique de puissance, les systèmes de propulsion pour véhicules électriques, les onduleurs pour énergies renouvelables et les alimentations industrielles. Outre notre gamme de plaquettes de type N, nous proposons également des plaquettes SiC de type P 4H/6H-P et 3C pour des besoins spécifiques, notamment les composants haute fréquence et RF, ainsi que les applications photoniques. Nos plaquettes sont disponibles dans des tailles allant de 2 à 8 pouces, et nous proposons des solutions sur mesure pour répondre aux exigences spécifiques de divers secteurs industriels. Pour plus d'informations ou toute demande de renseignements, n'hésitez pas à nous contacter.


Caractéristiques

Propriétés

4H-N et 6H-N (plaquettes SiC de type N)

Application:Principalement utilisé dans l'électronique de puissance, l'optoélectronique et les applications à haute température.

Plage de diamètres :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:350 μm ± 25 μm, avec des épaisseurs optionnelles de 500 μm ± 25 μm.

Résistivité:4H/6H-P de type N : ≤ 0,1 Ω·cm (qualité Z), ≤ 0,3 Ω·cm (qualité P) ; 3C-N de type N : ≤ 0,8 mΩ·cm (qualité Z), ≤ 1 mΩ·cm (qualité P).

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densité des micropipes (MPD) :< 1 unité/cm².

TTV: ≤ 10 μm pour tous les diamètres.

Chaîne: ≤ 30 μm (≤ 45 μm pour les plaquettes de 8 pouces).

Exclusion des bords :3 mm à 6 mm selon le type de plaquette.

Conditionnement:Cassette multi-wafers ou conteneur à wafer unique.

Autres tailles disponibles 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces

HPSI (plaquettes de SiC semi-isolantes de haute pureté)

Application:Utilisé pour les appareils nécessitant une résistance élevée et des performances stables, tels que les appareils RF, les applications photoniques et les capteurs.

Plage de diamètres :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:Épaisseur standard de 350 μm ± 25 μm avec options pour des plaquettes plus épaisses jusqu'à 500 μm.

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm.

Densité des micropipes (MPD) : ≤ 1 unité/cm².

Résistivité:Haute résistance, généralement utilisé dans les applications semi-isolantes.

Chaîne: ≤ 30 μm (pour les tailles plus petites), ≤ 45 μm pour les diamètres plus grands.

TTV: ≤ 10 μm.

Autres tailles disponibles 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces

4H-P、6H-P&3C plaquette de SiC(Plaquettes de SiC de type P)

Application:Principalement pour les appareils de puissance et à haute fréquence.

Plage de diamètres :50,8 mm à 200 mm.

Épaisseur:350 μm ± 25 μm ou options personnalisées.

Résistivité:Type P 4H/6H-P : ≤ 0,1 Ω·cm (qualité Z), ≤ 0,3 Ω·cm (qualité P).

Rugosité:Ra ≤ 0,2 nm (CMP ou MP).

Densité des micropipes (MPD) :< 1 unité/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Exclusion des bords :3 mm à 6 mm.

Chaîne: ≤ 30 μm pour les tailles plus petites, ≤ 45 μm pour les tailles plus grandes.

Autres tailles disponibles 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces5×5 10×10

Tableau des paramètres de données partielles

Propriété

2 pouces

3 pouces

4 pouces

6 pouces

8 pouces

Taper

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Diamètre

50,8 ± 0,3 mm

76,2 ± 0,3 mm

100 ± 0,3 mm

150 ± 0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Épaisseur

330 ± 25 um

350 ± 25 um

350 ± 25 um

350 ± 25 um

350 ± 25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

ou personnalisé

ou personnalisé

ou personnalisé

ou personnalisé

ou personnalisé

Rugosité

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Chaîne

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 45 µm

TTV

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

Gratter/Creuser

CMP/MP

MPD

<1 ea/cm-2

<1 ea/cm-2

<1 ea/cm-2

<1 ea/cm-2

<1 ea/cm-2

Forme

Rond, plat 16 mm ; longueur OF 22 mm ; longueur OF 30/32,5 mm ; longueur OF 47,5 mm ; encoche ; encoche ;

Biseau

45°, spécification SEMI ; forme en C

 Grade

Qualité de production pour MOS&SBD ; Qualité de recherche ; Qualité factice, Qualité de plaquette de semence

Remarques

Diamètre, épaisseur, orientation, les spécifications ci-dessus peuvent être personnalisées sur votre demande

 

Applications

·Électronique de puissance

Les plaquettes de SiC de type N sont essentielles aux dispositifs électroniques de puissance grâce à leur capacité à supporter des tensions et des courants élevés. Elles sont couramment utilisées dans les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les entraînements de moteurs pour des secteurs tels que les énergies renouvelables, les véhicules électriques et l'automatisation industrielle.

· Optoélectronique
Les matériaux SiC de type N, notamment destinés aux applications optoélectroniques, sont utilisés dans des dispositifs tels que les diodes électroluminescentes (DEL) et les diodes laser. Leur conductivité thermique élevée et leur large bande interdite en font un matériau idéal pour les dispositifs optoélectroniques hautes performances.

·Applications à haute température
Les plaquettes SiC 4H-N 6H-N sont parfaitement adaptées aux environnements à haute température, tels que les capteurs et les dispositifs d'alimentation utilisés dans les applications aérospatiales, automobiles et industrielles où la dissipation thermique et la stabilité à des températures élevées sont essentielles.

·Appareils RF
Les plaquettes de SiC 4H-N et 6H-N sont utilisées dans les dispositifs radiofréquence (RF) fonctionnant dans les hautes fréquences. Elles sont utilisées dans les systèmes de communication, les technologies radar et les communications par satellite, où une efficacité énergétique et des performances élevées sont requises.

·Applications photoniques
En photonique, les plaquettes de SiC sont utilisées pour des dispositifs tels que les photodétecteurs et les modulateurs. Les propriétés uniques de ce matériau lui permettent d'être efficace pour la génération, la modulation et la détection de lumière dans les systèmes de communication optique et les dispositifs d'imagerie.

·Capteurs
Les plaquettes de silicium (SiC) sont utilisées dans diverses applications de capteurs, notamment dans les environnements difficiles où d'autres matériaux pourraient être défaillants. Parmi ces applications figurent les capteurs de température, de pression et chimiques, essentiels dans des secteurs comme l'automobile, le pétrole et le gaz, et la surveillance environnementale.

·Systèmes de propulsion pour véhicules électriques
La technologie SiC joue un rôle majeur dans les véhicules électriques en améliorant l'efficacité et les performances des systèmes de propulsion. Grâce aux semi-conducteurs de puissance SiC, les véhicules électriques bénéficient d'une meilleure autonomie, de temps de charge plus rapides et d'une meilleure efficacité énergétique.

·Capteurs avancés et convertisseurs photoniques
Dans les technologies de capteurs avancées, les plaquettes de SiC sont utilisées pour créer des capteurs de haute précision destinés à des applications en robotique, dans les dispositifs médicaux et la surveillance environnementale. Dans les convertisseurs photoniques, les propriétés du SiC sont exploitées pour permettre une conversion efficace de l'énergie électrique en signaux optiques, essentielle aux infrastructures de télécommunications et d'internet haut débit.

Questions et réponses

Q：Qu'est-ce que 4H dans 4H SiC ?
A« 4H » dans « 4H SiC » fait référence à la structure cristalline du carbure de silicium, plus précisément à une forme hexagonale à quatre couches (H). Le « H » indique le type de polytype hexagonal, le distinguant des autres polytypes SiC comme 6H ou 3C.

Q：Quelle est la conductivité thermique du 4H-SiC ?
ALa conductivité thermique du 4H-SiC (carbure de silicium) est d'environ 490 à 500 W/m·K à température ambiante. Cette conductivité thermique élevée le rend idéal pour les applications en électronique de puissance et les environnements à haute température, où une dissipation thermique efficace est essentielle.

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