Palette en porte-à-faux en carbure de silicium (palette en porte-à-faux SiC)

Image mise en avant d'une palette cantilever en carbure de silicium (palette cantilever en SiC)

Description courte :

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Caractéristiques

Diagramme détaillé

Présentation du produit

La palette en porte-à-faux en carbure de silicium, fabriquée à partir de carbure de silicium à liaison réactionnelle haute performance (RBSiC), est un composant essentiel utilisé dans les systèmes de chargement et de manutention de plaquettes pour les applications semi-conductrices et photovoltaïques.
Comparées aux palettes traditionnelles en quartz ou en graphite, les palettes en porte-à-faux en SiC offrent une résistance mécanique supérieure, une dureté élevée, un faible coefficient de dilatation thermique et une excellente résistance à la corrosion. Elles conservent une stabilité structurelle remarquable à haute température, répondant ainsi aux exigences strictes des grandes dimensions de plaquettes, d'une durée de vie prolongée et d'une contamination ultra-faible.

Avec le développement continu des procédés de fabrication de semi-conducteurs vers des diamètres de plaquettes plus grands, un débit plus élevé et des environnements de traitement plus propres, les palettes en porte-à-faux en SiC ont progressivement remplacé les matériaux conventionnels, devenant le choix privilégié pour les fours de diffusion, le LPCVD et les équipements haute température connexes.

Caractéristiques du produit

Excellente stabilité à haute température
- Fonctionne de manière fiable à 1000–1300℃ sans déformation.
- Température de service maximale jusqu'à 1380℃.
Capacité de charge élevée
- Résistance à la flexion jusqu'à 250–280 MPa, bien supérieure à celle des palettes en quartz.
- Capable de traiter des plaquettes de grand diamètre (300 mm et plus).
Durée de vie prolongée et faible entretien
- Faible coefficient de dilatation thermique (4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹), bien adapté aux matériaux de revêtement LPCVD.
- Réduit les fissures et le décollement induits par le stress, prolongeant considérablement les cycles de nettoyage et d'entretien.
Résistance à la corrosion et pureté
- Excellente résistance aux acides et aux bases.
- Microstructure dense avec une porosité ouverte < 0,1 %, minimisant la génération de particules et la libération d'impuretés.
Conception compatible avec l'automatisation
- Géométrie en coupe transversale stable avec une grande précision dimensionnelle.
- S'intègre parfaitement aux systèmes robotisés de chargement et de déchargement de plaquettes, permettant une production entièrement automatisée.

Propriétés physiques et chimiques

Article	Unité	Données
Température de service maximale	℃	1380
Densité	g/cm³	3.04 – 3.08
Porosité ouverte	%	< 0,1
Résistance à la flexion	MPa	250 (20℃), 280 (1200℃)
Module d'élasticité	GPa	330 (20℃), 300 (1200℃)
Conductivité thermique	W/m·K	45 (1200℃)
Coefficient de dilatation thermique	K⁻¹×10⁻⁶	4.5
Dureté Vickers	HV2	≥ 2100
Résistance à l'acide/aux bases	-	Excellent

Longueurs standard :2378 mm, 2550 mm, 2660 mm
Dimensions personnalisées disponibles sur demande

Applications

Industrie des semi-conducteurs
- LPCVD (Dépôt chimique en phase vapeur à basse pression)
- Processus de diffusion (phosphore, bore, etc.)
- Oxydation thermique
Industrie photovoltaïque
- Diffusion et revêtement de plaquettes de polysilicium et monocristallines
- Recuit à haute température et passivation
Autres domaines
- Environnements corrosifs à haute température
- Systèmes de manipulation de plaquettes de précision nécessitant une longue durée de vie et une faible contamination

Avantages pour le client

Réduction des coûts d'exploitation– Durée de vie plus longue que celle des palettes en quartz, minimisant les temps d'arrêt et la fréquence de remplacement.
Rendement plus élevé– Une contamination extrêmement faible garantit la propreté de la surface des plaquettes et réduit les taux de défauts.
À l'épreuve du temps– Compatible avec les plaquettes de grande taille et les procédés de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération.
Amélioration de la productivité– Entièrement compatible avec les systèmes d'automatisation robotisée, prenant en charge la production en grande série.

FAQ – Palette en porte-à-faux en carbure de silicium

Q1 : Qu'est-ce qu'une palette cantilever en carbure de silicium ?
A : Il s'agit d'un support et d'un composant de manipulation de plaquettes fabriqué en carbure de silicium lié par réaction (RBSiC). Il est largement utilisé dans les fours de diffusion, le LPCVD et d'autres procédés de fabrication de semi-conducteurs et de cellules photovoltaïques à haute température.

Q2 : Pourquoi choisir des palettes en SiC plutôt qu'en quartz ?
A: Comparées aux palettes en quartz, les palettes en SiC offrent :

Résistance mécanique et capacité de charge supérieures
Meilleure stabilité thermique jusqu'à 1380 °C
Durée de vie beaucoup plus longue et cycles de maintenance réduits
Réduction de la génération de particules et du risque de contamination
Compatibilité avec les plaquettes de plus grande taille (300 mm et plus)

Q3 : Quelles sont les tailles de plaquettes que la palette en porte-à-faux SiC peut supporter ?
A: Des palettes standard sont disponibles pour les systèmes de four de 2378 mm, 2550 mm et 2660 mm. Des dimensions personnalisées sont disponibles pour supporter des plaquettes jusqu'à 300 mm et plus.

À propos de nous

XKH est spécialisée dans le développement, la production et la vente de verres optiques spéciaux et de nouveaux matériaux cristallins de haute technologie. Nos produits sont destinés à l'électronique optique, à l'électronique grand public et au secteur militaire. Nous proposons des composants optiques en saphir, des films de protection pour objectifs de téléphones portables, de la céramique, du LT, du carbure de silicium (SiC), du quartz et des plaquettes de cristal semi-conducteur. Grâce à notre expertise et à nos équipements de pointe, nous excellons dans la transformation de produits non standard, avec pour ambition de devenir une entreprise leader dans le domaine des matériaux optoélectroniques.