Substrat
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Substrat SiC type P 4H/6H-P 3C-N 4 pouces avec une épaisseur de 350 um Qualité de production Qualité factice
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Plaquette SiC 4H/6H-P 6 pouces, qualité MPD zéro, qualité de production, qualité factice
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Plaquette SiC de type P 4H/6H-P 3C-N 6 pouces d'épaisseur 350 μm avec orientation plate primaire
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Procédé TVG sur plaquette de quartz saphir BF33 Poinçonnage de plaquette de verre
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Plaquette de silicium monocristallin Substrat Si Type N/P Plaquette de carbure de silicium en option
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Substrats composites SiC de type N Dia6 pouces Monocristallin de haute qualité et substrat de faible qualité
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SiC semi-isolant sur substrats composites Si
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Substrats composites SiC semi-isolants de diamètre 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces HPSI
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Boule de saphir synthétique Saphir monocristallin Le diamètre et l'épaisseur peuvent être personnalisés
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SiC de type N sur substrats composites Si de 6 pouces de diamètre
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Substrat SiC Dia200mm 4H-N et HPSI Carbure de silicium
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Substrat SiC de 3 pouces, diamètre de production 76,2 mm 4H-N